Подложка активной матрицы и жидкокристаллическое устройство отображения

Подложка активной матрицы и жидкокристаллическое устройство отображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

[0001] Настоящее изобретение относится к подложке активной матрицы и жидкокристаллическому устройству отображения. Более конкретно, настоящее изобретение относится к подложке активной матрицы и жидкокристаллическому устройству отображения, которые подходящим образом используются в случае возбуждения инверсии полярности.

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

[0002] Жидкокристаллические устройства отображения теперь широко используются во множестве областей, таких как телевизоры, ПК, мобильные телефоны, и цифровые камеры вследствие их выгодных признаков, таких как тонкий профиль, малый вес и низкое потребление энергии. Согласно системе жидкокристаллического дисплея, оптические свойства (например, двупреломление, оптическое вращение, дихроизм, оптическая вращательная дисперсия), ассоциированные с изменением последовательности молекул жидких кристаллов из-за приложения напряжения, используется, чтобы управлять светом, используемым для отображения. В соответствии со способами для управления жидкими кристаллами, система дополнительно разделяется на многие режимы. Например, в матричном режиме отображения, электроды размещаются в конкретной структуре (шаблоне), и возбуждение их управляется индивидуально, что позволяет получить высококачественное отображение.

[0003] Матричный режим отображения дополнительно разделяется на тип пассивной матрицы и тип активной матрицы. В ЖК-экране с активной матрицей электроды размещены в матрице, и множество межсоединений проложены (протянуты) в направлении ряда и направлении колонки, чтобы окружить электроды. Переключающий элемент обеспечен для каждого пересечения межсоединений. В таком устройстве отображения возбуждение электродов индивидуально управляется множеством межсоединений, так чтобы высококачественный жидкокристаллический дисплей реализовался, даже если он содержит данные изображения большого объема.

[0004] Исследования традиционно были проведены в отношении структур межсоединений (проводов) такого жидкокристаллического устройства отображения с активной матрицей с целью улучшения качества отображения. Например, в жидкокристаллических устройствах отображения, раскрытых в патентных документах 1-7, сигнальные линии (линии данных, истоковые межсоединения) не проложены прямо, но частично изогнуты.

[0005] Например, в жидкокристаллическом устройстве отображения, раскрытом в Патентном документе 1, пиксельные электроды или сигнальные межсоединения имеют изогнутые участки, и каждый изогнутый участок служит в качестве границы, делящей смежные пиксельные электроды каждый на две части. Разделенные части смежных пиксельных электродов соответственно охватываются. Соответственно, изгиб пиксельных электродов или сигнальных межсоединений подавляет изменение в емкости, генерируемой между пиксельным электродом и сигнальным межсоединением (истоковым межсоединением) из-за смещения выравнивания между слоями, даже в случае возбуждения инверсии точки, при котором полярность истокового сигнала инвертируется для каждой затворной линии.

[0006] В жидкокристаллическом устройстве отображения, раскрытом в патентном документе 2, межсоединение конденсатора хранения и/или затворное межсоединение частично расширено, чтобы затенить промежуток между двумя пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении ряда, которое сформировано посредством изгиба сигнального межсоединения (истокового межсоединения). Это подавляет утечку света, вызванную между смежными пиксельными электродами, так, чтобы контрастное отношение черно-белого представления было улучшено.

Список цитируемых документов

Патентная литература

[0007]

Патентная литература 1: JP-A 2001-281682

Патентная литература 2: WO 2009/104346

Патентная литература 3: JP-A 2008-3557

Патентная литература 4: JP-A 2004-310105

Патентная литература 5: JP-A 10-104664

Патентная литература 6: патент US 7436479

Патентная литература 7: JP-A 2004-4875

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Техническая проблема

[0008] Электроды и межсоедиения в жидкокристаллических устройствах отображения сформированы, например, сначала формированием проводящей пленки на всей поверхности подложки посредством металлизации напылением и затем посредством структурирования проводящей пленки в желательную форму фотолитографией. Нужно отметить, что в случае экспонирования на панель с большим экраном смена маски (линзы) должна быть выполнена при наличии экспонирования через фотомаску. Если выравнивание не было точным прежде и после того, как смена маски выполнена, позиционное смещение может быть вызвано между пиксельными электродами.

