Контейнер для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, и способ формирования структуры, способ производства электронного устройства

Контейнер для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, и способ формирования структуры, способ производства электронного устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к органическому обрабатывающему раствору для формирования структуры резистной пленки химического усиления, контейнеру для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления и способу формования образца, способу производства электронного устройства и электронного устройства, в котором применяется указанное. Более конкретно, настоящее изобретение относится к органическому обрабатывающему раствору для формирования структуры резистной пленки химического усиления, контейнеру для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления и способу формирования структуры, способу производства электронного устройства и электронному устройству, в котором применяется указанное, которые являются подходящими для процесса изготовления полупроводника, такого как IC, процесса изготовления печатной платы, например жидкокристаллических процессов, процессов теплового напора и других литографических процессов фотолитографии. В частности, настоящее изобретение относится к органическому обрабатывающему раствору для формирования структуры резистной пленки химического усиления, контейнеру для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления и способу формирования структуры, способу производства электронного устройства и электронному устройству, в котором применяется указанное, которые являются подходящими для экспонирования в устройстве экспонирования ArF или в устройстве экспонирования при проекционной литографии погружного типа ArF, в которых используются лучи дальней ультрафиолетовой области спектра, имеющие длину волны 300 нм или менее, в качестве источника света.

Уровень техники

Традиционно предлагались различные конфигурации в качестве способа формирования позитивной структуры с применением щелочного проявителя и позитивного резистного состава, применяемого в способе (см., например, патентные документы 1-3). Кроме того, способ формирования негативной структуры с применением органического проявителя и негативный резистный состав, применяемый в способе, были недавно разработаны, главным образом, с целью формирования тонкого контактного отверстия или формирования желобковой структуры, которые не могут быть достигнуты посредством позитивного резистного состава (см., например, патентные документы 4-7).

Органический проявитель, применяемый в способе формирования негативной структуры, предоставляется таким же образом, как и органический растворитель (разбавитель или раствор для удаления фоторезиста), традиционно используемый в электронной промышленности.

Здесь требуется, чтобы контейнер с поставляемой химической жидкостью для электронной промышленности не вызывал увеличения числа засоренных частиц во время хранения или транспортировки, разложения компонентов, количественного изменения состава, увеличения засоренных металлических элементов или снижения качества, возникающих вследствие разложения светочувствительного изделия из-за света.

Что касается контейнера, удовлетворяющего этим требованиям, например, были известны содержащие смолу высокой чистоты контейнеры, состоящие из политетрафторэтилена или полиолефина (см. патентные документы 8 и 9), но с точки зрения стоимости, обычно содержащие смолу высокой чистоты контейнеры, состоящие из полиолефина.

Список ссылок

Патентные документы

Патентный документ 1: выложенная заявка на японский патент № 2006-257078.

Патентный документ 2: выложенная заявка на японский патент № 2005-266766.

Патентный документ 3: выложенная заявка на японский патент № 2006-330098.

Патентный документ 4: выложенная заявка на японский патент № 2007-325915.

Патентный документ 5: брошюра с международной публикацией № 2008-153110.

Патентный документ 6: выложенная заявка на японский патент № 2010-039146.

Патентный документ 7: выложенная заявка на японский патент № 2010-164958.

Патентный документ 8: публикация японского патента H6-99000.

Патентный документ 9: нерассмотренный японский патент № 3929000.

Сущность изобретения

Однако потребность в дальнейшей миниатюризации при формировании контактного отверстия или формировании желобковой структуры (например, с узлом 30 нм или менее) в последнее время сильно возросла. В ответ на это, требуется дальнейшее подавление появления частиц, которые, вероятно, могут повлиять, в частности, на рабочие параметры тонкой структуры.

Настоящее изобретение было сделано с учетом проблем, описанных выше, и его цель состоит в предоставлении органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, которая способна к снижению появления частиц, контейнера для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, и способа формирования структуры, способа производства электронного устройства, и электронного устройства, в котором применяется указанное, в способе формирования негативной структуры для формирования тонкой структуры (например, узел размером 30 нм или менее), в частности, с применением органического проявителя.

