Жидкокристаллическое устройство отображения

Устройство включает пару подложек и жидкокристаллический слой, помещенный между парой подложек. Одна из пары подложек включает в себя линии сканирования, сигнальные линии, линии накопительного конденсатора, тонкопленочные транзисторы, подключенные к линиям сканирования и сигнальным линиям, и электроды пикселей, подключенные к тонкопленочным транзисторам, а другая - противоэлектрод. Линия сканирования и электрод пикселя образуют емкость затвор-сток, причем емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. Перекрывающаяся область каждого из электродов пикселей, перекрытого линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в каждом из электродов пикселей, соответственно размещенных для одноцветных элементов изображения, причем скорости увеличения отличаются среди электродов пикселей с разными емкостями пикселей. Технический результат - улучшение качества изображения. 8 з.п. ф-лы, 73 ил., 10 табл.

Реферат

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

[0001] Настоящее изобретение относится к жидкокристаллическому устройству отображения. Точнее говоря, настоящее изобретение относится к жидкокристаллическому устройству отображения, которое применяет способ возбуждения, использующий тонкопленочный транзистор.

ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

[0002] Жидкокристаллическое устройство отображения (LCD) является устройством, которое выполняет отображение таким образом, что оптическое свойство света, излученного из источника света, управляется с использованием жидкокристаллического слоя и т.п., заполненного между парой подложек, и используется в различных областях, пользуясь преимуществом своих характеристик, например, тонкого профиля, легкого веса и низкого энергопотребления.

[0003] В жидкокристаллическом устройстве отображения состояние ориентации жидкокристаллических молекул изменяется путем подачи напряжения на жидкокристаллический слой с использованием пары электродов, образованных на подложках, и посредством этого изменяется состояние поляризации света, проходящего через жидкокристаллический слой. В жидкокристаллическом устройстве отображения светофильтры множества цветов размещаются для выполнения цветного отображения. Пара подложек, охватывающих жидкокристаллический слой, удерживается распорками, чтобы иметь равномерный зазор (зазор ячейки) между ними, и соединяется друг с другом герметизирующим материалом.

[0004] В жидкокристаллическом устройстве отображения обычно образуются подпиксели трех цветов: красного (R), зеленого (G) и синего (B). Светофильтр каждого цвета размещается для каждого из подпикселей, и регулирование цвета выполняется для каждого пикселя путем регулирования света, проходящего через светофильтр каждого цвета.

[0005] В последние годы создано такое ухищрение, что в дополнение к подпикселям RGB размещается белый подпиксель (W), чтобы увеличить яркость (см., например, Патентную литературу 1). Кроме того, также исследован способ, в котором площади подпикселей RGBW создаются разными для каждого цвета, чтобы соответствующим образом регулировать цветовой баланс (см., например, Патентную литературу 2).

[0006] В жидкокристаллическом устройстве отображения электроды пикселей обычно размещаются в матричной форме, и каждый из электродов пикселей возбуждается через переключатель, образованный тонкопленочным транзистором (TFT). TFT является полевым транзистором с тремя выводами, и электрод стока каждого из TFT подключается к электроду пикселя, соответствующему TFT. Электрод затвора каждого из TFT подключается к шине затвора каждой строки матрицы. Электрод истока каждого из TFT подключается к шине истока каждого столбца матрицы. Нужное изображение можно получить путем подачи сигнала изображения в шину истока и путем последовательного сканирования шины затвора.

[0007] Некоторые из жидкокристаллических устройств отображения имеют многозазорную конфигурацию, в которой толщина (зазор ячейки) жидкокристаллического слоя сделана разной для подпикселя каждого цвета. Однако в случае, где размер зазора ячейки сделан разным, изменяется значение емкости, ассоциированной с электродом пикселя. Поэтому, чтобы устранить разницу в емкости пикселя между подпикселями, необходимо внести ухищрения, например, (a) выравнивание площадей электрода пикселя между подпикселями и создание разной накопительной емкости для каждого из подпикселей, или (b) создание площадей электрода пикселя разными для каждого из подпикселей и выравнивание накопительной емкости между подпикселями (см., например, Патентную литературу 3).