[0009] Фиг. 26 и 27 являются схематическими видами в плане, причем каждое иллюстрирующее позиционные соотношения между истоковыми межсоединениями и пиксельным электродом, когда смещение выравнивания (совмещения) присутствует в диапазоне экспонирования. Фиг. 26 иллюстрирует случай, когда выравнивание пиксельного электрода смещено влево. Фиг. 27 иллюстрирует случай, когда выравнивание пиксельного электрода смещено вправо. В случае, когда пиксельные электроды 111 и 121 размещены в матрице, истоковые межсоединения 112 и 122 скомпонованы так, чтобы накладываться с промежутком между пиксельными электродами 111 и 121, как проиллюстрировано на Фиг. 26 и 27. В частности, относительное отверстие увеличивается в случае обеспечения истоковых межсоединений 112 и 122 в слое и пиксельных электродах 111 и 121 в другом слое через изолирующую пленку таким образом, что они частично перекрываются друг с другом, по сравнению со случаем, когда пиксельные электроды и истоковые межсоединения обеспечены в одном том же слое, и конкретный интервал сохранен между ними, чтобы избежать проводимости между ними. В этом случае конкретная величина паразитной емкости генерируется в области, где истоковые межсоединения 112 и 122 перекрываются с пиксельными электродами 111 и 121 через изолирующую пленку. Величина паразитной емкости пропорциональна области перекрытия.

[0010] В случае, когда слой, включающий в себя истоковые межсоединения 112 и 122, и слой, включающий в себя пиксельные электроды 111 и 121, различны, однако, если смена маски (линзы) точно не выполнена, смещение выравнивания может быть вызвано между истоковыми межсоединениями 112 и 122 и пиксельными электродами 111 и 121, как проиллюстрировано на Фиг. 26 и 27. В таком случае область перекрытия между пиксельным электродом 111 и истоковым межсоединением 112a, сформированная вдоль одной стороны пиксельного электрода 111, отличается от области перекрытия между пиксельным электродом 121 и истоковым межсоединением 122a, сформированной вдоль одной стороны пиксельного электрода 121. Точно так же, область перекрытия между пиксельным электродом 111 и истоковым межсоединением 112b, сформированная вдоль другой стороны пиксельного электрода 111, отличается от области перекрытия между пиксельным электродом 121 и истоковым межсоединением 122b, сформированной вдоль другой стороны пиксельного электрода 121.

[0011] Когда область перекрытия между истоковым межсоединением и пиксельным электродом изменяется среди пикселей, как описано выше, следующие проблемы могут быть вызваны, например, в случае системы возбуждения, в которой смежные пиксельные электроды имеют различную полярность. Описание дано в отношении случая, когда межсоединение для подачи сигнала для записи в пиксельный электрод скомпоновано таким образом, чтобы перекрываться с левой стороной пиксельного электрода на Фиг. 26 и 27. В дальнейшем, истоковые межсоединения 112a и 122a, соответственно перекрывающиеся с левыми сторонами пиксельных электродов 111 и 121, также упоминаются как “истоковые межсоединения самого пикселя”, и истоковые межсоединения 112b и 122b, соответственно перекрывающиеся с правыми сторонами пиксельных электродов 111 и 121, также упоминается как “истоковые межсоединения следующего пикселя”.

[0012] Паразитная емкость, сформированная между пиксельными электродами 111 и 121 и истоковыми межсоединениями самого пикселя 112a и 122a, определяется как Csd1. Паразитная емкость, сформированная между пиксельными электродами 111 и 121 и истоковыми межсоединениями самого пикселя 112b и 122b, определяется как Csd2. Значение, указанное Csd1-Csd2, отличается между случаем, когда присутствует смещение выравнивания, как проиллюстрировано на Фиг. 26, и случаем, когда присутствует смещение выравнивания, как проиллюстрировано на Фиг. 27. Электрический потенциал для записи в каждый пиксельный электрод флуктуирует в соответствии с величиной паразитной емкости. Поэтому пиксельный потенциал, флуктуирующий в соответствии с величиной Csd1 и Csd2, различен между пиксельным электродом на Фиг. 26 и пиксельным электродом на Фиг. 27, даже если один и тот же эффективный потенциал применяется для записи. В результате эффективное напряжение, которое должно быть приложено между жидкокристаллическими слоями, изменяется для каждого пиксельного электрода.

[0013] Такая разность в эффективном напряжении вызывает неравномерность яркости в устройстве отображения, которое является визуально распознаваемым как неравномерность блока в области отображения.

