Электропроводный оптический прибор, способ его изготовления, сенсорная панель, дисплей и жидкокристаллическое устройство отображения

Электропроводный оптический прибор, способ его изготовления, сенсорная панель, дисплей и жидкокристаллическое устройство отображения

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к электропроводному оптическому прибору, способу его изготовления, сенсорной панели, дисплею и жидкокристаллическому устройству отображения, а более конкретно к электропроводному оптическому прибору, на главной поверхности которого сформирован прозрачный электропроводный слой.

В последние годы к дисплею, такому как жидкокристаллический дисплей, которым оснащают мобильное устройство, сотовый телефон и т.п., присоединили сенсорную панель с резистивной пленкой для ввода информации.

В структуре сенсорной панели с резистивной пленкой выполнены две прозрачные электропроводные пленки, расположенные одна напротив другой через разделитель, изготовленный из изоляционного материала, такого как акриловая полимерная смола. Такая прозрачная электропроводная пленка служит электродом сенсорной панели и включает обладающий прозрачностью базовый материал, такой как полимерная пленка, и созданный на этом базовом материале прозрачный электропроводный слой, выполненный из материала с высоким показателем преломления (например, около 1,9-2,1), такого как оксид индия и олова (ITO).

Прозрачная электропроводная пленка для сенсорной панели с резистивной пленкой должна иметь заданную величину удельного поверхностного сопротивления, например, примерно от 300 Ом/□ до 500 Ом/□. Более того, прозрачная электропроводная пленка должна иметь высокую прозрачность, чтобы избежать снижения качества изображения дисплейного устройства, такого как жидкокристаллический дисплей, к которому прикреплена такая сенсорная панель с резистивной пленкой.

Для реализации заданной величины удельного поверхностного сопротивления прозрачный электропроводный слой, образующий прозрачную электропроводную пленку, должен иметь толщину, например, приблизительно от 20 нм до 30 нм. Однако при увеличении толщины прозрачного электропроводного слоя, изготовленного из материала с высоким показателем преломления, возрастает величина отраженного внешнего светового потока на границе между этим прозрачным электропроводным слоем и базовым материалом, а прозрачность этого прозрачного электропроводного слоя ухудшается, что приводит к проблеме из-за снижения качества дисплейного устройства.

Для решения этой проблемы Выложенная заявка на патент Японии № 2003-136625 (далее именуемая Патентный документ 1), например, описывает прозрачную электропроводную пленку для сенсорной панели, в которой между базовым материалом и прозрачным электропроводным слоем создана антиотражательная пленка. Эта антиотражательная пленка выполнена посредством последовательного нанесения одна на другую нескольких диэлектрических пленок с разными показателями преломления.

Список литературы

Патентная литература

PTL 1

Выложенная заявка на патент Японии № 2003-136625

Раскрытие изобретения

Однако, поскольку функция отражения антиотражательной пленки в составе прозрачной электропроводной пленки согласно Патентному документу 1 обладает зависимостью от длины волны, в характеристике пропускания указанной прозрачной электропроводной пленки проявляется волновая дисперсия (зависимость от длины волны), что делает затруднительной реализацию высокого коэффициента пропускания в широком диапазоне длин волн.

Таким образом, имеется потребность в создании электропроводного оптического прибора, способа его изготовления, сенсорной панели, дисплея и жидкокристаллического устройства отображения, которые обладали бы превосходными антиотражательными характеристиками.

В одном из вариантов электропроводный оптический прибор включает базовый элемент и прозрачную электропроводную пленку, созданную на этом базовом элементе. Структура поверхности прозрачной электропроводной пленки включает несколько выпуклых участков, обладающих антиотражательными свойствами и расположенных с шагом, равным или менее длины волны видимого света.

В одном из вариантов сенсорная панель включает первый электропроводный базовый слой и второй электропроводный базовый слой, расположенный напротив первого электропроводного базового слоя. В этом варианте по меньшей мере один из слоев - первый электропроводный базовый слой и/или второй электропроводный базовый слой - включает базовый элемент и прозрачную электропроводную пленку, созданную на базовом элементе, так что структура поверхности прозрачной электропроводной пленки включает несколько выпуклых структур, обладающих антиотражательными свойствами и расположенных с шагом, равным или менее длины волны видимого света.