[0008] Кроме того, в жидкокристаллическом устройстве отображения, чтобы решить проблему зависимости угла обзора из-за различия в показателях γ между моментом, когда на дисплей смотрят во фронтальном направлении, и моментом, когда на дисплей смотрят в наклонном направлении, имеет место случай, где пиксель делится на множество подпикселей, и где показатели γ приводятся близко друг к другу (см., например, Патентную литературу 4). Показатели γ означают градационную зависимость яркости отображения. То, что показатели γ отличаются между моментом, когда на дисплей смотрят во фронтальном направлении, и моментом, когда на дисплей смотрят в наклонном направлении, означает, что состояние отображения градации изменяется в соответствии с направлением наблюдения. Проблему зависимости угла обзора из-за показателей γ можно устранить таким образом, что состояние, имеющее разные показатели γ, образуется путем подачи разного напряжения на жидкокристаллический слой, соответствующий каждому из подпикселей.

[0009] Кроме того, в качестве способа для создания распорки также опробован способ, в котором, когда светофильтры образуются в соответствии с подпикселями RGB, светофильтры также аналогичным образом образуются в месте, где должна образоваться распорка, и укладываются слоями для образования распорки (см., например, Патентную литературу 5). В Патентной литературе 5, чтобы компенсировать изменение емкости каждого пикселя из-за распорки, образованной в подпикселе, исследован способ, который выравнивает отношение емкостей каждого из соответствующих пикселей путем изменения размера линии накопительного конденсатора.

[0010] Кроме того, раскрывается подложка активной матрицы, в которой линия общего электрода образуется параллельно сигнальной линии сканирования, и каждая схема пикселя образуется так, что емкость Cgd между сигнальной линией сканирования и электродом пикселя становится больше при электрическом удалении от возбуждающей схемы сигнальной линии сканирования, чтобы устранить неоднородность сдвига уровня у потенциала пикселя, созданного при спаде сигнала сканирования (например, Патентная литература 6).

СПИСОК ИСТОЧНИКОВ

Патентная литература

[0011] Патентная литература 1: JP 2001-296523 A.

Патентная литература 2: JP 2007-25697 A.

Патентная литература 3: JP 6-11733 A.

Патентная литература 4: JP 2004-62146 A.

Патентная литература 5: WO 2008/081624.

Патентная литература 6: WO 2006/006376.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Техническая проблема

[0012] Во время исследования жидкокристаллического устройства отображения, включающего в себя подпиксели (в дальнейшем также называемые элементами изображения) множества цветов, авторы настоящего изобретения обратили внимание на явление, в котором, когда шаг отличается между элементами изображения (например, длина между элементами изображения в направлении вдоль линий сканирования), и когда экран с белым окном отображается на полутоновом фоне в течение длительного времени, а затем отображается сплошной полутоновый экран, только цвет в части, соответствующей белому окну, кажется отличным от цвета фоновой части.

[0013] Фиг.68 - схематичный чертеж, показывающий состояние, когда белое окно отображается на полутоновом фоне, а Фиг.69 - схематичный чертеж, показывающий состояние полутонового сплошного отображения, когда удаляется белое окно. Как показано на Фиг.68 и Фиг.69, в состоянии полутонового сплошного отображения послеизображение вследствие отображения до удаления белого окна возникает в области, в которой отображалось белое окно.

[0014] Авторы настоящего изобретения проводили различные исследования о причинах возникновения такого явления и обнаружили, что послеизображение возникает на дисплее, например, потому, что площадь электрода пикселя или толщина жидкокристаллического слоя отличается среди элементов изображения, так что емкость пикселя сделана разной для каждого из элементов изображения.