[0014] Настоящее изобретение было разработано с учетом состояния уровня техники и имеет целью обеспечить подложку активной матрицы, которая позволяет подавить изменение в пиксельном потенциале, даже если смещение выравнивания присутствует, и жидкокристаллическое устройство отображения, в котором ухудшение в качестве отображения из-за изменения в пиксельном потенциале подавляется, не снижая относительное отверстие.

Решение проблемы

[0015] Настоящие изобретатели интенсивно изучали, как настроить баланс площади в области, где истоковое межсоединение частично изогнуто, чтобы перекрываться с пиксельным электродом. Использование способа, раскрытого в Патентном документе 2, который показывает, как изогнуть истоковое межсоединение, позволяет подавить ухудшение в качестве отображения из-за изменения в паразитной емкости. Относительное отверстие однако понижается, потому что истоковое межсоединение главным образом сформировано в области апертуры.

[0016] Настоящие изобретатели изучали, как изогнуть истоковое межсоединение и обнаружили, что следующий способ может подавить снижение относительного отверстия, так же как и изменения в электрическом потенциале для записи между пиксельными электродами. А именно, изогнутый участок истокового межсоединения расположен так, чтобы пересекать пиксельный электрод, не пересекать промежуток между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении ряда. Другой участок истокового межсоединения расположен так, чтобы перекрываться с промежутком между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении ряда.

[0017] Более конкретно, пересекающий участок через пиксельный электрод в направлении ряда обеспечен так, чтобы одно истоковое межсоединение, протянутое в направлении колонки, было скомпоновано вдоль обеих сторон каждого пиксельного электрода в направлении колонки. Эта компоновка подавляет изменение в электрическом потенциале для записи между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении ряда, даже если смещение выравнивания в направлении ряда присутствует, и степень смещения выравнивания изменяется среди пиксельных электродов или среди истоковых межсоединений. Причина для этого эффекта в том, что и истоковое межсоединение самого пикселя и истоковое межсоединение следующего пикселя перекрываются с одной стороной пиксельного электрода. Кроме того, большая часть истокового межсоединения перекрывается с промежутком между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении ряда, так, чтобы снижение относительного отверстия было подавлено. Так как пересекающий участок обеспечен, чтобы перекрываться непосредственно с пиксельным электродом, а не с промежутком между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении колонки, изменение в электрическом потенциале для записи менее вероятно будет вызвано между пикселями, смежными друг с другом в направлении колонки, даже если смещение выравнивания будет генерироваться в направлении колонки.

[0018] Соответственно, настоящие изобретатели решили вышеупомянутую проблему и создали настоящее изобретение.

[0019] А именно, настоящим изобретением является подложка активной матрицы, включающая в себя: множество пиксельных электродов, скомпонованных в матрице; и истоковое межсоединение, протянутое в направлении колонки, в котором истоковое межсоединение имеет первый боковой участок, протянутый вдоль одной стороны в направлении колонки по меньшей мере одного пиксельного электрода из множества пиксельных электродов, пересекающий участок, пересекающий пиксельный электрод, и второй боковой участок, протянутый вдоль другой стороны в направлении колонки пиксельного электрода, причем первый боковой участок и второй боковой участок соединены друг с другом с помощью пересекающегося участка, и по меньшей мере один пересекающий участок обеспечен на каждом из по меньшей мере двух пиксельных электродов, выровненных в направлении колонки, из множества пиксельных электродов.

[0020] Подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению включает в себя множество пиксельных электродов, размещенных в матрице, и истоковое межсоединение, протянутое в направлении колонки. Истоковое межсоединение служит для подачи сигнала данных (электрический потенциал для записи) на пиксельный электрод. Пиксельный электрод заряжается в соответствии с величиной электрического потенциала для записи, подаваемого от истокового межсоединения.