Изобретатели по настоящему изобретению детально изучили контейнер для органического проявителя с учетом проблем, описанных выше, и обнаружили, что органический проявитель, содержащийся в универсальном контейнере, представленном содержащим смолу высокой чистоты контейнером, состоящим из полиолефина, является главной причиной появления частиц. Также изобретатели обнаружили, что концентрации определенных типов примесей снижаются в органическом проявителе, содержавшемся в конкретном контейнере, и, кроме того, применение органического проявителя может снизить встречаемость частиц, которые могут представлять собой проблемы в тонкой структуре (например, с узлом размером 30 нм или менее), и выполнили настоящее изобретение на основании этих результатов.

То есть, настоящее изобретение имеет следующую конфигурацию, и таким образом достигается описанная выше цель настоящего изобретения.

[1] Органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления, при этом органический обрабатывающий раствор содержит 1 ч./млн. или менее алкилолефина, имеющего число углеродных атомов, составляющее 22 или менее, и 5 ч./млн. или менее концентрации металлического элемента для каждого из Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn.

[2] Органический обрабатывающий раствор, описанный в [1], в котором органический обрабатывающий раствор представляет собой органический проявитель.

[3] Органический обрабатывающий раствор, описанный в [2], в котором органический проявитель представляет собой бутилацетат.

[4] Органический обрабатывающий раствор, описанный в [1], в котором органический обрабатывающий раствор представляет собой органический смывочный раствор.

[5] Органический обрабатывающий раствор, описанный в [4], в котором органический смывочный раствор представляет собой 4-метил-2-пентанол или бутилацетат.

[6] Контейнер для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, при этом контейнер имеет блок корпуса, в котором содержится органический обрабатывающий раствор, описанный в любом из пунктов [1]-[5], при этом блок корпуса имеет внутреннюю стенку, приходящую в соприкосновение с органическим обрабатывающим раствором, при этом внутренняя стенка сделана из смолы, отличной от по меньшей мере одного вида смолы, выбранного из группы, состоящей из смолы полиэтилена, смолы полипропилена и смолы полипропилена-полиэтилена, или металла, подвергнутого обработке против коррозии/элюирования металла.

[7] Контейнер, описанный в [6], в котором смола, отличная от по меньшей мере одного вида смолы, выбранного из группы, состоящей из смолы полиэтилена, смолы полипропилена и смолы полипропилена-полиэтилена, представляет собой перфторсмолу.

[8] Способ формирования структуры, включающий в себя: (A) формирование пленки с помощью резистного состава химического усиления, (B) экспонирование пленки и (C) проявку экспонированной пленки с применением органического проявителя, в котором органический проявитель представляет собой органический обрабатывающий раствор, описанный в [2] или [3].

[9] Способ формирования структуры, описанный в [8], дополнительно включающий в себя: выполнение этапа смывания с применением органического смывочного раствора после проявления экспонированной пленки с применением органического проявителя, в котором органический смывочный раствор представляет собой органический обрабатывающий раствор, описанный в [4] или [5].

[10] Способ формирования структуры, описанный в [9], в котором органический проявитель представляет собой органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления, описанный в [3], и органический смывочный раствор представляет собой органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления, описанный в [5].

[11] Способ формирования структуры, описанный в любом из пунктов [8]-[10], в котором проявка экспонированной пленки с применением органического проявителя выполняется посредством применения проявочного устройства, оборудованного фильтром для обрабатывающего раствора, в котором органический проявитель проходит через фильтр для обрабатывающего раствора, который будет применяться при проявлении.

[12] Способ производства электронного устройства, при этом способ включает в себя способ формирования структуры, описанный в любом из пунктов [8]-[11].

[13] Электронное устройство, произведенное посредством способа, описанного в [12].

В соответствии с настоящим изобретением, в способе формирования негативной структуры для формирования тонкой структуры (например, узла размером 30 нм или менее), в частности, с применением органического проявителя, может быть представлен органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления, который может снижать встречаемость частиц, контейнер для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, и способ формирования структуры, способ производства электронного устройства, и электронное устройство, в котором применяется указанное.