[0015] Когда, например, площадь элемента изображения или толщина жидкокристаллического слоя отличается для каждого цвета, значение электростатической емкости, созданной электродом пикселя, также отличается для каждого из элементов изображения. Фиг.70 - схематичный чертеж, показывающий формы сигнала напряжений стока у двух электродов пикселей, размещенных рядом друг с другом.

[0016] Формы сигнала, показанные на левой стороне Фиг.70, являются формами сигнала, ассоциированными с элементом изображения, имеющим большую емкость пикселя в случае неизменной емкости затвор-сток, а формы сигнала, показанные на правой стороне Фиг.70, являются формами сигнала, ассоциированными с элементом изображения, имеющим меньшую емкость пикселя в случае неизменной емкости затвор-сток. Как показано на Фиг.70, эффективное значение напряжения стока (Vd) отличается для каждого элемента изображения. Причина в том, что величина проходного напряжения (ΔVd) отличается между элементами изображения, и в том, что полярность напряжений стока (Vd(+), Vd(-)) изменяется в каждый момент, когда выполняется возбуждение электрода пикселя переменным током. Поскольку противоэлектрод не создается для каждого из пикселей, мешающее напряжение устанавливается в значение, общее для всех пикселей. Поэтому значение оптимального мешающего напряжения, определенное значением напряжения стока (Vd(+), Vd(-)) после прохода, устанавливается в разное значение для каждого из элементов изображения, и поэтому сложно, чтобы все элементы изображения возбуждались соответствующим образом с помощью мешающего напряжения, общего для всех элементов изображения.

[0017] Нижеследующее объяснит мешающее напряжение в плоскости и коррекцию в плоскости (градацию Cgd), обусловленные паразитной емкостью между затвором и стоком. Фиг.71 - график, показывающий распределение 121 мешающего напряжения в плоскости (распределение оптимального мешающего напряжения в направлении по линии сканирования (шины затвора) в плоскости панели) в случае отсутствия градации Cgd в жидкокристаллическом устройстве отображения. В положении x=0 оптимальное мешающее напряжение определяется по ΔVd, и при продвижении в направлении линии сканирования сближение задержек стробирующего сигнала и явного ΔVd уменьшается, а оптимальное мешающее напряжение увеличивается. Поскольку мешающее напряжение является только одним значением на плоскости, возникает отклонение оптимального мешающего напряжения в зависимости от положений. Обычно, как показано на Фиг.71, регулировка мешающего напряжения выполняется в центре экрана. Таким образом, отклонение 120 оптимального мешающего напряжения доходит до максимума в конечных частях. В этом случае в отображенных изображениях могут возникать мерцание, ухудшение изображения или послеизображение. Фиг.72 - график, показывающий градацию 122 Cgd, присутствующую в жидкокристаллическом устройстве отображения. Фиг.73 - график, показывающий распределение 123 мешающего напряжения в плоскости в традиционном жидкокристаллическом устройстве отображения в случае выполнения градации Cgd. В панели, имеющей электроды пикселей с одинаковой емкостью пикселя среди элементов изображения, вышеописанная регулировка добивается подходящего распределения мешающего напряжения в плоскости.

[0018] Нижеследующее описывает случай выполнения коррекции в плоскости (градации Cgd) с помощью паразитной емкости (Cgd) между затвором и стоком в панели, имеющей электрод пикселя, в которой емкости пикселей у элементов изображения отличаются друг от друга. Коррекция с помощью градации Cgd определяется величиной коррекции 1 Шага (величина коррекции от начальной емкости затвор-сток, образованной линией сканирования и электродом пикселя, на который сначала подается сигнал сканирования до коррекции, до емкости затвор-сток после коррекции следующего Шага, определенной перекрывающейся областью электрода пикселя с линией сканирования, в этом документе также называемой величиной коррекции Cgd) и определением, для скольких пикселей поддерживается коррекция. Чем меньше пикселей, в которых поддерживается коррекция, тем больше скорость увеличения коррекции. В отличие от этого, чем больше пикселей, в которых поддерживается коррекция, тем меньше скорость увеличения коррекции. Величина коррекции Cgd может быть отрицательным значением. В случае, где величина коррекции Cgd и количество пикселей, для которых поддерживается коррекция, определяются без учета разницы в емкостях пикселей, разницы ΔVd среди элементов изображения увеличиваются из-за разницы в емкости пикселя в частях, где величина коррекции в плоскости панели в определенной степени большая. В результате оптимальное мешающее напряжение может меняться среди элементов изображения.