[0021] Истоковое межсоединение имеет первый боковой участок, протянутый вдоль одной стороны в направлении колонки по меньшей мере одного пиксельного электрода из множества пиксельных электродов, пересекающий участок, пересекающий пиксельный электрод, и второй боковой участок, протянутый вдоль другой стороны в направлении колонки пиксельного электрода. Первый боковой участок и второй боковой участок соединены друг с другом с помощью пересекающего участка. По меньшей мере один пересекающий участок обеспечен на каждом из по меньшей мере двух пиксельных электродов, выровненных в направлении колонки, из множества пиксельных электродов. Формирование истокового межсоединения частично вдоль стороны пиксельного электрода предотвращает утечку света в промежутке между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении ряда, так чтобы контраст был увеличен. В такой конфигурации единственное истоковое межсоединение имеет два участка вдоль сторон пиксельных электродов и участок, пересекающий пиксельный электрод для каждого пиксельного электрода, чтобы обеспечить подложку активной матрицы, которая является стойкой к обоим из смещений выравнивания в направлении ряда и в направлении колонки и менее вероятно будет иметь снижение в относительном отверстии.

[0022] Конфигурация подложки активной матрицы согласно настоящему изобретению конкретно не ограничена, пока она по существу включает в себя такие компоненты. Подложка активной матрицы может включать или может не включать в себя другие компоненты. Предпочтительные варианты осуществления подложки активной матрицы согласно настоящему изобретению упомянуты более подробно ниже.

[0023] Два пиксельных электрода, смежные друг с другом в направлении ряда среди пиксельных электродов, выровненных в направлении ряда из множества пиксельных электродов, имеют предпочтительно противоположную полярность. Это предотвращает мерцание, послеизображение, и т.п. в отображении, когда подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению используется в устройстве отображения. Кроме того, так как признаки подложки активной матрицы согласно настоящему изобретению решили проблему в инверсии полярности, то есть, проблему, что смещение выравнивания вызывает изменение в паразитной емкости среди пиксельных электродов, выровненных в направлении ряда, подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению используется особенно подходящим образом.

[0024] Два пиксельных электрода, смежные друг с другом в направлении колонки среди пиксельных электродов, выровненных в направлении колонки, из множества пиксельных электродов имеют предпочтительно противоположную полярность. Это предотвращает мерцание, послеизображение, и т.п. в отображении, когда подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению используется в устройстве отображения. Кроме того, так как признаки подложки активной матрицы согласно настоящему изобретению решили проблему в инверсии полярности, при которой смещение выравнивания вызывает изменение в паразитной емкости среди пиксельных электродов, выровненных в направлении ряда, подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению используется особенно подходящим образом.

[0025] Предпочтительно, по меньшей мере два пиксельных электрода, выровненные в направлении колонки, включают в себя пару пиксельных электродов, смежных друг с другом, два пиксельных электрода включают в себя первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод, и истоковое межсоединение имеет второй боковой участок, протянутый вдоль одной стороны первого пиксельного электрода в направлении колонки, и первый боковой участок, протянутый вдоль одной стороны второго пиксельного электрода в направлении колонки, связанные друг с другом не с помощью пересекающего участка через пиксельный электрод. Предпочтительно, по меньшей мере два пиксельных электрода, выровненные в направлении колонки, включают в себя пару пиксельных электродов, смежных друг с другом, два пиксельных электрода включают в себя первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод, и истоковое межсоединение имеет первый боковой участок, протянутый вдоль одной стороны первого пиксельного электрода в направлении колонки, и второй боковой участок, протянутый вдоль одной стороны второго пиксельного электрода в направлении колонки, соединенные друг с другом не с помощью пересекающего участка через пиксельный электрод. Изогнутая структура истокового межсоединения, повторяющаяся в каждых двух пиксельных электродах, вызывает малое изменение в пиксельном потенциале между двумя пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении колонки, и минимизирует количество пересекающих участков. В результате структура менее вероятно будет усложняться так, чтобы объем выхода был увеличен.

[0026] Один пересекающий участок предпочтительно обеспечивается на каждом из по меньшей мере двух пиксельных электродов, смежных друг с другом в направлении колонки, из множества пиксельных электродов. Существенные компоненты настоящего изобретения включают в себя по меньшей мере один первый боковой участок, по меньшей мере один второй боковой участок и по меньшей мере один пересекающий участок, соединяющий первый боковой участок и второй боковой участок. Обеспечение одного пересекающего участка для каждого из пиксельных электродов, выровненных в направлении колонки, реализует сокращение объема, а также минимизацию снижения относительного отверстия.