В другом варианте дисплей включает устройство отображения и сенсорную панель, прикрепленную к устройству отображения. Сенсорная панель включает первый электропроводный базовый слой и второй электропроводный базовый слой, расположенный напротив первого электропроводного базового слоя. По меньшей мере один из слоев - первый электропроводный базовый слой и/или второй электропроводный базовый слой - включает базовый элемент и прозрачную электропроводную пленку, созданную на базовом элементе. Структура поверхности прозрачной электропроводной пленки включает несколько выпуклых структур, обладающих антиотражательными свойствами и расположенных с шагом, равным или менее длины волны видимого света.

В одном из вариантов способ изготовления прозрачного электропроводного оптического прибора включает создание базового элемента, включающего несколько выпуклых структур, и создание на этом базовом элементе прозрачной электропроводной пленки, так что структура поверхности этой прозрачной электропроводной пленки включает несколько выпуклых участков, соответствующих выпуклым структурам базового элемента. Такие выпуклые структуры обладают антиотражательными свойствами и расположены с шагом, равным или менее длины волны видимого света.

В одном из вариантов прозрачная электропроводная пленка выполнена с поверхностной структурой, включающей множество выпуклых участков, обладающих антиотражательными свойствами и расположенных с шагом, равным или менее длины волны видимого света.

Когда структуры образуют рисунок тетрагональной решетки или квазитетрагональной решетки на поверхности подложки, предпочтительно, чтобы эти структуры обладали эллиптическо-конической формой или эллиптическо-коническо-трапецеидальной формой, чтобы направление большой оси совпадает с продольным направлением дорожек, а уклон в центральной части был более крутым, чем на вершине или у нижнего края структуры. Такая конфигурация позволяет улучшить антиотражательные характеристики и характеристики пропускания.

Когда структуры образуют рисунок тетрагональной решетки или квазитетрагональной решетки на поверхности подложки, предпочтительно, чтобы высота или глубина каждой из этих структур в направлении под углом 45 градусов или под углом приблизительно 45 градусов к направлению дорожек была меньше высоты или глубины такой структуры в направлении ряда дорожек. Если такое соотношение не выполняется, шаг расположения структур в направлении под углом 45 градусов или под углом приблизительно 45 градусов к направлению дорожек необходимо увеличить. В результате коэффициент заполнения поверхности структурами в направлении под углом 45 градусов или под углом приблизительно 45 градусов к направлению дорожек уменьшается. Уменьшение этого коэффициента заполнения, как описано выше, ведет к деградации антиотражательных характеристик.

Как описано выше, можно согласно перечисленным вариантам реализовать электропроводный оптический прибор, обладающий превосходными антиотражательными характеристиками.

Дополнительные признаки и преимущества будут описаны здесь и станут очевидны из последующего подробного описания и чертежей.

Краткое описание чертежей

Фиг.1А представляет схематичный вид в плане, показывающий пример конструкции электропроводного оптического прибора согласно первому варианту. Фиг.1В представляет частично увеличенный вид в плане электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.1А. Фиг.1C представляет схему сечения дорожек T1, T3,… на фиг.1В. Фиг.1D представляет схему сечения дорожек Т2, Т4,… на фиг.1В. Фиг.1Е представляет схематичную диаграмму, показывающую форму модуляционного распределения лазерного излучения, используемого для создания скрытого изображения, соответствующего дорожкам T1, T3,… на фиг.1В. Фиг.1F представляет схематичную диаграмму, показывающую форму модуляционного распределения лазерного излучения, используемого для создания скрытого изображения, соответствующего дорожкам Т2, Т4,… на фиг.1В.

Фиг.2 представляет частично увеличенный вид в перспективе электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.1А.

Фиг.3А представляет схему сечения электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.1А, в продольном направлении дорожек. Фиг.3В представляет схему сечения электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.1А, в направлении 6.

Фиг.4 представляет частично увеличенный вид в перспективе электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.1А.

Фиг.5 представляет частично увеличенный вид в перспективе электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.1А.

Фиг.6 представляет частично увеличенный вид в перспективе электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.1А.

Фиг.7 представляет схему, поясняющую способ установления нижней поверхности структур, когда границы между структурами являются нечеткими.