[0019] Более того, в соответствии с исследованием авторов настоящего изобретения было обнаружено, что такое изменение в оптимальных мешающих напряжениях служит причиной воздействия послеизображения на дисплей.

[0020] Настоящее изобретение создано в связи с вышеописанными обстоятельствами. Цель настоящего изобретения - предоставить жидкокристаллическое устройство отображения, которое почти не вызывает послеизображение в панели, в которой выполняется градация Cgd, даже когда емкости пикселей у элементов изображения отличаются друг от друга.

Решение проблемы

[0021] Чтобы подавить послеизображение, авторы настоящего изобретения исследовали различные способы для уравнивания оптимального мешающего напряжения среди элементов изображения и обратили внимание на то, что одним из факторов, необходимых для регулировки оптимального мешающего напряжения, является описанное выше ΔVd. Когда значения ΔVd у элементов изображения становятся близкими друг к другу, оптимальные мешающие напряжения также становятся равными друг другу среди элементов изображения. Значение ΔVd может выражаться в виде ΔVd=α×Vgp-p. Как показано на описанной выше Фиг.70, значение Vgp-p представляет собой изменение напряжения затвора в момент, когда TFT выключается. Необходимо поддерживать значение Vgp-p отчасти в неизменном значении, и поэтому необходимо регулировать значение α, чтобы изменять значение ΔVd. Значение α выражается в виде α=Cgd/(Cgd+Csd+Ccs+Clc). Условное обозначение Csd обозначает паразитную емкость между истоком и стоком, условное обозначение Ccs обозначает паразитную емкость между Cs и стоком, и условное обозначение Clc обозначает емкость жидкого кристалла. Суммарное значение Cgd+Csd+Ccs+Clc, которое в дальнейшем также называется Cpix, представляет собой общую емкость (то есть емкость пикселя), подключенную к стоку TFT.

[0022] В результате всестороннего исследования средства для эффективного регулирования значения α авторы настоящего изобретения обнаружили, что значение α можно эффективно регулировать, когда емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя, среди множества электродов пикселей, расположенных в одном пикселе.

[0023] Касаемо проблемы панели, в которой выполняется градация Cgd, в том, что разница значения ΔVd между элементами изображения больше, когда величина коррекции определяется без учета разницы в емкости пикселя, авторы настоящего изобретения обратили внимание на перекрывающуюся область электрода пикселя. Авторы настоящего изобретения обнаружили, что распределение мешающего напряжения в плоскости можно эффективно регулировать путем образования градации Cgd, хотя скорость увеличения в перекрывающейся области электрода пикселя становится отличной друг от друга. Между тем при проектировании градации Cgd обычно величина коррекции Cgd (ΔCgd) сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, а скорость увеличения величины впоследствии уменьшается из-за характеристики задержки сигнала в линиях затвора.

[0024] Авторы настоящего изобретения обнаружили, что мешающего напряжения ближе к оптимальному значению для каждого элемента изображения можно добиться в следующей конфигурации. Емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. Принимая во внимание разницу ΔVd на основе разницы между емкостями пикселей, Cdg (α) регулируется подходящим образом. Более того, перекрывающаяся область электрода пикселя, который перекрывается линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в каждом из электродов пикселей, размещенных в соответствии с одноцветными элементами изображения, и скорость увеличения отличается среди электродов пикселей с разными емкостями пикселей. Величину коррекции Cdg в каждом из электродов пикселей можно установить подходящим образом в зависимости от площадей электродов пикселей. Посредством этого можно обеспечить мешающее напряжение, близкое к оптимальному значению. Эта конфигурация может предотвратить появление послеизображения и соответственно может решить вышеупомянутую проблему. Соответственно, авторы изобретения завершили настоящее изобретение.