Описание вариантов осуществления

Ниже в настоящем описании будут описаны подробно типовые варианты осуществления настоящего изобретения.

В настоящем описании в случае, когда группа (атомная группа) обозначена без определения замещения или незамещения, группа может не содержать заместитель или содержать заместитель. Например, «алкильная группа» может содержать не только алкильную группу, не имеющую заместителя (незамещенная алкильная группа), но также и алкильную группу, имеющую заместителя (замещенная алкильная группа).

В настоящем описании, «актиничный луч» или «излучение» указывает, например, на линейный спектр излучения ртутной лампы, луч дальней ультрафиолетовой области, представленный эксимерным лазером, луч крайней ультрафиолетовой области (свет EUV), рентгеновский или электронный пучок (EB). Кроме того, в настоящем изобретении «свет» означает актиничный луч или излучение.

Кроме того, в настоящем описании, если конкретно не указано обратное, "экспонирование" включает в себя не только экспонирование к ртутной лампе, лучу дальней ультрафиолетовой области, представленному эксимерным лазером, луч крайней ультрафиолетовой области, рентгеновскому лучу или свету EUV, но также и к рисованию, выполненному посредством корпускулярного пучка, такого как электронный пучок и ионный пучок.

В органическом обрабатывающем растворе для формирования структуры резистной пленки химического усиления, согласно настоящему изобретению, содержание алкилолефина, имеющего число углеродных атомов, составляющее 22 или менее, составляет 1 ч./млн. или менее, и концентрация металлического элемента для каждого из Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn составляет 5 ч./млн. или менее.

Когда органический обрабатывающий раствор удовлетворяет требованиям, описанным выше, встречаемость частиц, которые могут быть проблематичными, особенно в тонкой структуре (например, с узлом размером 30 нм или менее), может быть снижено.

Таким образом, когда содержание алкилолефина, имеющего число углеродных атомов, составляющее 22 или менее, превышает 1 ч./млн., или концентрация по меньшей мере одного из металлических элементов из Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn, превышает 5 ч./млн., имеется тенденция появления существенных частиц, в частности, в тонкой структуре (например, с узлом размером 30 нм или менее).

В органическом обрабатывающем растворе для формирования структуры резистной пленки химического усиления, согласно настоящему изобретению, содержание алкилолефина, имеющего число углеродных атомов, составляющее 22 или менее, составляет предпочтительно 0,5 ч./млн. или менее, и, более предпочтительно, 0,3 ч./млн. или менее. Наиболее предпочтительным является отсутствие алкилолефина, имеющего число углеродных атомов, составляющее 22 или менее. Однако если такой алкилолефин присутствует, его содержание обычно составляет 0,001 ч./млн. или более.

В органическом обрабатывающем растворе для формирования структуры резистной пленки химического усиления, согласно настоящему изобретению, концентрация каждого из металлических элементов Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn составляет, предпочтительно, 4 ч./млн. или менее, и, более предпочтительно, 3 ч./млн. или менее. Наиболее предпочтительным является отсутствие всех элементов Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn. Однако, если какой-либо из этих металлических элементов присутствует, минимальная концентрации присутствующего металлического элемента обычно составляет 0,001 ч./млн. или более.

Содержание алкилолефина, имеющего число углеродных атомов, составляющее 22 или менее, может быть измерено в соответствии с газовой хроматографией - масс-спектрометрией (например, GCMS-QP2010 (газовый хроматограф - масс-спектрометр), выпускаемый Shimadzu Corporation), объединенной с устройством пиролиза (например, PY2020D, выпускаемый Frontier Lab).

Концентрация металлического элемента Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn может быть измерена в соответствии с масс-спектрометрией с индуктивно связанной плазмой (например, с помощью масс-спектрометра с индуктивно связанной плазмой Agilent 7500cs (оборудование ICP-MS), выпускаемое Agilent Technologies, Inc.).

Органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления обычно представляет собой органический проявитель или органический смывочный раствор. Как правило, органический обрабатывающий раствор представляет собой "органический проявитель" в способе формирования структуры или “органический смывочный раствор" при смывании. Способ формирования структуры включает в себя (a) формирование пленки из резистного состава химического усиления, (b) экспонирование пленки и (c) проявку экспонированной пленки с применением органического проявителя, и может дополнительно включать в себя смывания с применением органического смывочного раствора после этапа (c).

Органический проявитель относится к проявителю, содержащему органический растворитель. Количество органического растворителя, используемого в органическом проявителе, предпочтительно находится в диапазоне от 90% по массе до 100% по массе относительно суммарного количества проявителя, и, более предпочтительно, от 95% по массе до 100% по массе.

Что касается органического проявителя, может применяться полярный растворитель, такой как основанный на кетоне растворитель, основанный на сложном эфире растворитель, основанный на спирту растворитель, основанный на амиде растворитель и основанный на эфире растворитель, и основанный на углеводороде растворитель.

Примеры основанного на кетоне растворителя включают в себя 1-октанон, 2-октанон, 1-нонанон, 2-нонанон, ацетон, 2-гептанон (метил-амил-кетон), 4-гептанон, 1-гексанон, 2-гексанон, диизобутилкетон, циклогексанон, метилциклогексанон, фенилацетон, метил-этил-кетон, метил-изобутил-кетон, ацетилацетон, ацетонилацетон, ионон, диацетониловый спирт, ацетилкарбинол, ацетофенон, метил-нафтил-кетон, изофорон, пропиленкарбонат и т.п.

Примеры основанного на сложном эфире растворителя включают метилацетат, бутилацетат, этилацетат, изопропилацетат, пентилацетат, изопентилацетат, амилацетат, ацетат монометилового эфира пропиленгликоля, ацетат моноэтилового эфира этиленгликоля, ацетат монобутилового эфира диэтиленгликоля, ацетат моноэтилового эфира диэтиленгликоля, этил-3-этоксипропионат, 3-метоксибутилацетат, 3-метил-3-метоксибутилацетат, метилформиат, этилформиат, бутилформиат, пропилформиат, этиллактат, бутиллактат, пропиллактат и т.п.

Примеры основанного на спирте растворителя включают спирты, такие как метиловый спирт, этиловый спирт, н-пропиловый спирт, изопропиловый спирт, н-бутиловый спирт, втор-бутиловый спирт, трет-бутиловый спирт, изобутиловый спирт, н-гексиловый спирт, н-гептиловый спирт, н-октиловый спирт и н-деканол, основанный на гликоле растворитель, такой как этиленгликоль, диэтиленгликоль и триэтиленгликоль, основанный на гликолевом эфире растворитель, такой как монометиловый эфир этиленгликоля, монометиловый эфир пропиленгликоля, моноэтиловый эфир этиленгликоля, моноэтиловый эфир пропиленгликоля, монометиловый эфир диэтиленгликоля, моноэтиловый эфир триэтиленгликоля и метоксиметилбутанол, и т.п.

Примеры основанного на эфире растворителя включают, в дополнение к основанным на гликолевом эфире растворителям, диоксан, тетрагидрофуран и т.п.

В качестве основанного на амиде растворителя можно использовать, например, N-метил-2-пирролидон, N,N-диметилацетамид, N,N-диметилформамид, гексаметилфосфортриамид, 1,3-диметил-2-имидазолидинон и т.п.

Примеры основанного на углеводороде растворителя включают основанный на ароматическом углеводороде растворитель, такой как толуол и ксилол, и основанный на алифатическом углеводороде растворитель, такой как пентан, гексан, октан и декан.

Множество указанных выше растворителей может быть смешано, или растворители могут применяться посредством смешивания с растворителем, отличным от описанных выше, или с водой. Однако для того, чтобы в достаточной степени продемонстрировать результаты настоящего изобретения, отношение содержания воды для проявителя в целом предпочтительно составляет менее 10% по массе, и является более предпочтительным, чтобы проявитель по существу не содержал влаги.