Фиг.8А-8D представляют схемы, каждая из которых показывает конфигурацию нижней поверхности структуры при изменении эллиптичности этой нижней поверхности структуры.

Фиг.9А представляет схему, показывающую пример размещения структур, каждая из которых имеет коническую форму или коническо-трапецеидальную форму. Фиг.9В представляет схему, показывающую пример размещения структур, каждая из которых имеет эллиптическо-коническую форму или эллиптическо-коническо-трапецеидальную форму.

Фиг.10А представляет вид в перспективе, показывающий пример конструкции роликового шаблона, используемого при изготовлении электропроводного оптического прибора. Фиг.10В представляет частично увеличенный вид в плане поверхности роликового шаблона, показанного на фиг.10А.

Фиг.11 представляет блок-схему, показывающую пример конфигурации устройства для экспонирования матрицы роликового шаблона.

Фиг.12А-12С представляют технологические схемы для пояснения способа изготовления электропроводного оптического прибора согласно первому варианту.

Фиг.13А-13С представляют технологические схемы для пояснения способа изготовления электропроводного оптического прибора согласно первому варианту.

Фиг.14А и 14В представляют технологические схемы для пояснения способа изготовления электропроводного оптического прибора согласно первому варианту.

Фиг.15А представляет схематичный вид в плане, показывающий пример конструкции электропроводного оптического прибора согласно второму варианту. Фиг.15В представляет частично увеличенный вид в плане электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.15А. Фиг.15С представляет схему сечения дорожек Т1, Т3,… на фиг.15В. Фиг.15D представляет схему сечения дорожек Т2, Т4,… на фиг.15В. Фиг.15Е представляет схематичную диаграмму, показывающую форму модуляционного распределения лазерного излучения, используемого для создания скрытого изображения, соответствующего дорожкам Т1, Т3,… на фиг.15В. Фиг.15F представляет схематичную диаграмму, показывающую форму модуляционного распределения лазерного излучения, используемого для создания скрытого изображения, соответствующего дорожкам Т2, Т4,… на фиг.15В.

Фиг.16 представляет схему, показывающую конфигурацию нижней поверхности структуры при изменении эллиптичности этой нижней поверхности структуры.

Фиг.17А представляет вид в перспективе, показывающий пример конструкции роликового шаблона, используемого при изготовлении электропроводного оптического прибора. Фиг.17В представляет частично увеличенный вид в плане поверхности роликового шаблона, показанного на фиг.17А.

Фиг.18А представляет схематичный вид в плане, показывающий пример конструкции электропроводного оптического прибора согласно третьему варианту. Фиг.18В представляет частично увеличенный вид в плане электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.18А. Фиг.18С представляет схему сечения дорожек Т1, Т3,… на фиг.18В. Фиг.18D представляет схему сечения дорожек Т2, Т4,… на фиг.18В.

Фиг.19А представляет вид в перспективе, показывающий пример конструкции дискового шаблона, используемого при изготовлении электропроводного оптического прибора. Фиг.19В представляет частично увеличенный вид в плане поверхности дискового шаблона, показанного на фиг.19А.

Фиг.20 представляет блок-схему, показывающую пример конфигурации устройства для экспонирования матрицы дискового шаблона.

Фиг.21А представляет схематичный вид в плане, показывающий пример конструкции электропроводного оптического прибора согласно четвертому варианту. Фиг.21В представляет частично увеличенный вид в плане электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.21А.

Фиг.22А представляет схематичный вид в плане, показывающий пример конструкции электропроводного оптического прибора согласно пятому варианту. Фиг.22В представляет частично увеличенный вид в плане электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.22А. Фиг.22С представляет схему сечения дорожек Т1, Т3,… на фиг.22В. Фиг.22D представляет схему сечения дорожек Т2, Т4,… на фиг.22В.

Фиг.23 представляет частично увеличенный вид в перспективе электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.22А.

Фиг.24А представляет схематичный вид в плане, показывающий пример конструкции электропроводного оптического прибора согласно шестому варианту. Фиг.24В представляет частично увеличенный вид в плане электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.24А. Фиг.24С представляет схему сечения дорожек Т1, Т3,… на фиг.24В. Фиг.24D представляет схему сечения дорожек Т2, Т4,… на фиг.24В.