[0025] А именно настоящее изобретение относится к жидкокристаллическому устройству отображения, которое включает в себя пару подложек и жидкокристаллический слой, помещенный между парой подложек, и конфигурируется так, что пиксель образуется элементами изображения множества цветов, где одна из пары подложек включает в себя линии сканирования, сигнальные линии, линии накопительного конденсатора, тонкопленочные транзисторы, подключенные к линиям сканирования и сигнальным линиям, и электроды пикселей, подключенные к тонкопленочным транзисторам; другая из пары подложек включает в себя противоэлектрод; электроды пикселей размещаются для элементов изображения; линия сканирования и электрод пикселя образуют емкость затвор-сток; емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе; перекрывающаяся область каждого из электродов пикселей, перекрытого линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в каждом из электродов пикселей, соответственно размещенных для одноцветных элементов изображения; и скорости увеличения отличаются среди электродов пикселей с разными емкостями пикселей.

[0026] Жидкокристаллическое устройство отображения из настоящего изобретения включает в себя пару подложек, жидкокристаллический слой, помещенный между парой подложек, и конфигурируется так, что пиксель образуется элементами изображения множества цветов. Пара подложек может быть образована из подложки матрицы в качестве одной из подложек и подложки светофильтра в качестве другой из подложек. Элементы изображения с множеством цветов достигаются с помощью светофильтров, размещенных соответственно в элементах изображения. Различные цвета могут отображаться путем регулирования баланса цветов.

[0027] Одна из пары подложек включает в себя линии сканирования (в дальнейшем также называемые шинами затвора), сигнальные линии (в дальнейшем также называемые шинами истока), линии накопительного конденсатора (в дальнейшем также называемые шинами Cs), тонкопленочные транзисторы, подключенные к линиям сканирования и сигнальным линиям, и электроды пикселей, соответственно подключенные к тонкопленочным транзисторам. Электрод стока каждого из TFT подключается к электроду пикселя, соответствующему TFT. Электрод затвора каждого из TFT подключается к шине затвора каждой строки. Электрод истока каждого из TFT подключается к шине истока каждого столбца. Нужное изображение может формироваться путем подачи сигнала изображения в шины истока наряду с приложением напряжения к шинам затвора в заранее установленный момент.

[0028] В вышеописанной конфигурации необходимо, чтобы линии сканирования, сигнальные линии, линии накопительного конденсатора, тонкопленочные транзисторы и электрод пикселя размещались через изолирующие пленки или т.п. с некоторыми интервалами, чтобы быть электрически изолированными друг от друга. Более того, электрод пикселя и противоэлектрод размещаются отделенными друг от друга жидкокристаллическим слоем. Поэтому некоторая величина электростатической емкости образуется между каждой из линий и каждым из электродов, и между электродами. В частности, линия сканирования и электрод пикселя образуют емкость затвор-сток (Cgd), сигнальная линия и электрод пикселя образуют емкость исток-сток (Csd), линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образуют накопительную емкость (Ccs), а электрод пикселя и противоэлектрод образуют емкость жидкого кристалла (Clc).

[0029] Другая из пары подложек включает в себя противоэлектрод. Поскольку электрическое поле образуется между электродом пикселя и противоэлектродом, и поскольку каждый из электродов пикселей индивидуально управляется тонкопленочным транзистором, ориентация жидкого кристалла может управляться для каждого из элементов изображения, и посредством этого можно точно управлять всем экраном.

