Электронный компонент и электронное устройство

Электронный компонент и электронное устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к конструкции модуля электронного компонента, содержащего электронное устройство.

Уровень техники

Устройства для съемки изображений, содержащиеся в системах съемки изображений, например, камеры, обычно испытывают воздействие магнитного поля, формируемого по различным причинам. Когда на устройство для съемки изображений, содержащееся в упомянутой системе съемки изображений, находится под воздействием магнитного поля, в изображениях формируется шум, и качество изображений может снижаться.

В японской патентной публикации № 11-284163 раскрыта конфигурация, в которой противодействующее магнитное поле, соответствующее внешнему магнитному полю, создается индуцированным током, формирующимся в проводящем контуре, и в которой внешнее магнитное поле компенсируется упомянутым противодействующим магнитным полем. В японской патентной публикации № 2003-101042 раскрыто оптическое полупроводниковое устройство, содержащее металлический элемент рамки, выполненный из металлического материала, например, железоникелекобальтового сплава или железоникелевого сплава. В японской патентной публикации № 2008-245244 раскрыт модуль элемента для съемки изображения, содержащий опорный элемент, к которому прикреплен элемент основного участка, выполненный из отожженного керамического материала, и крепежный элемент, выполненный из ковара.

Противодействующее магнитное поле на основе индуцированного тока, описанное в японской патентной публикации № 11-284163, формируется только в непосредственной близости контура. Поэтому, в устройстве для съемки изображений, содержащем участок приема изображений большой площади, который предпочтителен для получения высокого качества изображений, невозможно достаточно ослабить магнитное поле, приложенное к устройству для съемки изображений. Соответственно, настоящее изобретение предлагает электронный компонент, в котором подавляется шум, формируемый в электронном устройстве, например в устройстве для съемки изображений.

Раскрытие изобретения

В соответствии с аспектом настоящего изобретения, электронный компонент содержит электронное устройство, при этом плоскость, которая расположена между передней поверхностью и задней поверхностью электронного устройства и продолжается через боковую поверхность электронного устройства, но не продолжается через переднюю поверхность или заднюю поверхность, определяется как базовая плоскость. Электронный компонент содержит покрывающий элемент, который предусмотрен со стороны передней поверхности от базовой плоскости, и который перекрывает электронное устройство в направлении, перпендикулярном к базовой плоскости, основной элемент, который предусмотрен со стороны задней поверхности от базовой плоскости, и к которому электронное устройство прикреплено связующим материалом, ферромагнитный элемент, который предусмотрен со стороны передней поверхности от базовой плоскости и расположен снаружи области, которая перекрывает электронное устройство в направлении, перпендикулярном к базовой плоскости, и проводник, который предусмотрен со стороны задней поверхности от базовой плоскости, и который перекрывает электронное устройство в направлении, перпендикулярном к базовой плоскости.

Дополнительные признаки настоящего изобретения станут очевидными из нижеследующего описания примерных вариантов осуществления со ссылкой на сопровождающие чертежи.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 - схематическое представление примерного электронного устройства.

Фиг. 2A - 2C - схематические представления магнитных полей, прилагаемых к электронному компоненту.

Фиг. 3 - схематический вид в плане примерного электронного устройства.

Фиг. 4A и 4B - схематические виды в плане примерного электронного компонента.

Фиг. 5A и 5B - схематические сечения примерного электронного компонента.

Фиг. 6A и 6B - схематические сечения примерного электронного компонента.

Фиг. 7 - схематическое перспективное изображение с пространственным разделением компонентов примерного электронного компонента.

Фиг. 8A-8D - схематические представления примерного электронного компонента.

Фиг. 9A и 9B - схематические представления примерного электронного компонента.

Фиг. 10A и 10B - схематические представления примерного электронного компонента.

Фиг. 11A и 11B - схематические представления примерного электронного компонента.

Осуществление изобретения

Ниже дано описание варианта осуществления настоящего изобретения со ссылкой на чертежи. На чертежах похожие компоненты обозначены одинаковыми ссылочными позициями, и описания данных компонентов не будут представлены для каждого чертежа. На каждом чертеже показаны направления X, Y и Z.