Фиг.25 представляет частично увеличенный вид в перспективе электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.24А.

Фиг.26 представляет график, показывающий пример характеристики изменения показателя преломления в электропроводном оптическом приборе согласно шестому варианту.

Фиг.27 представляет схему сечения, показывающую пример конфигурации структуры.

Фиг.28А-28С представляют схемы для пояснения определения точки перехода между сегментами кривых.

Фиг.29 представляет схему сечения, показывающую пример конструкции электропроводного оптического прибора согласно седьмому варианту.

Фиг.30 представляет схему сечения, показывающую пример конструкции электропроводного оптического прибора согласно восьмому варианту.

Фиг.31А представляет схему сечения, показывающую пример конструкции сенсорной панели согласно девятому варианту. Фиг.31В представляет схему сечения, показывающую модифицированный пример конструкции сенсорной панели согласно девятому варианту.

Фиг.32А представляет вид в перспективе, показывающий пример конструкции сенсорной панели согласно десятому варианту. Фиг.32В представляет схему сечения, показывающую пример конструкции сенсорной панели согласно десятому варианту.

Фиг.33А представляет вид в перспективе, показывающий пример конструкции сенсорной панели согласно одиннадцатому варианту. Фиг.33В представляет схему сечения, показывающую пример конструкции сенсорной панели согласно одиннадцатому варианту.

Фиг.34 представляет схему сечения, показывающую пример конструкции сенсорной панели согласно двенадцатому варианту.

Фиг.35 представляет схему сечения, показывающую пример конструкции сенсорной панели согласно тринадцатому варианту.

Фиг.36А представляет схему сечения, показывающую первый пример конструкции сенсорной панели согласно четырнадцатому варианту. Фиг.36В представляет схему сечения, показывающую второй пример конструкции сенсорной панели согласно четырнадцатому варианту.

Фиг.37А представляет график, показывающий характеристику коэффициента отражения для примеров 1-3 и сравнительных примеров 1 и 2. Фиг.37В представляет график, показывающий характеристику коэффициента пропускания для примеров 1-3 и сравнительных примеров 1 и 2.

Фиг.38А представляет график, показывающий соотношение между коэффициентом формы и удельным поверхностным сопротивлением в примерах 4-7. Фиг.38В представляет график, показывающий соотношение между высотой структур и удельным поверхностным сопротивлением в примерах 4-7.

Фиг.39А представляет график, показывающий характеристику коэффициента пропускания для примеров 4-7. Фиг.39В представляет график, показывающий характеристику коэффициента отражения для примеров 4-7.

Фиг.40А представляет график, показывающий характеристику коэффициента пропускания для примера 6 и сравнительного примера 4. Фиг.40В представляет график, показывающий характеристику коэффициента отражения для примера 6 и сравнительного примера 4.

Фиг.41А представляет график, показывающий характеристику коэффициента пропускания для примера 4 и сравнительного примера 3. Фиг.41В представляет график, показывающий характеристику коэффициента отражения для примера 4 и сравнительного примера 3.

Фиг.42А представляет график, показывающий характеристику коэффициента пропускания для примеров 8-10 и сравнительного примера 6. Фиг.42В представляет график, показывающий характеристику коэффициента отражения для примеров 8-10 и сравнительного примера 6.

Фиг.43 представляет график, показывающий характеристику коэффициента пропускания для примеров 11 и 12 и сравнительных примеров 7-9.

Фиг.44А представляет график, показывающий характеристику коэффициента пропускания электропроводных оптических пластин для примеров 13 и 14. Фиг.44В представляет график, показывающий характеристику коэффициента отражения электропроводных оптических пластин для примеров 13 и 14.

Фиг.45А представляет график, показывающий характеристику коэффициента отражения для примера 15 и сравнительного примера 10. Фиг.45В представляет график, показывающий характеристику коэффициента отражения для примера 16 и сравнительного примера 11.

Фиг.46А представляет график, показывающий характеристику коэффициента отражения для примера 17 и сравнительного примера 12. Фиг.46В представляет график, показывающий характеристику коэффициента отражения для примера 18 и сравнительного примера 13.

Фиг.47А представляет схему, поясняющую коэффициент заполнения поверхности, когда структуры расположены в соответствии с рисунком гексагональной решетки. Фиг.47В представляет схему, поясняющую коэффициент заполнения поверхности, когда структуры расположены в соответствии с рисунком тетрагональной решетки.