[0030] Электроды пикселей размещаются для элементов изображения, и емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. Это размещение позволяет эффективно управлять значением α перед установкой градации Cgd. Скорость увеличения перекрывающейся области электрода пикселя, перекрытого линией сканирования, которая увеличивается от электрода пикселя, на который сначала подается сигнал линии сканирования, по ходу сигнала линии сканирования отличается среди электродов пикселей с разными емкостями пикселей. Перекрывающаяся область, а именно величина коррекции Cgd, коррелирует с размером емкости пикселя. Когда электроду пикселя с большей емкостью пикселя разрешается иметь большую перекрывающуюся область, а электроду пикселя с меньшей емкостью пикселя разрешается иметь меньшую перекрывающуюся область, емкости затвор-сток (Cgd), образованные линиями сканирования и электродами пикселей, выгодно регулируются на основе электрических характеристик, специфичных для подложек схем. В силу этого можно пресечь изменение в оптимальных мешающих напряжениях среди элементов изображения.

[0031] Вышеприведенная формулировка "перекрывающаяся область каждого из электродов пикселей, перекрытого линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в каждом из электродов пикселей, соответственно размещенных для одноцветных элементов изображения" означает следующее: в случае жидкокристаллического устройства отображения, использующего три основных цвета RGB, например, перекрывающаяся область электрода пикселя, перекрытого линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в электроде пикселя, соответствующем красному элементу изображения, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в электроде пикселя, соответствующем зеленому элементу изображения, и сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в электроде пикселя, соответствующем синему элементу изображения. Вышеприведенная формулировка "сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования" означает, что скорость увеличения сначала (например, в момент, когда сигнал идет из положения x=0 на горизонтальной оси, где сигнал вводится в линию сканирования, на плоской поверхности панели в направлении распространения сигнала) является положительным значением. Вышеприведенная формулировка "скорость увеличения впоследствии уменьшается" означает, что скорость увеличения в некоторых случаях уменьшается до отрицательного значения. Например, в случае жидкокристаллического устройства отображения с односторонними сигнальными линиями сканирования перекрывающаяся область обычно уменьшается (скорость увеличения становится отрицательным значением) возле края панели, не являющегося входным, а в случае жидкокристаллического устройства отображения с двусторонними сигнальными линиями сканирования перекрывающаяся область обычно уменьшается (скорость увеличения становится отрицательным значением возле центра панели) возле центра панели. Между тем емкость затвор-сток может управляться путем регулировки ширины канала TFT, регулировки перекрывающейся области шины затвора и электрода стока, регулировки перекрывающейся области электрода пикселя и шины затвора и т.п.

[0032] Конфигурация жидкокристаллического устройства отображения из настоящего изобретения особенно не ограничивается при условии, что она, по существу, включает в себя такие компоненты. Нижеследующее будет подробно описывать предпочтительные варианты осуществления жидкокристаллического устройства отображения из настоящего изобретения.

[0033] Предпочтительно, чтобы электрод пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, подключался к тонкопленочному транзистору с большей шириной канала среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. Иными словами, электрод пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, подключался к тонкопленочному транзистору с меньшей шириной канала среди тонкопленочных транзисторов, размещенных в одном пикселе.

[0034] Область канала в TFT является частью, не перекрытой электрически электродом истока и электродом стока в виде сверху полупроводникового слоя, который располагается между электродом истока и электродом стока. Другими словами, область канала TFT является областью, которая не легирована.

[0035] Размер области канала TFT обладает большим влиянием на характеристики TFT. Чем больше ширина области канала, тем лучше становятся текущие характеристики. Изменение размера области канала обладает влиянием на значение Cgd, которое является компонентом Cpix.

[0036] Ширина канала не относится к расстоянию (в дальнейшем также называемому длиной канала) между электродом истока и электродом стока, а относится к ширине части, где электрод истока и электрод стока обращены друг к другу при виде сверху. Ширина канала коррелирует с размером емкости пикселя, а размер емкости пикселя коррелирует с площадью электрода пикселя. Изменение в значениях α среди элементов изображения перед установкой градации Cgd можно выгодно остановить, разрешая TFT с большей шириной канала подключаться к электроду пикселя с большей площадью и разрешая TFT с меньшей шириной канала подключаться к электроду пикселя с меньшей площадью, на основе характеристик TFT.