Сначала будет приведено описание конструктивной схемы в соответствии с вариантом осуществления. На фиг. 1 представлен вид в плоскости X-Y и сечение в плоскости X-Z, показывающие взаимно относительное положение компонентов, содержащихся в электронном компоненте 100. Электронный компонент 100 содержит электронное устройство 10 и ферромагнитный элемент 44. Электронный компонент 100 может дополнительно содержать основной элемент 20 и покрывающий элемент 30. Электронный компонент 100 может дополнительно содержать проводник 88, который подробно описан ниже. На виде в плане основной элемент 20, покрывающий элемент 30 и проводник 88 показаны только контурами. На сечении основной элемент 20 не показан. Описание конкретной формы основного элемента 20 приведено ниже.

Электронное устройство 10 содержит основной участок 1, который выполняет основную функцию. Электронное устройство 10 является элементом пластинчатой формы, имеющим переднюю поверхность 101, заднюю поверхность 102 и боковые поверхности 105. Электронное устройство 10 прикреплено к основному элементу 20. На виде в плане на фиг. 1 показан только контур основного элемента 20. Покрывающий элемент обращен к электронному устройству 10. Задняя поверхность 102 электронного устройства 10 служит установочной поверхностью, которая фиксируется на основном элементе 20 другими элементами. На фиг. 1 показана базовая плоскость RP, которая является воображаемой плоскостью, которая расположена между передней поверхностью 101 и задней поверхностью 102 и продолжается через боковые поверхности 105. Таким образом, базовая плоскость RP не продолжается через переднюю поверхность 101 и заднюю поверхность 102. Передняя поверхность 101 находится с одной стороны (стороны FS передней поверхности) от базовой плоскости RP, и задняя поверхность 102 находится с другой стороны (стороны BS задней поверхности) от базовой плоскости RP. Базовая плоскость RP продолжается в направлениях X и Y, и направление, перпендикулярное к базовой плоскости RP, является направлением Z. В случае, когда электронное устройство 10 является полупроводниковым устройством, базовая плоскость RP может быть задана, для удобства, на границе раздела между полупроводниковым слоем и изолирующим слоем.

Как показано на сечении, ферромагнитный элемент 44 находится со стороны FS передней поверхности 101 электронного устройства 10 относительно базовой плоскости RP. В приведенном примере ферромагнитный элемент 44 продолжается к стороне BS задней поверхности 102 электронного устройства 10 относительно базовой плоскости RP. Как показано в сечении, ферромагнитный элемент 44 окружает по меньшей мере одно из (1) области SR между электронным устройством 10 и покрывающим элементом 30 и (2) электронного устройства 10 (и то и другое в примере, представленном на фиг. 1). Как следует из вида в плане, ферромагнитный элемент 44 может быть элементом в форме рамы (элементом рамки). В приведенном примере ферромагнитный элемент 44 является элементом пластинчатой формы, имеющим ширину W больше своей толщины T. Однако, в качестве альтернативы, ферромагнитный элемент 44 может быть элементом трубчатой формы, имеющим толщину T больше своей ширины W. В рассматриваемом случае, толщина является размером ферромагнитного элемента 44 в направлении Z, которое является направлением, перпендикулярном главным поверхностям (передней поверхности 101 и задней поверхности 102) электронного устройства 10. Ширина W является размером ферромагнитного элемента 44 в плоскости, продолжающейся в направлениях X и Y, которые являются направлениями, параллельными главным поверхностям (передней поверхности 101 и задней поверхности 102) электронного устройства 10. Ширина ферромагнитного элемента 44, который является элементом рамки, равна расстоянию между внешним краем и внутренним краем элемента рамки. По меньшей мере участок ферромагнитного элемента 44 расположен в области BR ортогональной проекции основного элемента 20. В приведенном примере ферромагнитный элемент 44 продолжается в области снаружи области BR ортогональной проекции основного элемента 20. Ниже приведено описание области ортогональной проекции. Область ортогональной проекции некоторого элемента является областью, на которую элемент проецируется в направлении Z, которое является направлением, перпендикулярным базовой плоскости RP. В отношении взаимного расположения между двумя произвольными элементами (например, первого и второго элементов), когда по меньшей мере участок первого элемента находится в области ортогональной проекции второго элемента, это означает, что первый и второй элементы перекрываются в направлении Z. Другими словами, когда по меньшей мере участок первого элемента находится в области ортогональной проекции второго элемента, то можно сказать, что первый элемент перекрывает второй элемент в направлении Z. И, наоборот, когда по меньшей мере участок первого элемента находится снаружи области ортогональной проекции второго элемента, то можно сказать, что по меньшей мере участок первого элемента находится в области, которая не перекрывает второй элемент. Например, участок покрывающего элемента 30, который обращен к электронному устройству 10, находится в области DR, которая перекрывает электронное устройство 10 в направлении Z. Область DR является областью ортогональной проекцией области электронного устройства 10. Границы между внутренней стороной и наружной стороной области ортогональной проекции некоторого элемента, соответствуют внешним и внутренним краям элемента, которые определяют контур элемента (возможна ситуация, в которой внутренний край отсутствует).