В частности, органический проявитель предпочтительно представляет собой проявитель, содержащий по меньшей мере один органический растворитель, выбранный из группы, состоящей из основанного на кетоне растворителя, основанного на сложном эфире растворителя, основанного на спирте растворителя, основанного на амиде растворителя и основанного на эфире растворителя.

Давление пара органического проявителя предпочтительно составляет 5 кПа или менее, более предпочтительно, 3 кПа или менее, и, особенно предпочтительно, 2 кПа или менее, при 20°C. Посредством регулирования давления пара органического проявителя до 5 кПа или менее, испарение проявителя на субстрате или в чашке проявителя подавляется таким образом, чтобы однородность температуры на подложке была улучшена, и в результате однородность размеров для подложки была улучшена.

В органический проявитель может быть добавлено поверхностно-активное вещество в соответствующем объеме, в случае необходимости.

Поверхностно-активное вещество конкретно не ограничивается, но может использоваться, например, ионное или неионное фтористое и/или кремниевое поверхностно-активное вещество и т.п. Примеры фтористого и/или кремниевого поверхностно-активного вещества включают поверхностно-активные вещества, описанные в выложенных заявках на японский патент № S62-36663, S61-226746, S61-226745, S62-170950, S63-34540, H7-230165, H8-62834, H9-54432 и H9-5988, и патентах США № 5405720, 5360692, 5529881, 5296330, 5436098, 5576143, 5294511 и 5824451, и неионное поверхностно-активное вещество является предпочтительным. Неионное поверхностно-активное вещество конкретно не ограничивается, но, более предпочтительно, используется фтористое поверхностно-активное вещество или кремниевое поверхностно-активное вещество.

Количество используемого поверхностно-активного вещества обычно находится в диапазоне от 0,001% по массе до 5% по массе, предпочтительно, от 0,005% по массе до 2% по массе, и, более предпочтительно, от 0,01% по массе до 0,5% по массе, на основании суммарного количества проявителя.

Органический проявитель предпочтительно представляет собой бутилацетат.

Органический проявитель может включать в себя азотсодержащее соединение, проиллюстрированное в японском патенте № 5056974, параграфы 0041-0063. Ввиду, например, устойчивости проявителя при хранении, азотсодержащее соединение может быть добавлено к органическому проявителю, предпочтительно, непосредственно после выполнения способа формирования структуры по настоящему изобретению.

"Органический смывочный раствор" относится к смывочному раствору, содержащему органический растворитель, и количество органического растворителя, используемого в органическом смывочном растворе, предпочтительно находится в диапазоне от 90% по массе до 100% по массе относительно суммарного количества смывочного раствора, более предпочтительно, от 95% по массе до 100% по массе, и, более предпочтительно, от 95% по массе до 100% по массе.

Для органического смывочного раствора отсутствуют какие-либо конкретные ограничения, если он не растворяет резистную структуру, и может использоваться раствор, содержащий обычный органический растворитель. Что касается смывочного раствора, может предпочтительно использоваться смывочный раствор, содержащий по меньшей мере один из органических растворителей, выбираемых из группы, состоящей из основанного на углеводороде растворителя, основанного на кетоне растворителя, основанного на сложном эфире растворителя, основанного на спирте растворителя, основанного на амиде растворителя и основанного на эфире растворителя.

Конкретные примеры основанного на углеводороде растворителя, основанного на кетоне растворителя, основанного на сложном эфире растворителя, основанного на спирте растворителя, основанного на амиде растворителя и основанного на эфире растворителя могут быть такими же, как примеры, описанные для органического проявителя.

Среди них, органический смывочный раствор предпочтительно представляет собой 4-метил-2-пентанол или бутилацетат.

Отношение содержания воды в органическом смывочном растворе предпочтительно составляет 10% по массе или менее, более предпочтительно, 5% по массе или менее, и, особенно предпочтительно, 3% по массе или менее. Посредством установки содержания воды, составляющего 10% по массе или менее, могут быть получены хорошие характеристики проявки.