[0027] Четное число пересекающих участков предпочтительно обеспечено на каждом из по меньшей мере двух пиксельных электродов, смежных друг с другом в направлении колонки, из множества пиксельных электродов. Существенные компоненты настоящего изобретения включают в себя по меньшей мере один первый боковой участок, по меньшей мере один второй боковой участок и по меньшей мере один пересекающий участок, соединяющий первый боковой участок и второй боковой участок. Четное число пересекающих участков не требует изменения в структурах компонентов, сформированных в пикселях, выровненных в направлении колонки, таких как электроды, межсоединения и тонкопленочные транзисторы, так, чтобы одинаковые структуры (шаблоны) могли быть сформированы во всех пикселях. Соответственно, флуктуация в параметре потенциала пикселя и изменения в выравнивании молекул жидкого кристалла, когда используется в жидкокристаллическом устройстве отображения, более вероятно будет подавлено.

[0028] Предпочтительно, пересекающий участок по существу поровну делит (боковую) сторону пиксельного электрода в направлении колонки. Эта конфигурация уравнивает длину первого бокового участка и длину второго бокового участка истокового межсоединения, и поэтому изменение в пиксельном потенциале более вероятно будет подавлено.

[0029] Пересекающий участок предпочтительно сформирован из прозрачного электрода. Межсоединения обычно соответственно формируются из алюминия, меди, хрома, титана, тантала, молибдена или подобного, которые имеют низкое удельное сопротивление. В терминах высокого относительного отверстия, однако, соответственно используются прозрачные материалы, такие как оксид олова и индия (ITO) и оксид цинка и индия (IZO). В настоящем варианте осуществления, так как пересекающий участок сформирован из прозрачного материала, достигается более высокое относительное отверстие. Кроме того, если боковые участки истокового межсоединения сформированы из материала, имеющего низкое удельное сопротивление, достаточная проводимость достигается, чтобы вызывать малую задержку в проводных соединениях.

[0030] В настоящем изобретении по меньшей мере один пиксельный электрод предпочтительно имеет по существу прямоугольную форму, по существу V-форму, или по существу W-форму.

[0031] Первый боковой участок предпочтительно разделяется на две ветви в точке ветвления, и ветви соответственно перекрываются с пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении ряда. Второй боковой участок предпочтительно разделяется на две ветви в точке ветвления, и ветви соответственно перекрываются с пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении ряда. Точки ветвления обеспечены в первой и/или второй боковых участках истокового межсоединения, и части в форме кольца сформированы в истоковом межсоединении. Истоковое межсоединение имеет ступенчатую форму в целом. В такой конфигурации даже если смещение выравнивания генерируется в направлении ряда, каждый ветвленный боковой участок менее вероятно будет перекрываться с промежутком между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении ряда. Соответственно, изменение в пиксельном потенциале более вероятно будет подавлено между пиксельными электродами, смежными друг с другом.

[0032] Предпочтительно, подложка активной матрицы также имеет затворное межсоединение, протянутое в направлении ряда, и затворное межсоединение пересекает пиксельный электрод. Если затворное межсоединение обеспечено, чтобы перекрываться с пиксельным электродом, то не является необходимым затенять область, где невыровненность молекул жидкого кристалла вызвана полем затвора. В таком случае структура упрощается, чтобы способствовать увеличению объема выхода. Если смещение выравнивания генерируется в направлении колонки, изменение в паразитной емкости между пиксельным электродом и затворным межсоединением подавляется больше, и флуктуация в пиксельном потенциале также подавляется больше, по сравнению со случаем, когда затворное межсоединение обеспечено, чтобы перекрываться с промежутком между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении колонки.

[0033] Предпочтительно, подложка активной матрицы также имеет затворное межсоединение, протянутое в направлении ряда, и это затворное межсоединение сформировано, чтобы перекрываться с промежутком между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении колонки. Обеспечение затворного межсоединения для перекрытия с промежутком между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении колонки, может предотвратить утечку света в промежутке между пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении колонки, когда используется в жидкокристаллическом устройстве отображения, так, чтобы контраст был повышен.

[0034] Предпочтительно, подложка активной матрицы также имеет тонкопленочный транзистор, соединенный с истоковым межсоединением и затворным межсоединением, и тонкопленочный транзистор перекрывается со средней линией стороны пиксельного электрода в направлении ряда. Компоновка TFT (тонкопленочного транзистора) таким образом облегчает выравнивание структуры пиксельного электрода в четных рядах и в нечетных рядах вокруг TFT. В результате флуктуация параметра потенциала пикселя из-за различия в форме пиксельного электрода менее вероятно будет вызвана.