Ферромагнитный элемент 44 может быть магнитно-мягким элементом, а не магнитно-жестким элементом. Данный выбор обусловлен тем, что, хотя ферромагнитный элемент 44 способен ослаблять внешнее магнитное поле, прикладываемое к электронному устройству 10, однако не желательно, чтобы ферромагнитный элемент 44 сам был источником магнитного поля.

Как изложено выше, электронный компонент 100 может дополнительно содержать проводник 88. По меньшей мере, участок проводника 88 находится в области DR ортогональной проекции электронного устройства 10. Проводник 88 продолжается также в область снаружи области DR ортогональной проекции электронного устройства 10. Кроме того, проводник 88 продолжается в область FR ортогональной проекции ферромагнитного элемента 44. В области DR ортогональной проекции электронного устройства 10, проводник 88 может быть сплошным на по меньшей мере 1/2 площади области DR ортогональной проекции электронного устройства 10. Проводник 88 является элементом пленочной или пластинчатой формы. По меньшей мере, участок проводника 88 может находиться в области MR ортогональной проекции основного участка 1 электронного устройства 10, и проводник 88 может быть сплошным на по меньшей мере 1/4 площади области MR ортогональной проекции. Как показано в сечении, проводник 88 расположен с стороны BS задней поверхности 102 электронного устройства 10 относительно базовой плоскости RP. Другими словами, проводник 88 расположен таким образом, что он обращен к покрывающему элементу 30 через электронное устройство 10.

Магнитная проницаемость проводника 88 может быть ниже, чем магнитная проницаемость ферромагнитного элемента 44. Проводник 88 может быть неферромагнитным элементом. Неферромагнитный элемент может быть материалом, который является парамагнетиком или диамагнетиком, (парамагнитный или диамагнитный элемент). Относительная магнитная проницаемость ферромагнитного элемента 44 составляет по меньшей мере 100. Относительная магнитная проницаемость проводника 88 составляет обычно не более 10 и в более типичном случае равна 1,0. Материал проводника 88 специально не ограничен, при условии, что материал является проводящим, и может быть, например, металлическим материалом, например, алюминием, нержавеющей сталью или медным сплавом, или проводящим оксидом металла, например, ITO (оксидом индия и олова) или SnO₂. Проводник 88 может быть пластиной, выполненной литьем или горячей штамповкой, пленкой, сформированной вакуумным осаждением или электролитическим осаждением, или пленкой, полученной формированием покровной пленки, выполненной из металлической пасты или металлооксидной пасты, отжигом покровной пленки. Удельная электрическая проводимость проводника 88 может быть в диапазоне от 1×10⁶ (См/м) или более и предпочтительно от 1×10⁷ (См/м) или более. В частности, возможно применение меди, так как медь имеет удельную электрическую проводимость приблизительно 6×10⁷ (См/м) и является диамагнетиком.

Проводник 88 может быть либо в контакте, либо разделен с электронным устройством 10. Например, расстояние D между проводником 88 и электронным устройством 10 может быть по меньшей мере 0,10 мм. Расстояние D между проводником 88 и электронным устройством 10 может быть, самое большее, 1,0 мм.