Фиг.48 представляет график, показывающий результаты моделирования для экспериментального примера 3.

Фиг.49А представляет вид в перспективе, показывающий конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для сравнительного примера 14. Фиг.49В представляет схему сечения, показывающую конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для сравнительного примера 14.

Фиг.50А представляет вид в перспективе, показывающий конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для сравнительного примера 15. Фиг.50В представляет схему сечения, показывающую конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для сравнительного примера 15.

Фиг.51А представляет вид в перспективе, показывающий конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для сравнительного примера 16. Фиг.51В представляет схему сечения, показывающую конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для сравнительного примера 16.

Фиг.52А представляет вид в перспективе, показывающий конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для примера 19. Фиг.52В представляет схему сечения, показывающую конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для примера 19.

Фиг.53А представляет вид в перспективе, показывающий конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для примера 20. Фиг.53В представляет схему сечения, показывающую конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для примера 20.

Фиг.54А представляет вид в перспективе, показывающий конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для примера 21. Фиг.54В представляет схему сечения, показывающую конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для примера 21.

Фиг.55А представляет вид в перспективе, показывающий конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для примера 22. Фиг.55В представляет схему сечения, показывающую конструкцию сенсорной панели с резистивной пленкой для примера 22.

Фиг.56 представляет график, показывающий характеристики коэффициента отражения сенсорных панелей с резистивной пленкой для примеров 19 и 20 и сравнительного примера 15.

Фиг.57 представляет схему, поясняющую способ получения средних толщин Dm1, Dm2 и Dm3 пленки прозрачного электропроводного слоя, выполненного на поверхностях структур, каждая из которых является выпуклой.

Описание вариантов изобретения

Далее различные варианты будут рассмотрены в следующем порядке со ссылками на чертежи.

1. Первый вариант (пример, в котором структуры расположены вдоль прямой линии и двумерно в соответствии с рисунком гексагональной решетки: см. фиг.1)

2. Второй вариант (пример, в котором структуры расположены вдоль прямой линии и двумерно в соответствии с рисунком тетрагональной решетки: см. фиг.15)

3. Третий вариант (пример, в котором структуры расположены двумерно по дуге и в соответствии с рисунком гексагональной решетки: см. фиг.18)

4. Четвертый вариант (пример, в котором структуры расположены вдоль извилистой линии: см. фиг.21)

5. Пятый вариант (пример, в котором выпуклые структуры расположены на поверхности подложки: см. фиг.22)

6. Шестой вариант (пример, в котором характеристика показателя преломления имеет S-образную форму: см. фиг.24)

7. Седьмой вариант (пример, в котором структуры выполнены на обеих главных поверхностях электропроводного оптического прибора: см. фиг.29)

8. Восьмой вариант (пример, в котором структуры, обладающие прозрачностью и электропроводностью, расположены на прозрачном электропроводном слое: см. фиг.30)

9. Девятый вариант (пример применения сенсорной панели с резистивной пленкой: см. фиг.31)

10. Десятый вариант (пример, в котором на поверхности касания сенсорной панели выполнен слой твердого покрытия: см. фиг.32)

11. Одиннадцатый вариант (пример, в котором на поверхности касания (сенсорной поверхности) сенсорной панели выполнен поляризатор или передняя панель: см. фиг.33)

12. Двенадцатый вариант (пример, в котором структуры расположены на периферийном участке сенсорной панели: см. фиг.34)

13. Тринадцатый вариант (пример внутренней сенсорной панели: см. фиг.35)

14. Четырнадцатый вариант (пример применения сенсорной панели емкостного типа: см. фиг.36)