[0035] Настоящее изобретение также относится к жидкокристаллическому устройству отображения, включающему в себя подложку активной матрицы, описанную выше, слой жидких кристаллов, и противоположную подложку, уложенные в этом порядке. Конфигурация подложки активной матрицы согласно настоящему изобретению подавляет снижение относительного отверстия и изменения в пиксельном потенциале, реализуя высококачественное отображение.

[0036] Примеры режимов выравнивания жидких кристаллов, предпочтительно используемых в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно настоящему изобретению, включают в себя режим TN (скрученный нематический), режим VA (вертикального выравнивания), режим IPS (переключения в плоскости), режим TBA (выравнивания с поперечным изгибом), режим CPA (выравнивания с непрерывным закручиванием) и режим MVA (многодоменного вертикального выравнивания).

Преимущественные результаты изобретения

[0037] Подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению может подавить изменение в пиксельном потенциале. Жидкокристаллическое устройство отображения согласно настоящему изобретению может подавить снижение относительного отверстия, а также изменения в пиксельном потенциале так, чтобы реализовалось высококачественное отображение.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[0038] Фиг. 1 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим позиционные соотношения между пиксельными электродами и истоковыми межсоединениями в подложке активной матрицы, обеспеченной в жидкокристаллическом устройстве отображения из варианта осуществления 1.

Фиг. 2 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим полярность пиксельных электродов, обеспеченных в жидкокристаллическом устройстве отображения из варианта осуществления 1 в режиме возбуждения инверсии точки.

Фиг. 3-1 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим полярность пиксельных электродов, обеспеченных в жидкокристаллическом устройстве отображения из варианта осуществления 1 в режиме возбуждения инверсии линии, в котором полярность переключается между смежными колонками.

Фиг. 3-2 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим полярность пиксельных электродов, обеспеченных в жидкокристаллическом устройстве отображения из варианта осуществления 1 в режиме возбуждения инверсии линии, в котором полярность переключается между смежными рядами.

Фиг. 4 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим полярность пиксельных электродов, обеспеченных в жидкокристаллическом устройстве отображения из варианта осуществления 1 в режиме возбуждения инверсии точки 2H.

Фиг. 5 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим один пример (Пример 1) подложки активной матрицы, обеспеченной в жидкокристаллическом устройстве отображения из варианта осуществления 1.

Фиг. 6 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим один пример (Пример 2) подложки активной матрицы, обеспеченной в жидкокристаллическом устройстве отображения из варианта осуществления 1.

Фиг. 7 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим один пример (Пример 3) подложки активной матрицы, обеспеченной в жидкокристаллическом устройстве отображения из варианта осуществления 1.

Фиг. 8 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в TN-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла без приложения напряжения.

Фиг. 9 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в TN-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла с приложением напряжения выше порога.

Фиг. 10 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в VA-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла без приложения напряжения.

Фиг. 11 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в VA-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла с приложением напряжения выше порога.

Фиг. 12 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в IPS-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла без приложения напряжения.

Фиг. 13 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в IPS-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла с приложением напряжения выше порога.

Фиг. 14 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в TBA-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла без приложения напряжения.

Фиг. 15 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в TBA-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла с приложением напряжения выше порога.

Фиг. 16 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в CPA-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла без приложения напряжения.

Фиг. 17 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в CPA-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла с приложением напряжения выше порога.

Фиг. 18 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в MVA-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла без приложения напряжения.

Фиг. 19 является схематическим перспективным видом жидкокристаллического устройства отображения в MVA-режиме из варианта осуществления 1 и иллюстрирует выравнивание молекул жидкого кристалла с приложением напряжения выше порога.

Фиг. 20 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим позиционные соотношения между пиксельными электродами и истоковыми межсоединениями подложки активной матрицы, обеспеченной в варианте осуществления жидкокристаллического устройства отображения 2.

Фиг. 21 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим позиционные соотношения между пиксельными электродами и истоковыми межсоединениями подложки активной матрицы, обеспеченной в варианте осуществления жидкокристаллического устройства отображения 3.

Фиг. 22 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим позиционные соотношения между пиксельными электродами и истоковыми межсоединениями подложки активной матрицы, обеспеченной в варианте осуществления жидкокристаллического устройства отображения 4.

Фиг. 23 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим позиционные соотношения между пиксельными электродами и истоковыми межсоединениями подложки активной матрицы, обеспеченной в варианте осуществления жидкокристаллического устройства отображения 5.

