Оптоэлектронное постоянное запоминающееустройство

Оптоэлектронное постоянное запоминающееустройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сома Советских

Социалистических республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 31Х.1968 (№ 1243921/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 26.VIII.1969. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 5.II.1970

/40

/06

f

83:681.327.66

8) Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. А. Денисов, К. К. Ещин, Н. Ф. Медведев, С. С. Мескин и В. Н. Равич

Военная инженерная академия им. Ф. Э. Дзержинского

Заявитель

ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ

УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области оптоэлектроники и вычислительной техники.

Известно постоянное оптоэлектронное запоминающее устройство, содержащее матрицы фотоизлучателей и фотоприемников, выполненные на р — n-структуре с:проводящими горизонтальными и и вертикальными шинами.

Предложенное устройство отличается тем, что в матрице фотоприемников базовая область выполнена общей для всех элементарных фотоприемников и подсоединена к точке с постоянным электрическим потенциалом, а p — и-переходы выполнены в виде пятен, причем каждый фотоприемник соединен в соответствии с записанной информацией проводящими перемычками с разрядными шинами, расположенными на наружной поверхности матрицы фотоприемников.

Предложенная конструкция устройства позволяет не вводить специальный электрический экран между матрицей излучателей и матрицей фотоприемников за счет заземления (подключения к точке схемы с постоянным электричесиим потенциалом) общей — базовой (прозрачной) области фотоприемной матрицы, что упрощает конструкцию оптоэлектронной матрицы и позволяет уменьшить расстояние от излучателей до фотоприемников, т. е. снизить оптические потери. Кроме того, выполнение внешних соединений упрощает процесс смены информации.

На чертеже представлено описываемое оптоэлектронное постоянное запоминающее устройство в разрезе, содержащее: матрицу излучателей 1, матрицу фотоприемников 2 с базовой областью 8, коллекторными областями 4 элементарных фотоприемников, с контактными перемычками 5 и выходными разрядными шинами б.

Матрица излучателей выполнена на арсе10 нидгаллиевой пластине с p — n-структурой. побласть является общей для всех излучателей, р — n-переходы имеют конфигурацию пятен.

Электрические контакты от р-областей элементарных излучателей объединены входными

15 шинами,по столбцам матрицы.

Матрица фотоприемников 2 .выполнена на кремниевой пластине с р — n-структурой. Базовая (прозрачная) область 8 матрицы является общей и подключена к точке схемы с постоян20 .ным электрическим потенциалом. Электрические контакты коллекторных областей 4 элементарных фотоприемников расположены с наружной стороны матрицы и, в соответствии с кодами хранимых чисел, с помощью прово25 дящих перемычек (5) подключены к выходным (разрядным) шинам матрицы фотоприемHèков. Элементарные фотоприемники, подключаемые к одной разрядной шине, образуют строку матрицы.

30 Процесс считывания информации заключается в том, что на один из столбцов матрицы

251100

Состави!слв И. H. Горелова

Редактор Б. С. Нанкина Тскред Т. П. Курилко Корректоры: В. Ласточкина и В. Петрова

Заказ 3789/11 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва >К-35, Раушская !!аб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 излучателей подается импульс тока. который преобразуется в р — n-переходах излучателей выбранного столбца в световые импульсы. Достигая поверхности р — n-переходов элементарных фотопр нем ников, соответствующих выбранному столбцу, световые импульсы вызывают выходнь1е -" фотосигналы на контактах коллекторных дбласте14! фдтоприе.!пиков. Есги! данный контакт соединен с помощью проводящей перемычки с выходной (разрядно!1) шиной матрицы фотоприемников, то с шины считывается сигнал «1». Если контакт коллекторной области соответствующего элементарного фотоприемника не подключен к выходной шине, то с шины считывается сигнал «О».

Поскольку общая /базовая) область матрицы фотоприемников, подключенная к точке схемы с постоянным электрическим потенциалом, располо>кена между токопроводящими цепями матрицы излучателей и выходными цепями матрицы фотоприемников, то паразитпяя ем костная св1!Зь между 3 казан ныл!и элек1">11чес1 :ими цепями пракгически сведена и мии!!МУМУ.

Предмет изобретения

Оптоэлектронное постоянное запоминающее устройство, содержащее матрицы фотоизлучателей и фотоприемников, выполненные на р — n-структуре с проводящими горизонтальными и вертикальными шинами, отличающееся тем, что, с целью упрощения и уменьшения емкостных помех, в матрице фотоприемников базовая область выполнена общей для всех элементарных фотоприемников и подсоединена к точке с постоянным электрическим потенциалом, а р — и-переходы выполнены в виде г!ятен, причем каждый фотопрпемник соединен в соответствии с записанной информацией проводящими перемычками с разрядными шинами, располо>кенными на наружной поверхн1ости матр!щы фотоприемников.