На фиг. 2A-2C представлены схемы, поясняющие принцип действия ферромагнитного элемента 44 и проводника 88 в электронном компоненте 100. Электронный компонент 100 может подвергаться воздействию внешнего магнитного поля. Хотя внешнее магнитное поле может быть обусловлено окружающей средой, в которой используют электронное устройство, содержащее электронный компонент, в альтернативном варианте, упомянутое поле может быть обусловлено магнитным полем, формирующимся в электронном устройстве. В данном случае, электронное устройство 10 находится вплотную к источнику магнитного поля и, по-видимому, должно подвергаться воздействию сильного магнитного поля. В частности, проблему создается магнитное поле, которое изменяется во времени, и которое формируется электромагнитом, содержащимся в электронном устройстве, или обмоткой компонента радиосвязи. Упомянутое магнитное поле формируется, например, обмоткой приводного электродвигателя для перемещения объектива камеры в процессе автофокусировки или обмоткой приводного исполнительного механизма, применяемого для предотвращения нерезкости, вызванной движением. На фиг. 2A-2C принято, что источник внешнего магнитного поля является точечным. Магнитное поле продолжается, главным образом, в направлении, перпендикулярном фотоприемной поверхности (направлении Z), а также продолжается в направлениях, параллельных фотоприемной поверхности (направлениях X и Y). Таким образом, магнитное поле содержит составляющие по направлению X и направлению Y. На фиг. 2A, стрелки, проведенные сплошными линиями, показывают магнитные силовые линии внешнего магнитного поля в случае, когда не предусмотрены ни ферромагнитный элемент 44, ни проводник 88. Девять из одиннадцати магнитных силовых линий, показанных на фиг. 2A, продолжаются сквозь электронное устройство 10, и пять из девяти магнитных силовых линий продолжаются сквозь основной участок 1.

Напротив, как показано на фиг. 2B, когда предусмотрен ферромагнитный элемент 44, магнитные силовые линии притягиваются к ферромагнитному элементу 44, и поэтому число магнитных силовых линий, которые продолжаются сквозь электронное устройство 10, уменьшено до трех, и число магнитных силовых линий, которые продолжаются сквозь основной участок 1 уменьшено до одной. Другими словами, магнитная индукция в электронном устройстве 10 снижена посредством ферромагнитного элемента 44. В результате, можно подавлять шумы, обусловленные наводимой электродвижущей силой или индуцируемым током, формируемым в проводах электронного устройства 10, когда магнитное поле изменяется.

Магнитное поле изменяется в соответствии с формами поверхностей ферромагнитного элемента 44, в частности формами верхней и боковых поверхностей ферромагнитного элемента 44. Боковые поверхности ферромагнитного элемента 44, то есть поверхности, обращенные к области SR, и боковые поверхности 105 электронного устройства 10, служат для усиления составляющих по направлению X и направлению Y магнитного поля поблизости от электронного устройства 10 и, тем самым, оттягивания магнитного поля от электронного устройства 10 и к ферромагнитному элементу 44. Верхняя поверхность ферромагнитного элемента 44 перемещает магнитные силовые линии от области SR, с одновременным сдерживанием усиления составляющих по направлению X и направлению Y магнитного поля поблизости от электронного устройства 10. Следовательно, для формирования соответствующего распределения магнитного поля, эффективным решением является увеличение площади поверхностей ферромагнитного элемента 44, которые продолжаются в направлении Z, то есть боковых поверхностей ферромагнитного элемента 44. Эффективным решением является также увеличение площади поверхности ферромагнитного элемента 44, которая продолжается в направлениях X и Y, то есть верхней поверхности ферромагнитного элемента 44. По данной причине ферромагнитный элемент 44 может быть элементом рамки пластинчатой формы, имеющей ширину W больше, чем ее толщина T, как показано на фиг. 1. Величина, на которую растягивается внешнее магнитное поле, увеличивается по мере того, как увеличивается объем ферромагнитного элемента 44. Объем одного ферромагнитного элемента 44 может быть по меньшей мере 10 мм³ и предпочтительно составляет по меньшей мере 100 мм³.

Разумеется, чем ближе ферромагнитный элемент 44 находится к электронному устройству 10, тем более подходящим образом магнитное поле поблизости от электронного устройства 10 может притягиваться к ферромагнитному элементу 44. Следовательно, по меньшей мере участок ферромагнитного элемента 44 может быть расположен в области ортогональной проекции основного элемента 20 (области, соответствующей области BR на фиг. 1). Когда ферромагнитный элемент 44 продолжается в область снаружи области ортогональной проекции основного элемента 20 (область, соответствующую области BR на фиг. 1), магнитная индукция вблизи электронного устройства 10 может эффективно снижаться, когда увеличение размера основного элемента 20 ограничено.