Давление пара органического смывочного раствора, предпочтительно, находится в диапазоне от 0,05 кПа до 5 кПа, более предпочтительно, от 0,1 кПа до 5 кПа, и, наиболее предпочтительно, от 0,12 кПа до 3 кПа, при 20°C. Посредством установки давления пара смывочного раствора в диапазоне от 0,05 кПа до 5 кПа, улучшается однородность температуры в подложке, и, кроме того, подавляется вздутие, вызываемое прониканием смывочного раствора, и в результате улучшается однородность размеров в подложке.

В органическом смывочном растворе поверхностно-активное вещество, описанное выше, может быть добавлено и использовано в соответствующем количестве.

В органическом обрабатывающем растворе для формирования структуры резистной пленки химического усиления, согласно настоящему изобретению (обычно, органический проявитель или органический смывочный раствор), как описано выше, содержание алкилолефина, имеющего количество атомов углерода, составляющее 22 или менее, составляет 1 ч./млн. или менее, и концентрация металлического элемента для каждого из Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn составляет 5 ч./млн. или менее.

Например, то, каким образом получают органический обрабатывающий раствор по настоящему изобретению, конкретно не ограничивается, если удовлетворяются условия, описанные выше. Органический обрабатывающий раствор может быть должным образом получен следующим образом. Что касается контейнера с органическим обрабатывающим раствором для формирования структуры резистной пленки химического усиления, подготавливается контейнер, имеющий блок корпуса. Блок корпуса имеет внутреннюю стенку, приходящую в соприкосновение с органическим обрабатывающим раствором, и внутренняя стенка сделана из смолы, отличной от по меньшей мере одного вида смолы, выбранного из группы, состоящей из смолы полиэтилена, смолы полипропилена и смолы полипропилена-полиэтилена, или металла, подвергнутого обработке против коррозии/элюирования металла. Органический растворитель, который будет использоваться в качестве органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, содержится в блоке корпуса контейнера, и вытекает из блока корпуса при формировании структуры резистной пленки химического усиления.

Соответственно, настоящее изобретение также относится к контейнеру с органическим обрабатывающим раствором для формирования структуры резистной пленки химического усиления. Контейнер с органическим обрабатывающим раствором для формирования структуры резистной пленки химического усиления включает в себя блок корпуса, сконфигурированный для того, чтобы содержать описанный выше органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления настоящего изобретения, и блок герметизации, сконфигурированный для того, чтобы герметизировать блок корпуса. Внутренняя стенка блока корпуса, которая приходит в соприкосновение с органическим обрабатывающим раствором, сделана из смолы, отличной от по меньшей мере одного вида смолы, выбранного из группы, состоящей из смолы полиэтилена, смолы полипропилена, и смолы полипропилена-полиэтилена, или металла, подвергнутого обработке против коррозии/элюирования металла.

Когда органический обрабатывающий раствор содержится в блоке корпуса контейнера, условие "содержание алкилолефина, имеющего количество атомов углерода, составляющее 22 или менее, составляет 1 ч./млн. или менее, и концентрация металлического элемента для каждого из Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn составляет 5 ч./млн. или менее" по настоящему изобретению может быть должным образом удовлетворено. Причина этого не полностью прояснена, но предполагается, что она заключается в следующем.