Фиг. 24 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим позиционные соотношения между пиксельными электродами и истоковыми межсоединениями подложки активной матрицы, обеспеченной в варианте осуществления жидкокристаллического устройства отображения 6.

Фиг. 25 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим позиционные соотношения между пиксельными электродами и истоковыми межсоединениями подложки активной матрицы, обеспеченной в варианте осуществления жидкокристаллического устройства отображения 7.

Фиг. 26 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим позиционные соотношения между истоковыми межсоединениями и пиксельным электродом, когда смещение выравнивания присутствует в диапазоне экспонирования.

Фиг.27 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим позиционные соотношения между истоковыми межсоединениями и пиксельным электродом, когда смещение выравнивания присутствует в диапазоне экспонирования.

ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

[0039] Настоящее изобретение будет описано более подробно со ссылками на чертежи в следующих вариантах осуществления, но не ограничивается этими вариантами осуществления.

[0040] Здесь, в случае, когда форма описана, используя "по существу", объект фактически имеет описанную форму. Например, “по существу прямоугольная форма” означает фактически прямоугольную форму в целом, и частичное выступание или впадина могут быть сформированы в ней.

[0041] Слово "пиксель" здесь относится к диапазону, соответствующему одному электроду пикселя.

[0042] Вариант осуществления 1

Вариант осуществления 1 является одним примером жидкокристаллического устройства отображения согласно настоящему изобретению, в котором используется подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению. Жидкокристаллическое устройство отображения из варианта осуществления 1 имеет подложку активной матрицы, снабженную пиксельными электродами, транзисторами TFT и т.п.

[0043] Подложка активной матрицы в варианте осуществления 1 имеет стеклянную подложку в качестве основы. На стеклянной подложке множество пиксельных электродов выровнены в направлении ряда и в направлении колонки в матрице в целом. Эта конфигурация позволяет осуществить управление выравниванием жидкокристаллических молекул в каждом пиксельном электроде.

[0044] Фиг. 1 является схематическим видом в плане, иллюстрирующим позиционные соотношения между пиксельными электродами и истоковыми межсоединениями в подложке активной матрицы, обеспеченном в жидкокристаллическом устройстве отображения из варианта осуществления 1. В варианте осуществления 1 пиксельные электроды 11a, 11b, 21a, 21b, 31a и 31b каждый имеют прямоугольную форму. В варианте осуществления 1 истоковые межсоединения 12, 22 и 32 каждое сформированы, чтобы перекрываться частично с промежутком между двумя пиксельными электродами, смежными друг с другом в направлении ряда. Истоковые межсоединения 12, 22 и 32 каждое имеет изогнутые участки. От изогнутых участков пересекающие участки соответственно сформированы так, чтобы пересекать пиксельные электроды 11a, 11b, 21a, 21b, 31a и 31b. Соответственно, истоковые межсоединения 12, 22, 32 каждое имеют зигзагообразную форму в целом. Более конкретно, например, первое истоковое межсоединение 12 имеет первые боковые участки 12a и 12d соответственно протяженные в направлении колонки вдоль одной стороны пиксельных электродов 11a и 11b, вторые боковые участки 12b и 12e соответственно протяженные в направлении колонки вдоль другой стороны пиксельных электродов 11a и 11b, и пересекающие участки 12c и 12f, соответственно соединяющие первые боковые участки 12a и 12d со вторыми боковыми участками 12b и 12e. Один каждый из этих участков обеспечен в каждом из пиксельных электродов 11a и 11b. Пересекающие участки 12c и 12f каждый сформирован в позиции, перекрывающийся со средней линией одной стороны в направлении колонки каждого пиксельного электрода 11a и 11b. Полная длина первых боковых участков и полная длина вторых боковых участков являются по существу уравненными. Также во втором истоковом межсоединении 22 и третьем истоковом межсоединении 32 первые боковые участки 22a, 32a, 22d и 32d, вторые боковые участки 22b, 22e, 32b и 32e и пересекающие участки 22c, 22f, 32c и 32f сформированы в одной и той же структуре.

[0045] Пиксельные электроды 11a, 11b, 21a, 21b, 31a и 31b сформированы в слое, отличающемся от слоя, где истоковые межсоединения 12, 22 и 32 сформированы через изолирующую пленку. Хотя не иллюстрируется на Фиг. 1, пиксельны