Кроме того, как показано на фиг. 2C, когда обеспечен проводник 88, три магнитных силовых линии, которые продолжаются сквозь электронное устройство 10, наводят вихревой ток EC в проводнике 88. Вихревой ток EC формирует магнитное поле (противодействующее магнитное поле) с ориентацией, противоположной ориентации внешнему магнитному полю в направлении Z. Магнитные силовые линии, сформированные вихревым током EC, показаны стрелками, проведенные штриховыми линиями. Внешнее магнитное поле и магнитное поле, сформированное вихревым током EC, взаимно компенсируются так, что магнитное поле, которое продолжается сквозь электронное устройство 10, может быть ослаблено. Магнитное поле, сформированное вихревым током EC, продолжается только в нормальном направлении относительно проводника. Следовательно, составляющая в направлении Z магнитного поля может быть ослаблена, а составляющие в направлении X и направлении Y магнитного поля лишь немного усилены. Когда проводник 88 продолжается в область ортогональной проекции ферромагнитного элемента 44 (область, соответствующую области FR на фиг. 1), магнитная индукция в пространстве между проводником 88 и электронным устройством 10 может эффективно снижаться. В частности, участок проводника 88 может быть расположен ниже соединительных проводников, например, монтажных проводов, и внутренних выводов, к которым присоединены соединительные проводники. Данный результат объясняется тем, что формирование магнитных шумов в сигналах, передаваемых по соединительным проводникам и внутренним выводам, может быть ослаблено проводником 88, расположенным ниже соединительных проводников и внутренних выводов.

Тип электронного устройства 10, содержащегося в электронном компоненте 100, специально не ограничен. Электронное устройство 10 может быть, например, оптическим устройством, например, устройством для съемки изображений или устройством отображения. В данном примере электронное устройство 10 содержит основной участок 1 и субучасток 2. Обычно, основной участок 1 расположен в центральной области электронного устройства 10, и субучасток 2 расположен вокруг основного участка 1. В случае, когда электронное устройство 10 является устройством для съемки изображений, например, датчиком изображения на приборах с зарядовой связью (ПЗС-датчиком изображения) или датчиком изображения на комплементарных металло-оксидных полупроводниках (КМОП-датчиком изображения), основной участок 1 является блоком съемки изображений. В случае, когда электронное устройство 10 является устройством отображения, например, жидкокристаллическим дисплеем или ЭЛ (электролюминесцентным) дисплеем, основной участок 1 является блоком отображения. В случае устройства для съемки изображений, передняя поверхность 101 электронного устройства 10, которая обращена к покрывающему элементу 30, служит поверхностью, на которую падает свет. Поверхность, на которую падает свет, может быть поверхностью наружного слоя многослойной пленки, расположенной на полупроводниковой подложке, имеющей фотоприемную поверхность. Многослойная пленка содержит слой, выполняющий оптические функции, например, слой цветного фильтра, слой микролинз, просветляющий слой и светозащитный слой, слои, выполняющие механические функции, например, выравнивающий слой, и слои, выполняющие химические функции, например, пассивирующий слой. Субучасток 2 содержит управляющие схемы для управления основным участком 1 и схемами обработки сигналов для обработки сигналов, передаваемых из основного участка 1 (или сигналов, передаваемых в основной участок 1). В случае, когда электронное устройство 10 представляет собой полупроводниковый элемент, упомянутые схемы можно легко сформировать в монолитной структуре. Субучасток 2 дополнительно содержит электроды 3 (контактные площадки) для обмена сигналами между электронным устройством 10 и внешним устройством. Ниже приведено описание устройства для съемки изображений в качестве примера электронного устройства 10.