То есть, когда в контейнере внутренняя стенка блока корпуса, которая приходит в соприкосновение с органическим обрабатывающим раствором, сделана по меньшей мере из одного вида смолы, выбранного из группы, состоящей из смолы полиэтилена, смолы полипропилена и смолы полипропилена-полиэтилена, или металла, подвергнутого обработке против коррозии/элюирования металла, органический обрабатывающий раствор приходит в соприкосновение по меньшей мере с одной смолой или металлом, который не был подвергнут обработке против коррозии/элюирования металла во время обычного периода (например, от одной недели до одного года) в результате заполнения органическим обрабатывающим раствором блока корпуса с целью выделения органического обрабатывающего раствора из блока корпуса во время формирования структуры резистной пленки химического усиления. Таким образом, низкомолекулярный олефин (считающийся оставшимся в процессе синтеза смолы), содержавшийся в смоле, элюируется в органический обрабатывающий раствор, и трудно удовлетворить условию "содержание алкилолефина, имеющего количество атомов углерода, составляющее 22 или менее, составляет 1 ч./млн. или менее, и концентрация металлического элемента для каждого из Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn составляет 5 ч./млн. или менее". Напротив, предполагается, что в соответствии с контейнером по настоящему изобретению, как описано выше, поскольку используется смола, отличающаяся по меньшей мере от одного вида смолы, выбранной из группы, состоящей из смолы полиэтилена, смолы полипропилена, и смолы полипропилена-полиэтилена, или металл, подвергнутый обработке против коррозии/элюирования металла, то получают органический обрабатывающий раствор по настоящему изобретению, который удовлетворяет описанному выше условию.

Когда контейнер дополнительно включает в себя часть запечатывания для того, чтобы герметизировать блок корпуса, часть запечатывания может также быть предпочтительно сделана из смолы, отличающейся по меньшей мере от одного вида смолы, выбранной из группы, состоящей из смолы полиэтилена, смолы полипропилена, и смолы полипропилена-полиэтилена, или металла, подвергнутого обработке против коррозии/элюирования металла.

Здесь, часть запечатывания обращается к органу, способному к экранированию блока корпуса от внешнего воздуха, и, например, упаковывание или кольцевой уплотнитель могут должным образом иллюстрироваться.

Смола, отличающаяся по меньшей мере от одного вида смолы, выбранной из группы, состоящей из смолы полиэтилена, смолы полипропилена, и смолы полипропилена-полиэтилена, предпочтительно является перфторсодержащей смолой.

Что касается перфторсодержащей смолы, в качестве примера можно привести политетрафторэтиленовую смолу (PTFE), смолу сополимера тетрафторэтилена/перфторалкилвинилового эфира (PFA), смолу сополимера тетрафторэтилена-гексафторпропилена (FEP), смолу сополимера этилена-тетрафторэтилена (ETFE), смолу сополимера этилена-хлортрифторэтилена (ECTFE), смолу поливинилидена (PVDF), смолу сополимера полихлортрифторэтилена (PCTFE) или смолу поливинилфторида (PVF).

В частности, в качестве предпочтительно перфторсодержащей смолы, в качестве примера можно привести смолу тетрафторэтилена, смолу сополимера тетрафторэтилена/перфторалкилвинилового эфира или смолу сополимера тетрафторэтилена-гексафторпропилена.

В металле, подвергнутом обработке против коррозии/элюирования металла, что касается металла, в качестве примера можно привести углеродистую сталь, легированную сталь, хромовую хромоникелевую сталь, хромоникелемолибденовую сталь, хромовую сталь, хромомолибденовую сталь или марганцевую сталь.

Что касается обработки против коррозии/элюирования металла, может быть предпочтительно применена методика покрытия.

Методика покрытия по существу разделена на три вида покрытия, такие как металлическое покрытие (различные покрытия металлом), неорганическое покрытие (например, различные химические конверсионные обработки, стекло, бетон, керамика) и органическое покрытие (антикоррозионное масло, краска, резина, пластик).

В качестве примера предпочтительной методики покрытия может быть приведена обработка поверхности с использованием антикоррозионного масла, ингибитора коррозии, хелатное соединение, снимающийся пластик или грунтовочное средство.

Среди них предпочтительными являются различные антикоррозийные добавки, такие как хромат, нитрит, силикат, фосфат, карбоновые кислоты (такие как олеиновая кислота, димерная кислота или нафталиновая кислота), металлическое мыло карбоновой кислоты, сульфонат, аминная соль, сложные эфиры (сложный эфир глицерина или фосфорнокислый сложный эфир высшей жирной кислоты), хелатные соединения, такие как этилендиаминтетрауксусная кислота, глюконовая кислота, нитрилтриуксусная кислота, гидроксиэтилэтилендиаминтриуксусная кислота или диэтилентриаминпентауксусная кислота, и фтористое выравнивание смолы. В частности, является предпочтительной фосфорнокислая обработка и грунтовка из фтористой смолы.

