Полупроводникового прибора

Полупроводникового прибора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

25393!

ОПИСАНИЕ

ИЗО6РЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистическиа

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 17.IV.1968 (№ 1233890/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 19.1.1972. Бюллетень ¹ 4

Дата опубликования описания 17.111.19.2

М. Кл. H О11 I j00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

УДК 621.314,632 (088.8) .iдпо "! I:,I

Д. П, Ловцов, Э. К. Белебашев, Е. В. Кук, В. M. Рюмш цв,1.,,:",,",,3 . " " и А. H. Думаневич ,1

:д Ф М

Авторы изобретения

Заявитель

КОРПУС СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Изобретение относится к изготовлению силовых полупроводниковых приборов, а именно к способу присоединения термокомпенсатора к основанию прибора.

В силовых полупроводниковых приборах нижний вольфрамовый термокомпенсатор соединяется с медным основанием плоским швом из мягкого припоя. Однако в материале припоя обнару>киваются многочисленные несплошпости усадочного и газового происхо>кдения.

Отношение площади, занятой пустотами, к общей площади контакта обычно составляет

30 — 70%. При значительном количестве пор тепловое сопротивление прибора оказывается завышенным, температура внутри прибора так>ке повышается, что создает более жесткие условия для его работы. При таком паяном соединении невозможно избежать усадочных раковин, поскольку при пайке кристаллизация припоя идет от периферии к центру шва. Прп этом затрудняется и выход газов наружу.

При циклической работе прибора в режиме включено-выключено в материале шва накапливаются структурные изменения, обусловленные переменными напряжениями, что приводит к усталостному разрушению паяного соединения после определенного числа циклов.

Микроскопический анализ начальной, стадии разрушения и внешний внд разрушенных контактов свидетельствуют о том, что разрушение припоя начинается на периферии шва и развивается к его центру, постепенно сокращая площадь, через которую отводится тепло. Кон5 такт полностью нарушается при оплавлении участка в середине шва, когда температура внутри прибора резко возрастает. Развитие процесса термической усталости можно затормозить, снизив напря>кения среза на псрифе10 рни паяного соед1шения, что возможно, если увеличить здесь толщ ну припоя.

С целью снижения теплового сопротивления прибора, улучшения качества пайки и повыше15 ния циклоустойчивости прибора предлагается кристаллодержатель выполнять в месте установки тсрмокомпенсирующсго диска в ьиде усе,!енного конуса, а по Осн снабдить каналом для подвода охлаждающей жидкости.

20 На чертеже дано одно из конкретных выполнений крпсталлодержателя, 137 1 — крнсталлодержатель, 2 — термокомненсilðóI01öllé диск, > — I

25 середины шва к его периферии, что приводит к сосредоточению пустот в массе припоя вне площади контакта. Увеличение толщины шва на его периферии приводит к увеличению сро1(3 с. l >I á I приоора 1>pll токовы . цнк lичсс1 11х

30 и агрузках.

253931

Предмет изобретения

Составитель Г. Корнилова

Рсдактор A. Калашникова Техред 3. Тараненко

Корректор Т, Миронова

Заказ 634/2 Изд. Мв 254 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Корпус силового полупроводникового прибора, содержащий кристаллодержатель и установленный на нем термокомпенсирующий диск, отличающийся тем, что, с целью снижения теплового сопротивления прибора и повышения его циклоустойчивости, в месте установки термо компенсирующего диска кристаллодержатель выполнен в виде усеченного конуса и снабжен по оси каналом для подвода охлаждающей жидкости.