Логическая схема «не» на транзисторе

Логическая схема «не» на транзисторе

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

0п СИНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

26068l

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

3 а явлено 26. Х! 1.196? (№ 1206316/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано О61.1970. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 19Х.1970

Кл. 21ат, 36/18

МПК С 06f

УДК 621.314,572(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. И. Белицкий и Л. А. Гусев

Заявитель

ЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА «НЕ» НА ТРАНЗИСТОРЕ

Изобретение относится и области автоматики и вычислительной техники и предназначено для построения логических и вычислительных устройств.

Известны схемы «НЕ» на транзисторах с входной КС-цепочкой, использующие нелинейный двухполюсник, включенный в эмиттерную цепь транзистора, Предложенное устройство отличается тем, что в нем коллектор транзистора соединен с источником питания через нелинейный двухполюсник с сопротивлением, возрастающим при увеличении приложенного напряжения.

Это позволяет повысить нагрузочную способность схемы, увеличить экономичность и коэффициент использования напряжения коллекторного источника питания.

Схема устройства изображена на чертеже.

Оно содержит транзистор 1, резисторы 2 и нелинейный двухполюсник 8.

При подаче на вход схемы «НЕ» положительного импульса с предыдущей схемы транзистор переходит в режим насыщения и почти все напряжение источника коллекторного питания прикладывается к зажимам двухполюсника. Сопротивление двухполюсника возрастает, что приводит к уменьшению коллекторного тока насыщения транзистора. Ток базы при этом определяется сопротивлением базы и небольшим сопротивлением двухполюсника предыдущей схемы, транзистор которой находится в режиме отсечки, В результате степень насыщения транзистора увеличивается и возрастает нагрузочная способность. Возрастает и экономичность схемы «НЕ», так как сопротивление двухполюсника насыщенного транзисто10 ра оказывается высоким.

При работе транзистора в режиме отсечки сопротивлечие двухполюсника снижается, что обусловливает увеличение коэффициента использования напряжения коллекторного источ15 ника питания.

Предмет изобретения

Логическая схема «НЕ на транзисторе, от20 личатощаяся тем, что, с целью повышения нагрузочной способности, экономичности и коэффициента использования напряжения коллекторного источника питания, коллектор транзистора соединен с источником питания через не25 линейный двухполюсник с сопротивлением, возрастающим .при увеличении приложенного напряжения.

26068t

Составитель А, А. Вейц

Редактор Л. А. Утехина Техред А. А. Камышникова Корректор Н. С. Сударенкова

Заказ 1116/13 Тираж 500 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2