[0037] Электрод пикселя с большей емкостью пикселя среди множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, предпочтительно имеет большую перекрывающуюся область с линией сканирования электрода пикселя среди множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. Другими словами, электрод пикселя с меньшей емкостью пикселя среди множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, имеет меньшую перекрывающуюся область с линией сканирования электрода пикселя среди множества тонкопленочных транзисторов, размещенных в одном пикселе. Вышеприведенная конфигурация предпочтительно также может остановить изменение в значениях α среди элементов изображения перед установкой градации Cgd. Кроме того, в показателях подходящего управления значением α перекрывающаяся область электрода пикселя с большей емкостью пикселя, перекрытого линией сканирования, предпочтительно отличается от перекрывающейся области электрода пикселя с меньшей емкостью пикселя, перекрытого линией сканирования. Кроме того, в показателях подходящего управления значением α перекрывающаяся область электрода пикселя с большей емкостью пикселя, перекрытого линией накопительного конденсатора, предпочтительно отличается от перекрывающейся области электрода пикселя с меньшей емкостью пикселя, перекрытого линией накопительного конденсатора.

[0038] Площадь электрода пикселя с большей емкостью пикселя отличается, например, по размеру от площади электрода пикселя, имеющего меньшую емкость пикселя. Применение структуры настоящего изобретения в вышеупомянутом варианте осуществления позволяет в достаточной мере проявить результаты настоящего изобретения. В вышеупомянутом варианте осуществления площадь электрода пикселя с большей емкостью пикселя обычно больше площади электрода пикселя с меньшей емкостью пикселя.

[0039] Например, жидкокристаллический слой, перекрытый электродом пикселя с большей емкостью пикселя, отличается по толщине от жидкокристаллического слоя, перекрытого электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя. Применение структуры настоящего изобретения в вышеупомянутом варианте осуществления позволяет в достаточной мере проявить результаты настоящего изобретения. В вышеупомянутом варианте осуществления жидкокристаллический слой, перекрытый электродом пикселя с большей емкостью пикселя, обычно имеет меньшую толщину, чем жидкокристаллический слой, перекрытый электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя.

[0040] Предпочтительно, чтобы сигнальная линия и электрод пикселя образовывали емкость исток-сток (Csd), чтобы линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образовывали накопительную емкость (Ccs), чтобы электрод пикселя и противоэлектрод образовывали емкость жидкого кристалла (Clc), чтобы отношения емкости затвор-сток к сумме емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла (значение этого отношения емкости затвор-сток в дальнейшем задается как α) отличались среди элементов изображения с множеством цветов, и чтобы разница между наибольшим отношением емкости затвор-сток и наименьшим отношением емкости затвор-сток среди отношений емкостей затвор-сток для каждого элемента изображения с разными цветами была равна 10% или меньше от наименьшего отношения емкости затвор-сток, а предпочтительнее 5% или меньше.

[0041] Предпочтительно, чтобы значения α у элементов изображения в этом случае были близки друг к другу. Более того, когда значения α устанавливаются в вышеописанном диапазоне, можно устранить разницу между оптимальными мешающими напряжениями соответствующих элементов изображения, чтобы можно было в достаточной мере подавить послеизображение.

[0042] Предпочтительно, чтобы сигнальная линия и электрод пикселя образовывали емкость исток-сток, чтобы линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образовывали накопительную емкость, чтобы электрод пикселя и противоэлектрод образовывали емкость жидкого кристалла, и чтобы коэффициенты отклика ("Cpix(min)/Cpix(max)"), вычисленные в одном элементе изображения из отношений минимального значения суммы емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла к максимальному значению суммы емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла, отличались среди элементов изображения с множеством цветов, и чтобы разница между наибольшим коэффициентом отклика и наименьшим коэффициентом отклика предпочтительно равнялась 5% или меньше от наименьшего коэффициента отклика среди коэффициентов отклика, полученных соответственно для каждого из элементов изображения разных цветов.