На фиг. 3 приведена блок-схема, поясняющая устройство для съемки изображений в качестве примера электронного устройства 10. Основной участок 1, который является блоком съемки изображений, содержит множество фотоэлектрических преобразователей 11 (фотодиодов), расположенных по матричной схеме. Каждый фотоэлектрический преобразователь 11 содержит схему 12 формирования сигнала (схему пикселя), содержащую передающий затвор, усилительный транзистор и транзистор установки в исходное состояние. Схемы 12 формирования сигнала последовательно управляются схемой 19 горизонтальной развертки в виде блоков строк. Сигналы, получаемые схемами 12 формирования сигналов, выводятся в схемы 14a и 14b считывания по шинам 13 вывода сигнала. Схемы 14a и 14b считывания содержат усилительные схемы столбцов и блоки памяти, которые сохраняют сигналы, усиленные усилительными схемами столбцов. Сигналы из схем 14a и 14b считывания передаются в усилители 17a и 17b считывания посредством передатчиков 15a и 15b сигналов, управляемых схемами 16a и 16b вертикальной развертки. Сигналы, усиленные усилителями 17a и 17b считывания выводятся с соответствующих контактных площадок 3 посредством блоков 18a и 18b вывода. В приведенном примере, две эквивалентных группы периферийных схем расположены над и под основным участком 1. Схемы 14a и 14b считывания и усилители 17a и 17b считывания содержатся в вышеописанных схемах обработки сигналов, и схемы вертикальной и горизонтальной развертки содержатся в вышеописанных управляющих схемах.

Далее приведено описание примерного электронного компонента 100. На фиг. 4A схематически представлен вид в плане электронного компонента 100 с передней стороны, и на фиг. 4В схематически представлен вид в плане электронного компонента 100 сзади. На фиг. 5A и 5B схематически представлены сечения электронного компонента 100. На фиг. 5A представлено сечение электронного компонента 100, взятое по линии VA-VA на фиг. 4A и 4B, и на фиг. 5B представлено сечение электронного компонента 100, взятое по линии VB-VB на фиг. 4A и 4B.

Электронный компонент 100 содержит электронное устройство 10 и контейнер 50, который вмещает электронное устройство 10. Контейнер 50 по существу содержит основной элемент 20, покрывающий элемент 30 и элемент 40 рамки. В приведенном варианте осуществления элемент 40 рамки служит в качестве вышеописанного ферромагнитного элемента. Как подробно изложено ниже, основной элемент 20 и элемент 40 рамки, содержащиеся в контейнере 50, могут выполнять функцию монтажных элементов. Покрывающий элемент 30 может выполнять функцию оптического элемента. Электронное устройство 10 прикреплено к основному элементу 20 с помощью другого элемента, обеспеченного между ними. Покрывающий элемент 30 прикреплен к основному элементу 20 элементом 40 рамки, предусмотренным между ними, и обращен к электронному устройству 10, с обеспечением внутреннего пространства 60 между ними. Элемент 40 рамки окружает внутреннее пространство 60 между покрывающим элементом 30 и электронным устройством 10. Внутреннее пространство 60 соответствует области SR на фиг. 1. В приведенном варианте осуществления обеспечен проводник 88, показанный на фиг. 1. В приведенном варианте осуществления, проводник 88, показанный на фиг. 1, содержит проводящие пленки 811, 812, 813 и 814, встроенные в основной элемент 20.

Направление X и направление Y параллельны передней поверхности 101 электронного устройства 10, которая обращена в сторону покрывающего элемента 30, задней поверхности 102 со стороны, противоположной стороне передней поверхности 101, внешней поверхности 301 покрывающего элемента 30 и внутренней поверхности 302 покрывающего элемента 30. Направление Z перпендикулярно передней поверхности 101, задней поверхности 102, внешней поверхности 301 и внутренней поверхности 302. Ортогональные проекции электронного устройства 10 и электронного компонента 100 на плоскость, содержащую направления X и Y, обычно являются прямоугольными. Размеры электронного устройства 10 и электронного компонента 100 в направлении Z меньше, чем размеры в направлениях X и Y. Другими словами, электронное устройство 10 и электронный компонент 100 обычно имеют пластинчатую форму. В последующем описании, размер в направлении Z может именоваться толщиной или высотой для удобства.

В проекции на плоскость, содержащую направления X и Y, внешний край электронного компонента 100 определяется внешним краем 205 основного элемента 20, внешним краем 405 элемента 40 рамки и внешним краем 305 покрывающего элемента 30. Элемент 40 рамки имеет внутренний край 403 в дополнение к внешнему краю 405.