1. Первый вариант

Конструкция электропроводного оптического прибора

Фиг.1А представляет схематичный вид в плане, показывающий пример конструкции электропроводного оптического прибора согласно первому варианту. Фиг.1В представляет частично увеличенный вид в плане электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.1А. Фиг.1C представляет схему сечения дорожек T1, T3,… на фиг.1В. Фиг.1D представляет схему сечения дорожек Т2, Т4,… на фиг.1В. Фиг.1Е представляет схематичную диаграмму, показывающую форму модуляционного распределения лазерного излучения, используемого для создания скрытого изображения, соответствующего дорожкам T1, T3,… на фиг.1В. Фиг.1F представляет схематичную диаграмму, показывающую форму модуляционного распределения лазерного излучения, используемого для создания скрытого изображения, соответствующего дорожкам Т2, Т4,… на фиг.1В. Фиг.2 и 4-6 каждый представляют частично увеличенный вид в перспективе электропроводного оптического прибора 1, показанного на фиг.1А. Фиг.3А представляет схему сечения электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.1А, в продольном направлении дорожек (направление Х (далее именуемое просто «направление дорожек», где это удобно)). Фиг.3В представляет схему сечения электропроводного оптического прибора, показанного на фиг.1А, в направлении 9.

Электропроводный оптический прибор 1 включает подложку 2, имеющую главные поверхности, противоположные одна другой, несколько выпуклых структур 3, расположенных на одной из главных поверхностей с малым шагом, не превышающим длину волны света, для предотвращения отражения, и прозрачный электропроводный слой 4, выполненный поверх структур 3. Кроме того, для уменьшения удельного поверхностного электрического сопротивления предпочтительно дополнительно создать металлическую пленку (электропроводную пленку) 5 между структурами 3 и прозрачным электропроводным слоем 4. Этот электропроводный оптический прибор 1 имеет функцию предотвращения отражения света, проходящего сквозь подложку 2 в направлении Z на фиг.2, на границе между структурами 3 и окружающим воздухом.

Далее, подложка 2, структуры 3, прозрачный электропроводный слой 4 и металлическая пленка 5, включенные в состав электропроводного оптического прибора 1, будут рассмотрены последовательно.

Коэффициент формы структур 3 (высота Н/средний шаг Р расположения) предпочтительно лежит в пределах 0,2-1,78, более предпочтительно - в пределах 0,2-1,28 и еще более предпочтительно - в пределах 0,63-1,28. Средняя толщина пленки прозрачного электропроводного слоя 4 предпочтительно составляет не меньше 9 нм и не больше 50 нм. Если коэффициент формы структур 3 становится меньше 0,2, а средняя толщина пленки прозрачного электропроводного слоя 4 превышает 50 нм, то, поскольку вогнутые участки между соседними структурами 3 оказываются заполнены прозрачным электропроводным слоем 4, появляется тенденция к деградации антиотражательных характеристик и характеристик прозрачности. С другой стороны, если коэффициент формы структур 3 превышает 1,78 и средняя толщина пленки прозрачного электропроводного слоя 4 оказывается меньше 9 нм, то, поскольку наклонные поверхности каждой из структур 3 становятся крутыми и средняя толщина пленки прозрачного электропроводного слоя 4 становится небольшой, удельное поверхностное электрическое сопротивление растет. Иными словами, когда коэффициент формы и средняя толщина пленки находятся в указанных выше числовых пределах, можно получить превосходные антиотражательные характеристики и характеристики прозрачности, равно как и величину удельного поверхностного электрического сопротивления в широком диапазоне (например, не меньше 100 Ом/□ и не больше 5000 Ом/□). Здесь в качестве средней толщины пленки прозрачного электропроводного слоя 4 принимают среднюю толщину Dm1 в области вершин структур 3.

Если среднюю толщину пленки прозрачного электропроводного слоя 4 в области вершины структуры 3 обозначить Dm1, среднюю толщину пленки прозрачного электропроводного слоя 4 на наклонной поверхности структуры 3 обозначить Dm2 и среднюю толщину пленки прозрачного электропроводного слоя 4 между соседними структурами обозначить Dm3, тогда предпочтительно, чтобы выполнялось соотношение D1>D3>D2. Средняя толщина Dm2 пленки на наклонной поверхности структуры 3 предпочтительно составляет не меньше 9 нм и не больше 30 нм. Когда средние толщины Dm1, Dm2 и Dm3 пленки прозрачного электропроводного слоя 4 удовлетворяют приведенному выше соотношению, а средняя толщина Dm2 пленки прозрачного электропроводного слоя 4 лежит в пределах указанного выше числового диапазона, можно получить превосходные антиотражательные характеристики и характеристики прозрачности, равно как и величину удельного поверхностного электрического сопротивления в широком диапазоне. Следует отметить, что факт удовлетворения средних толщин Dm1, Dm2 и Dm3 пленки приведенному выше соотношению можно проверить и подтвердить, определив каждую из этих средних толщин Dm1, Dm2 и Dm3 пленки, как будет описано позднее.