[0043] Предпочтительно, чтобы каждый из электродов пикселя делился на две или более частей в одном элементе изображения, чтобы тонкопленочные транзисторы подключались к разделенным частям электродов пикселей, чтобы линии накопительного конденсатора перекрывались каждым из электродов пикселей, и чтобы полярность напряжения инвертировалась с равным интервалом времени. В дальнейшем способ, в котором один элемент изображения управляется с использованием множества разделенных частей (называемых также электродами подпикселей) электрода пикселя, как описано выше, также называется способом множественного возбуждения. Когда множество электродов подпикселей размещается в одном и том же элементе изображения и соответственно возбуждается разными действующими напряжениями, образуется состояние, где разные показатели γ смешиваются, так что можно устранить зависимость угла обзора на основе показателей γ. Более того, можно предотвратить увеличение количества дополнительных линий путем возбуждения электродов подпикселей по способу множественного возбуждения, используя изменение напряжения линии накопительного конденсатора.

[0044] Предпочтительно, чтобы сигнальная линия и электрод пикселя образовывали емкость исток-сток (Csd), чтобы линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образовывали накопительную емкость (Ccs), чтобы электрод пикселя и противоэлектрод образовывали емкость жидкого кристалла (Clc), чтобы отношения накопительной емкости к сумме емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла (значение этого отношения накопительной емкости в дальнейшем задается как K) отличались среди элементов изображения с множеством цветов, и чтобы разница между наибольшим отношением накопительной емкости и наименьшим отношением накопительной емкости среди отношений накопительной емкости для каждого элемента изображения разных цветов предпочтительно составляла 1,0% или меньше от наименьшего отношения накопительной емкости.

[0045] Вышеописанный предпочтительный вариант осуществления выгодно применим к жидкокристаллическим устройствам отображения трехцветного типа RGB (красный (R), зеленый (G), синий (B) и жидкокристаллическим индикаторным панелям четырехцветного типа RGBY (желтый (Y) элемент изображения добавляется к трехцветному RGB), четырехцветного типа RGBC (голубой (C) элемент изображения добавляется к трехцветному RGB), четырехцветного типа RGBW (белый (W) элемент изображения добавляется к трехцветному RGB), и многоцветного типа из более чем четырех цветов, по существу, включающего в себя RGBY, RGBC, RGBW или т.п.

[0046] Предпочтительные примеры варианта осуществления четырех- или более цветного типа включают в себя устройство отображения, имеющее поверхность отображения, образованную из пикселя, включающего в себя подпиксели красного, зеленого, синего и желтого, где подпиксель (подпиксели) красного и/или синего имеет/имеют большую площадь апертуры, чем другие подпиксели (вариант осуществления, в котором площадь апертуры красного подпикселя является наибольшей, вариант осуществления, в котором площадь апертуры синего подпикселя является наибольшей, или вариант осуществления, в котором обе площади апертуры красного подпикселя и синего подпикселя являются наибольшими, среди всех подпикселей), либо где подпиксель (подпиксели) зеленого и/или желтого имеет/имеют меньшую площадь апертуры, чем другие подпиксели (вариант осуществления, в котором площадь апертуры зеленого подпикселя является наименьшей, вариант осуществления, в котором площадь апертуры желтого подпикселя является наименьшей, или вариант осуществления, в котором обе площади апертуры зеленого подпикселя и желтого подпикселя являются наименьшей, среди всех подпикселей). Желтый может заменяться голубым, или желтый и голубой могут включаться в вышеприведенный пример. Кроме того, вышеупомянутый пиксель может включать в себя подпиксели красного и/или синего, имеющие отличные друг от друга цветовые характеристики.

В жидкокристаллических устройствах отображения с четырьмя или более основными цветами в случае, где увеличивается количество основных цветов, используемых для отображения, ухудшается обзор, особенно из-за сниженной яркости красного цвета. Также в случае, где свет с высокой цветовой температурой используется для управления цветовым тоном отображения белого, яркость красного цвета дополнительно снижается, в силу этого дополнительно ухудшая