По меньшей мере участок центральной области основного элемента 20 служит как область 210 расположения. Электронное устройство 10 расположено над областью 210 расположения и закреплено к основному элементу 20. Как показано на фиг. 5A и 5B, электронное устройство 10 обычно закреплено к основному элементу 20 связующим материалом 52, проложенным между областью 210 расположения основного элемента 20 и задней поверхностью 102 электронного устройства 10. В альтернативном варианте связующий материал 52 может быть обеспечен только по внешнему краю 105, то есть на боковых поверхностях электронного устройства 10. Связующий материал 52 может быть либо проводящим, либо изолирующим. Связующий материал 52 может иметь высокую теплопроводность и содержать металлические частицы. Связующий материал 52, который является проводящим, может выполнять функцию вышеописанного проводника 88.

Основной элемент 20 содержит внутренние выводы 5, которые обращены внутрь контейнера 50 (внутреннего пространства 60), и внешние выводы 7, которые обращены наружу контейнера 50. Внутренние выводы 5 расположены рядом друг с другом и формируют группы внутренних выводов. В приведенном примере, как показано на фиг. 4A, в направлении Y расположено два ряда (группы) внутренних выводов 5, при этом каждый ряд содержит десять внутренних выводов 5, которые выровнены в направлении X. Расположение внутренних выводов 5 не ограничено вышеприведенным, и, в качестве альтернативы, два ряда внутренних выводов 5, выровненных в направлении Y, могут быть расположены в направлении X. В альтернативном варианте, два ряда внутренних выводов 5, выровненных в направлении Y, и два ряда внутренних выводов 5, выровненных в направлении X, могут быть обеспечены с тем, чтобы внутренние выводы 5 окружали электронное устройство 10. Как показано на фиг. 4B, внутренние выводы 7 расположены рядом друг с другом и формируют группу внешних выводов. В приведенном примере группа внешних выводов содержит внешние выводы 7, расположенные в направлениях X и Y по матричной схеме на задней стороне электронного компонента 100. Схема расположения внешних выводов 7 не ограничена показанным вариантом. Например, внешние выводы 7 могут быть выровнены в направлении X и/или направлении Y вдоль внешнего края 205 основного элемента 20.

Внутренние выводы 5 и внешние выводы 7 электрически соединены между собой посредством встроенных участков 6, встроенных в основной элемент 20 в виде внутренних проводов. Электроды 3 электронного устройства 10, содержащиеся в электронном компоненте 100, электрически соединены с внутренними выводами 5 контейнера 50 посредством соединительных проводников 4. В приведенном примере электроды 3 соединены с внутренними выводами 5 посредством проводных соединений, и соединительные проводники 4 являются металлическими проводами (монтажными проводами). В качестве альтернативы, электроды 3 могут быть соединены с внутренними выводами 5 посредством соединения по методу перевернутого кристалла. В данном случае, электроды 3 обеспечены на задней поверхности 102 электронного устройства 10, и внутренние выводы 5 и соединительные проводники 4 расположены в области 210 расположения. В приведенном примере, внешние выводы 7 расположены в виде матрицы межсоединений (LGA). Однако, в качестве альтернативы, внешние выводы 7 могут быть расположены в виде матрицы штырьковых выводов (PGA), матрицы шариковых выводов (BGA) или безвыводного кристаллодержателя (LCC). В данном случае, внешние выводы 7 могут быть расположены на задней поверхности 206 основного элемента 20 в области ортогональной проекции покрывающего элемента 30 (области, соответствующей области LR на фиг. 1). Некоторые из внешних выводов 7 могут быть расположены в области ортогональной проекции электронного устройства 10 (области, соответствующей области DR на фиг. 1). Внутренние выводы 5, встроенные участки 6 и внешние выводы 7 могут быть объединены с использованием выводной рамки. Внутренние выводы 5 служат как внутренние проволочные выводы, и внешние выводы 7 служат как внешние проволочные выводы. В случае, когда применена выводная рамка, внешние выводы 7 расположены снаружи области ортогональной проекции основного элемента 20 (области, соответствующей области BR на фиг. 1). Внешние выводы 7 электронного компонента 100 электрически соединены с выводами монтажного элемента, например, печатной платы, и электронный компонент 100 закреплен к монтажному элементу. Внешние выводы 7, расположенные в области ортогональной проекции основного элемента 20 (области, соответствующей области BR на фиг. 1), могут быть электрически соединены с внешней схемой посредством пайки оплавлением припоя с использованием припойной пасты. Таким образом, электронный компонент 100 вторично монтируют на монтажном элементе для формирования электронного модуля. Способ монтажа может быть поверхностным монтажом. Электронный модуль можно также считать электронным компонентом. Электронное устройство изготавливают установкой электронного модуля в корпус.

