Керамический материал для изготовления оснований непроволочных резисторов

Керамический материал для изготовления оснований непроволочных резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

7327

Союз Советских

Социалистических

Республик

80Ь, 8/07

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

К С 04b 666.638(088.8) Авторы изобрения

Н. П. Богородицкий, Г. К. Кириллова и Н. Л. Полякова

Заявитель

КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ОСНОВАНИЙ НЕПРОВОЛОЧНЪ|Х РЕЗИСТОРОВ

Предмет изобретения

Для изготовления оснований непроволочных (например, углеродистых) резисторов используют керамический материал, содержащий в следующих количествах в вес. %:

SiO2 55 — 68; А120з 21 — 34; ВаО 1,5 — 8;

СаО и MgO 0,2 — 2,0; Na O и К20 0,7 — 1,7.

Предложенный материал отличается от известного тем, что содержит (в вес. %): SiO.

42 — 46; А120з 46 — 50; ВаО 6 — 7; NgO не более

1,5 и, кроме того, в него введена ВвОз не более

1,5. Это позволяет расширить интервал спекания и обеспечивает стабилизацию электрических констант.

Введение окиси бора (ашарита) способствует очистке керамики от щелочной фазы, а отсутствие кварца в составе керамического материала обеспечивает высокое качество шлифованной поверхности. Детали, изготовленные пз описываемого материала, спекаются в широком интервале температур от 1280 до

1380 С, сохраняя при этом высокие электрические и физико-механические свойства.

Керамический материал для изготовления

10 оснований непроволочных резисторов, включающий ЯО., A120,, ВаО, Ч О, отличающийся тем, что, с целью расширения интервала спекания и стабилизации электрических констант, он содержит указанные компоненты в следую15 щих количествах, в вес. 0/0. SiO 42 46, А1вОз

46 — 50; ВаО 6 — 7; 4lgO не более 1,5 и, кроме того, в него введена В Оз не более 1,5.