Предпочтительно, чтобы поверхность прозрачного электропроводного слоя 4 следовала форме структур 3 и чтобы средняя толщина Dm1 пленки этого прозрачного электропроводного слоя 4 в области вершины структуры 3 составляла не менее 5 нм и не более 80 нм. Следует отметить, что средняя толщина Dm1 пленки прозрачного электропроводного слоя 4 в области вершины структуры 3 по существу совпадает с приведенной толщиной пленки на плоской поверхности. Приведенная толщина пленки на плоской поверхности представляет собой толщину пленки, полученную при формировании прозрачного электропроводного слоя 4 на плоской поверхности в таких же условиях, в каких этот прозрачный электропроводный слой 4 формируют на структурах.

Для получения превосходных антиотражательных характеристик и характеристики прозрачности, равно как и величины удельного поверхностного электрического сопротивления в широком диапазоне, средняя толщина Dm1 пленки в области вершины структуры 3 предпочтительно должна быть не меньше 25 нм и не больше 50 нм, средняя толщина Dm2 пленки на наклонной поверхности структуры 3 предпочтительно должна быть не меньше 9 нм и не больше 30 нм и средняя толщина Dm3 пленки между соседними структурами предпочтительно должна быть не меньше 9 нм и не больше 50 нм.

Фиг.57 представляет схему, поясняющую способ получения средних толщин Dm1, Dm2 и Dm3 пленки прозрачного электропроводного слоя, выполненного на поверхностях структур, каждая из которых является выпуклой. Далее этот способ получения средних толщин Dm1, Dm2 и Dm3 пленки будет описан.

Сначала электропроводный оптический прибор 1 прорезают в продольном направлении дорожек, чтобы включить области вершин структур 3 в зону резания, и фотографируют полученное сечение посредством просвечивающего электронного микроскопа (ТЕМ). Затем по полученной на электронном микроскопе фотографии измеряют толщину D1 пленки прозрачного электропроводного слоя 4 в области вершины структуры 3. Далее измеряют толщину D2 пленки в точках на наклонной поверхности структуры 3 на уровне половины высоты (Н/2) этой структуры 3. В последующем измеряют толщину D3 пленки в точке, где глубина вогнутого участка между структурами оказывается наибольшей. Затем эти толщины D1, D2 и D3 повторно измеряют в 10 разных точках, выбранных случайным образом на электропроводном оптическом приборе 1, и измеренные величины D1, D2 и D3 просто усредняют (находят арифметическое среднее) для получения значений средних толщин Dm1, Dm2 и Dm3 пленки.

Удельное поверхностное электрическое сопротивление прозрачного электропроводного слоя 4 предпочтительно составляет не менее 100 Ом/□ и не более 5000 Ом/□, и более предпочтительно - не менее 270 Ом/□ и не более 4000 Ом/□. Если установить это удельное поверхностное электрическое сопротивление в таких пределах, электропроводный оптический прибор 1 можно использовать в качестве верхнего или нижнего электрода в сенсорных панелях различных типов. Здесь удельное поверхностное электрическое сопротивление прозрачного электропроводного слоя 4 измеряют способом четырех точек (JIS К 7194).

Средний шаг Р расположения структур 3 должен быть предпочтительно не меньше 180 нм и не больше 350 нм, более предпочтительно - не меньше 100 нм и не больше 320 нм и еще более предпочтительно - не меньше 110 нм и не больше 280 нм. Если шаг расположения структур оказывается меньше 180 нм, изготовление таких структур 3 становится затруднительным. С другой стороны, если шаг расположения структур превышает 350 нм, возможно проявление дифракции видимого света.

Высота (глубина) Н структуры 3 должна быть предпочтительно не менее 70 нм и не более 320 нм, более предпочтительно - не менее 110 нм и не более 320 нм и еще более предпочтительно - не менее 110 нм и не более 280 нм. Если высота структуры 3 становится меньше 70 нм, коэффициент отражения увеличивается. Если высота структуры 3 превышает 320 нм, реализация заданной величины электрического сопротивления становится затруднительной.