Основной элемент 20 имеет форму с углублением. В частности, основной элемент 20 содержит участок пластинчатой формы, который ограничивает дно углубления, и участок в форме рамы, обеспеченный в периферической области участка пластинчатой формы, задает боковые стороны выемки. Единый участок элемента основного элемента 20 может быть сформирован укладкой друг на друга пластинчатого элемента и рамного элемента, литьем в кокиль или фрезерованием. Основной элемент 20 может быть проводником, например, металлической пластиной, при условии, что внутренние выводы 5 и внешние выводы 7 могут быть изолированы. Однако основной элемент 20 формируют обычно из изолятора. Хотя основной элемент 20 может быть гибкой подложкой, например, полимидной подложкой, основной элемент 20 может быть, в качестве альтернативы, жесткой подложкой, например, подложкой из эпоксистеклопластика, подложкой из композиционного материала, подложкой из стеклокомпозита, бакелитовой подложкой или керамической подложкой. В частности, можно использовать керамическую подложку, и основной элемент 20 может быть сформирован из многослойной керамического элемента. Керамический материал может быть, например, карбидом кремния, нитридом алюминия, сапфиром, оксидом алюминия, нитридом кремния, металлокерамикой, оксидом иттрия, муллитом, форстеритом, кордиеритом, диоксидом циркония или стеатитовой керамикой.

Как показано на фиг. 5A и 5B, периферическая область основного элемента 20, имеющего форму с углублением, содержит установочные участки и переходные участки. Установочные участки являются участками, которые продолжаются в направлениях X и Y. Переходные участки являются участками, которые продолжаются в направлении Z между двумя установочными участками на разных высотах в направлении Z.

Установочный участок, снабженный внутренними выводами 5, определяется как базовый установочный участок 202. В приведенном варианте осуществления, как показано на фиг. 5A, верхний установочный участок 204 расположен ближе к внешнему краю контейнера 50, то есть ближе к внешнему краю 205 основного элемента 20, чем группы внутренних выводов в направлении Y. Верхний установочный участок 204 выступает из базового установочного участка 202. Другими словами, верхний установочный участок 204 расположен ближе к покрывающему элементу 30 в направлении Z, чем базовый установочный участок 202. Переходный участок 203 расположен между базовым установочным участком 202 и верхним установочным участком 204. Переходный участок 203 обращен к соединительным проводникам 4 через участок внутреннего пространства 60.

В примере, показанном на фиг. 5A и 5B, основной элемент 20 содержит нижний установочный участок 200, кроме базового установочного участка 202 и верхнего установочного участка 204. Нижний установочный участок 200 расположен дальше от внешнего края 205 основного элемента 20, чем группы внутренних выводов. Другими словами, нижний установочный участок 200 расположен дальше к центру основного элемента 20, чем группы внутренних выводов. Нижний установочный участок 200 расположен ниже базового установочного участка 202, с переходным участком 201, обеспеченным между ними. Другими словами, нижний установочный участок 200 расположен дальше от покрывающего элемента 30, чем группы внутренних выводов в направлении Z, и между ними обеспечен переходный участок 201. Переходный участок 201 обращен к внешнему краю 105 электронного устройства 10 через участок внутреннего пространства 60. Базовый установочный участок 202 расположен между верхним установочным участком 204 и нижним установочным участком 200. Следовательно, базовый установочный участок 202 можно называть промежуточным установочным участком. Как показано на фиг. 5B, базовый установочный участок 202 не обеспечен между нижним установочным участком 200 и верхним установочным участком 204 в направлении X, в котором внутренние выводы 5 не обеспечены. Взамен, между верхним установочным участком 204 и нижним установочным участком 200 расположен переходный участок 203. Хотя между ве