Способ изготовления полупроводниковогоприбора

Способ изготовления полупроводниковогоприбора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

фР r. фуесоюзнан

П 1в.у1уоеф, х. и.ческая

О П И"б"Ж ЙОГЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 06Х.1966 (№ 1074403,26-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 08 V.1970. Бюллетень ¹ 16

Дата опубликования описания 1.IX.1970

Кл. 21g, 11 02

Комитет по делом изобретений и открытий прн Совете Министров

СССР.ЧПК Н 011

УДК 621.382,002(088.8) Автор изобретения

Г. M. Ткаченко

Рижский приборостроительный завод

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ПРИБОРА

Уже известны способы повышения пробивных напряжений полупроводниковых приборов, например германиевых конверсионных транзисторов, путем создания структуры типа и — i — р на протяжении всего коллекторного перехода (приборы П607-П609А и 1Т321).

С этой целью на кристаллы германия, обработанные в парах сурьмы в присутствии меди, со стороны эмиттера методом вакуумного испарения при вакууме — 10 4 нл pT. cT. и комнатной температуре подложки наносят пленку олова, При вплавлении эмиттера медь под эмиттерным электродом экстрагируется в расплав, и вне эмиттера — в пленку олова. Полученный таким образом слой повышенного сопротивления обеспечивает достаточно высокие пробивные напряжения коллектор — база — U „,6 .

Описанный способ имеет существенный недостаток, заключающийся в длительном рассасывании импульса тока коллектора тр, так как при экстракции меди увеличивается «время жизни» неравновесных носителей в пассивной области базы. Геометрические размеры приборов П607-П609А и IT321 обеспечивают довольно низкое значение т, соответствующее требованиям T> . Примененйе же данного способа в производстве приборов П605-П606Л приводит к увеличению тр в 1,5 — 2 раза, что выходит за пределы требований ТУ.

Предлагаемый спосзб позволяет получить высокие пробивные .напряжения и улучшить импульсные свойства прибора. Согласно этому способу на поверхпссть германия одновременно с оловом наносят до 10ф> никеля.

С целью создания структ .ры. близкой к !

2 — i — p, HB протяжении всего коллекторного перехода на поверхность кристаллов германия, обработанных в парах сурьмы в присутствии меди, с эмпттерной стороны наносят пленку сплава олово-никель (% до 10% ).

Технология нанесения пленки соответствует описанной выше.

15 Толщина пленки 200 — 1000 А.

Эмпттерньш электрод вплавляют на печи дискретного хода прн 740 — 800 Ñ в течение

8 — 15 лин в атмосфере водорода. Коллекторный сплав вплавляют при 500 С в течение 2—

20 3 лин, Существенного влияния на полученную ранее структуру эта операция не оказывает.

На чертеже изображен разрез кристалла германия после вплавленпя эмиттерного электрода.

Прн вплавленнн эмнттерного электрода 1 происходит экстракцня меди эмиттерным сплавом п пленкой олова, г. е. удаляется примесь высокой растворимости и под и слоем 2 обраЗО зуется слой 8 повышенного сопротивления.

253933

Предмет изобретения

Составитель М. Лепешкина

Техрсд 3. Н. Тараненко 1(орректор H. А. Митрохина

Редактор Б. Федотов

Зякяя 2325 б Тирах« 480 Подписное

ЦИИИПИ Koi»kreis "o дспаги изобретений и открь:тий прп Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Рауп1скап няб., д. 4/Б

Типография, пр. Сап „нова, 2

Таким образом на протяжении всего коллекторного перехода образуется структура, близкая к и — — р.

При удалении из германия меди увеличивается «время жизни» носителей тока, что приВОдит к $ худшению импульсных свойстВ транзистора — увеличивается тр. klo одновременно с экстракцией меди происходит диффузия никеля из сплава Ьп%. Обладая меньшей растворимостью в германии, по сравнению с медью, никель не вносит существенного вклада В электропроводность слоч повышенного сопротивления, однако, создавая дополнительные уровни рекомбинации уменьшает «время жизни» носителей тока.

При применении предлагаемого способа з производстве транзисторов П605-П606А значения пробивных напряжений коллектор-база

U,.6 повышаются в среднем с 50 — 55 до 70—

95 в при достаточно низких значениях тр, с большим запасом удовлетворяющих требования ТУ. Кроме того, значительно повышается напряжение на коллекторе, при котором коэффициент усиления по току меньше единицы (а < 1), уменьшаются емкость коллектора С, и постоянная времени Z; а также значи5 тельно увеличивается мощность рассеиваНИ Я Р ряс .

10 Способ изготовления полупроводникового прибора, например германиевого конверсионного транзистора, путем создания структуры типа п — i — р на протяжении всего коллекторного перехода нанесением на кристаллы

1б германия, обработанные в парах сурьмы в присутствии меди, со стороны эмиттера пленки олова с последующим вплавлением эмиттерного электрода, отличающиЛ ся тем, что, с целью получения высоких пробивных напря20 жений и улучшения импульсных свойств, одновременно с оловом на поверхность германия наносят никель в количестве до 10о о.