Лучевой прибор м-типа

Лучевой прибор м-типа

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

253940

Сома Советских

Социалистических республик

1 г ( (1 !

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 25.VI,1968 (№ 1249960/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 07.Х.1969. Бюллетень _#_ 31

Дата опубликования описания З.III.1970

Кл. 21д, 13,/17

МПК Н 011

УДК 621.385.632.2 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Л. М. Лагранский, И. А. Паньков, П. Я. Чигиринский

Заявитель

ЛУЧЕВОЙ ПРИБОР М-ТИПА

Изобретение относится к приборам СВЧдиапазона, работающим со скрещенными электрическим и магнитным полями прямой илн обратной волны и с инжектированным электронным потоком.

Характерная особенность высокочастотного взаимодействия электронного потока с полем замедленной волны для таких приборов заключается в том, что электроны, попадающие в тормозящую фазу ВЧ-поля, отдают свою потенциальную энергию полю волны и перемещаются к замедляющей системе. Электроны, попадающие в ускоряющую фазу (неправильнофазные), отбирают энергию волны и перемещаются к отрицательному электроду.

Цель изобретения — обеспечение более эффективного, чем у известных приборов, использования неправильнофазных электронов в пространстве взаимодействия путем введения в плоскости, перпендикулярной электрическим силовым линиям, магнитного шунта в виде пластины из ферромагнитного материа ла, обеспечивающего создание поперечной неоднородности магнитного поля вблизи отрицательного электрода.

Если между плоскостью отрицательного электрода и плоскостью влета электронного потока изменить величину магнитного поля, то дрейфовая скорость неправильнофазных электронов изменится, что обеспечивает быстрый переход нх в благоприятную фазу волны.

На чертеже приведен предлагаемый лучевой прибор со скрещенными полями, в котором для изменения величины магнитного поля нспольз) ется протяженный мапштный шунт 1, расположенный вблизи отрицательного электрода 2. Электронный поток, сформированный

10 пушкой 8, направляется в пространство взаи»одействия, образованное замедляющей системой 4 и отрицательным электроном 2. В результате высокочастотного взаимодействия правильнофазные электроны отдают свою по15 тенциальную энергию и садятся на замедляющую систему 4. Неправильнофазные электроны перемещаются в сторону отрицательного электрода и попадают в область с меньшей величиной магнитного поля В,. Скорость элек20 тронов в этой области увеличивается, и они быстро переходят в тормозящую фазу волны. Отдавая свою энергию ВЧ-полю, эти электроны переходят на более высокие эквнпотенциалы и попадают в ту часть простран25 ства взаимодействия. где величина магнитного поля равна номинальной Вс, а дрейфовая скорость электронов, определяемая отношеннЕ

e» —, равна фазовой скорости взанмодейВ0

30 ствующей гармоники. В результате меньшая

253940

Составитель Е. Л. Балабан

Редактор Т. 3. Орловская Тсхред Л. В. Куклина Корректор Г. С. Мухина

Заказ 387/16 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб.. д, 4/б

Типография, пр, Сапунова, 2 часть неправильнофазных электронов достигает коллектора 5.

Очевидно, что описанная конструкция будет не менее эффективна в лучевых генераторах обратной волны М-типа, поскольку интенсивное ВЧ-поле на входе пучка в пространство взаимодействия создаст значительное пространственное разделение правильно- и нсправильнофазных электронов.

Для предотвращения насыщения мапштного шунта необходимо, чтобы расстояние между полюсньп|и наконечниками (величина магнитного зазора) было больше, чем ширшга шунта вдоль силовой линии магнитного поля.

Последнее может привести к увеличению всса магнита, но это не во всех случаях является принципиальным.

Предмет изобретения

Лучевой прибор М-типа с поперечной неоднородностью магнитного поля, содержащий электронную пушку. пространство взаимодействия, образованное замедляющей системой и отрицательным электродом, коллектор, от10 ги гаюгггийся тем, что, с целью повышения мощности, в прибор введена пластина из ферромагнитного материала, расположенная вне пространства взаимодействия со стороны отрицательного электрода параллельно послед15 нему