Подложка

Подложка 2 представляет собой прозрачную подложку. Примерами материалов для изготовления подложки 2 являются пластмасса, обладающая прозрачностью, и материал, содержащий стекло в качестве основного компонента, хотя выбор возможных материалов этим не ограничивается.

В качестве стекла можно использовать, например, известково-натриевое стекло, свинцовое стекло, тугоплавкое стекло, кварцевое стекло и смарт-стекло (жидкокристаллическое стекло) (см. «Справочник химика», Введение, стр.1-537, Японское химическое общество ("Chemistry Handbook" Introduction, P.I-537, The Chemical Society of Japan)). В качестве пластмассы с учетом оптических характеристик, таких как прозрачность, показатель преломления и дисперсия, а также различных прочих характеристик, таких как ударная прочность, термостойкость и износостойкость, предпочтительно использовать (мета)акриловые полимерные смолы, такие как полиметилметакрилат, сополимер метилметакрилата и другого алкилакрилата или винилового мономера, например стирола; поликарбонатные полимерные смолы, такие как поликарбонат и диэтиленгликоль-бис-аллил карбонат (CR-39); термоотверждаемые (мета)акриловые полимерные смолы, такие как гомополимер и сополимер ди(мета)акрилата (бромированного) бисфенола А, и полимер или сополимер модифицированного уретаном мономера (бромированного) бисфенол А моно(мета)акрилата; полиэфирные смолы, в частности полиэтилентерефталат, полиэтиленнафталат и ненасыщенный полиэфир, акрилонитрил-стирольный сополимер, поливинилхлорид, полиуретан, эпоксидная смола, полиарилат, полиэфирсульфон, полиэфиркетон, циклоолефиновый полимер (название продукта: ARTON, ZEONOR®). Кроме того, с точки зрения термостойкости можно использовать арамидную полимерную смолу.

При использовании пластмассы в качестве материала для подложки 2 на поверхность подложки может быть нанесен подслой для дополнительного улучшения поверхностной энергии, качества наносимого покрытия, свойств скольжения, плоскостности и других характеристик поверхности пластмассы. В качестве материала для такого подслоя можно использовать, например, органоалкокси-соединение металла, полиэфир, модифицированный акрилом полиэфир или полиуретан. Более того, для достижения такого же эффекта, как и в случае нанесения подслоя, поверхность подложки 2 может быть обработана коронным разрядом или подвергнута ультрафиолетовому облучению.

Когда подложка 2 представляет собой полимерную пленку, такую подложку 2 можно изготовить способом вытягивания полимерных смол, перечисленных выше, или посредством растворения таких полимерных смол в растворителе, нанесения полученного раствора в виде пленки и высушивания этой пленки. Кроме того, толщина подложки 2 может составлять, например, от 25 мкм до 500 мкм.

Возможные примеры конфигурации подложки 2 включают формы листа, пластины или блока, одна этими примерами выбор не ограничивается. Используемый здесь лист включает также пленку. Конфигурацию подложки 2 предпочтительно выбирать на основе конфигурации участка, который должен иметь заданные антиотражательные свойства, в оптическом устройстве, таком как видеокамера.

Структура

На поверхности подложки 2 находятся большое количество выпуклых структур 3. Эти структуры 3 расположены в виде периодической двумерной системы с шагом, не превышающим длину волны излучения в диапазоне, в котором нужно подавить отражение. Здесь такой шаг расположения структур будет обозначен как шаг Р1 и шаг Р2. В качестве диапазона длин волн, где нужно подавить отражения, может фигурировать ультрафиолетовый диапазон, видимый диапазон или инфракрасный диапазон. Здесь под ультрафиолетовым диапазоном понимают диапазон длин волн от 10 нм до 360 нм, под видимым диапазоном понимают диапазон длин волн от 360 нм до 830 нм и под инфракрасным диапазоном понимают диапазон длин волн от 830 нм до 1 мм. В частности, шаг расположения структур предпочтительно должен быть не менее 180 нм и не более 350 нм и более предпочтительно - не менее 190 нм и не более 280 нм. Если шаг расположения структур оказывается меньше 180 нм, изготовление таких структур 3 становится затруднительным. С друго