"Предварительная обработка" может предпочтительно применяться в качестве способа обработки, который приводит к продлению антикоррозийного периода через обработку покрытия на предварительной стадии антикоррозионной обработки, хотя и не предотвращает коррозию непосредственно в отличие от прямой обработки покрытия.

Что касается конкретного примера такой предварительной обработки, может быть приведена в качестве примера обработка для удаления различных факторов коррозии, таких как хлорид или сульфат, присутствующих на металлической поверхности, посредством промывания или полировки.

Ниже будут сделаны описания для способа формирования структуры с применением описанного выше органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления согласно настоящему изобретению.

Способ формирования структуры по настоящему изобретению включает в себя:

(A) формирование пленки (резистной пленки химического усиления) из резистного состава химического усиления,

(B) экспонирование пленки и

(C) проявку экспонированной пленки с применением органического проявителя.

Здесь, органический проявитель на этапе (C) представляет собой органический проявитель, такой как описанный выше органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления согласно настоящему изобретению, и его конкретные и предпочтительные примеры являются такими же, как описаны выше.

Экспонирование в экспонировании пленки может быть иммерсионным экспонированием.

Способ формирования структуры по настоящему изобретению может, предпочтительно, включать в себя этап нагревания после этапа экспонирования.

Способ формирования структуры по настоящему изобретению может, предпочтительно, дополнительно включать в себя этап проявки с применением щелочного проявителя.

В способе формирования структуры по настоящему изобретению этап экспонирования может выполняться несколько раз.

В способе формирования структуры по настоящему изобретению этап нагрева может выполняться несколько раз.

В способе формирования структуры по настоящему изобретению этап экспонирования и этап проявки могут выполняться в соответствии с известным обычным способом.

Способ может, предпочтительно, включать в себя этап предварительного обжига (PB) после того, как пленка была сформирована перед этапом экспонирования.

Метод может также, предпочтительно, включать в себя этап обжига после экспонирования (PEB) после этапа экспонирования перед этапом проявки.

На обоих этапах PB и PEB нагревание может быть предпочтительно выполнено при температуре в пределах от 70°C до 130°C, и, более предпочтительно, от 80°C до 120°C.

Время нагревания, предпочтительно, находится в диапазоне от 30 с до 300 с, более предпочтительно от 30 с до 180 с и, еще более предпочтительно, от 30 с до 90 с.

Нагревание может быть выполнено с применением средств, оборудованных обычным механизмом экспонирования/проявки, или может быть выполнено с применением, например, нагревательной пластины.

Посредством обжига ускоряется реакция в экспонированной области, и, таким образом, улучшается чувствительность или профиль структуры.

Длина волны источника света, используемая в устройстве экспонирования в настоящем изобретении, не ограничивается, но примеры источника света могут включать инфракрасный свет, видимый свет, ультрафиолетовый свет, дальний ультрафиолетовый свет, коротковолновый ультрафиолетовый свет, рентгеновский луч, электронный пучок и т.п. Источник света может представлять собой дальний ультрафиолетовый свет с длиной волны, предпочтительно, 250 нм или менее, более предпочтительно, 220 нм или менее, и, особенно предпочтительно, от 1 нм до 200 нм. В частности, источник света может представлять собой KrF эксимерный лазер (248 нм), ArF эксимерный лазер (193 нм), F₂ эксимерный лазер (157 нм), рентген, EUV (13 нм), электронный пучок или т.п. KrF эксимерный лазер, ArF эксимерный лазер, EUV или электронный пучок являются предпочтительными, и ArF эксимерный лазер является более предпочтительным.

Далее, на этапе экспонирования по настоящему изобретению может быть применен иммерсионный способ экспонирования.

Иммерсионный способ экспонирования представляет собой методику для повышения раз