Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту

Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Это изобретение относится по существу к композиции для очистки после химико-механического полирования (после-СМР) и ее применению для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек. Кроме того, это изобретение относится к применению очищающей композиции после СМР для удаления остатков и загрязнений, содержащих бензотриазол после СМР. В частности, это изобретение относится к применению очищающей композиции после СМР для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих электропроводящие слои (такие как медные слои), электроизолирующие диэлектрические слои (такие как слои диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью) и барьерные слои (такие как слои тантала, нитрида тантала, нитрида титана или рутения) после СМР.

Описание предшествующего уровня техники

В полупроводниковой промышленности химико-механическое полирование (сокращенно СМР) является широко известной технологией, применяемой в изготовлении современных фотонных, микроэлектромеханических и микроэлектронных материалов и устройств, таких как полупроводниковые платы.

В ходе изготовления материалов и устройств, применяемых в полупроводниковой промышленности, СМР используется для выравнивания металлических и/или оксидных поверхностей. СМР использует взаимосвязь химического и механического воздействия для достижения выравнивания поверхностей, которые следует полировать. Процесс СМР сам по себе включает в себя удерживание и вращение тонкой, плоской подложки полупроводникового устройства по отношению к увлажненному полировальнику при контролируемых давлении и температуре в присутствии суспензий СМР. Суспензии СМР содержат абразивные материалы и различные химические добавки в соответствии с конкретным процессом СМР и требованиями. После процесса СМР загрязнения и остатки, содержащие частицы из суспензий СМР, добавленные химикаты, и реакционные побочные продукты, остаются на полированной поверхности подложки. Эти остатки, которые остаются на подложках после обработки посредством СМР, могут также включать соединения-ингибиторы коррозии, такие как бензотриазол (ВТА), который может - если, например, концентрация ионов меди превышает максимальную растворимость комплексов медь-ингибитор во время СМР - осаждаться из раствора и коагулировать в поверхностный остаток. Кроме того, полирование поверхности подложки, имеющей медь/диэлектрики с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью, часто генерирует обогащенные углеродом частицы, которые осаждаются на поверхность после СМР.

Однако все остатки и загрязнения должны быть удалены перед любыми дальнейшими стадиями в процессе изготовления микроэлектронного устройства, чтобы избежать снижения надежности устройства и внедрения дефектов в микроэлектронные устройства.

В современном уровне развития техники, композиции для очистки после СМР, содержащие сахарные спирты или их производные, известны и описаны, например, в следующих ссылках.

US 7922823 В2 раскрывает способ обработки подложки микроэлектронного устройства для удаления из него нежелательного материала, причем указанный способ включает в себя контактирование подложки микроэлектронного устройства после СМР с эффективным количеством композиции, содержащей (i) алканоламин, (ii) гидроксид четвертичного аммония и (iii) специфический комплексообразователь, где комплексообразователь может включать - среди прочего - глицерин, сорбит, ксилит, при условии, что комплексообразователь не включает лимонную кислоту. Композиция АР, описанная в US 7922823 В2, содержит 9% моноэтаноламина, 5% гидроксида тетраметиламмония, 3,8% сорбита, балансовую воду и показывает хорошую очищающую эффективность действия.

В современном уровне техники, композиции для очистки после СМР, содержащие поликарбоновые кислоты, известны и описаны, например, в следующих ссылках.

US 7087562 В2 раскрывает промывочную жидкую композицию после-СМР, состоящую из одного типа или двух или более типов алифатических поликарбоновых кислот и одного типа или двух или более типов, выбранных из группы, состоящей из глиоксиловой кислоты, аскорбиновой кислоты, глюкозы, фруктозы, лактозы и маннозы, причем промывочная жидкая композиция имеет pH менее, чем 3,0.

US 2010/0286014 A1 раскрывает кислотную композицию, содержащую по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество, по меньшей мере один диспергатор, по меньшей мере один углеводород, содержащий сульфоновую кислоту, и воду, в которой указанная кислотная композиция является подходящей для очистки остатка и загрязнений с микроэлектронного устройства, имеющего на себе указанный остаток и загрязнения. Например, композиция содержит один из составов А, В или С: алкилбензолсульфоновая кислота, полиакриловая кислота и метансульфоновая кислота (состав А); додецилбензолсульфоновая кислота, полиакриловая кислота и метансульфоновая кислота (состав В); или додецилбензолсульфоновая кислота, полиакриловая кислота, метансульфоновая кислота и лимонная кислота (состав С).

В современном уровне техники композиции для очистки после СМР, содержащие соединение, содержащее тиольную, тиоэфирную или тиокарбонильную группу, известны и описаны, например, в следующих ссылках.

US 2005/0197266 A1 раскрывает композицию для очистки полупроводникового изделия, причем композиция содержит:

(a) очищающее средство, выбранное из группы, состоящей из: (i) цитрата аммония; (ii) оксалата аммония; (iii) аспарагиновой кислоты; (iv) бензойной кислоты; (v) лимонной кислоты; (vi) цистеина; (vii) глицина; (viii) глюконовой кислоты; (ix) глутаминовой кислоты; (х) гистидина; (xi) малеиновой кислоты; (xii) щавелевой кислоты; (xiii) пропионовой кислоты; (xiv) салициловой кислоты; (xv) винной кислоты; (xvi) и их смесей; и

(b) соединение, ингибирующее коррозию, выбранное из группы, состоящей из: (i) аскорбиновой кислоты; (ii) бензотриазола; (iii) кофейной кислоты; (iv) коричной кислоты; (v) цистеина; (vi) глюкозы; (vii) имидазола; (viii) меркаптотиазолина; (ix) меркаптоэтанола; (x) меркаптопропионовой кислоты; (xi) меркаптобензотиазола; (xii) меркаптометилимидазола; (xiii) дубильной кислоты; (xiv) тиоглицерина; (xv) тиосалициловой кислоты; (xvi) триазола; (xvii) ванилина; (xviii) ванилиновой кислоты; (xix) и их смесей. Например, композиция для очистки содержит цитрат аммония, аскорбиновую кислоту и цистеин.

WO 2011/000694 А1 раскрывает водную щелочную очищающую композицию, содержащую (а) по меньшей мере одну тиоаминокислоту, имеющую по меньшей мере одну первичную аминогруппу и по меньшей мере одну меркаптогруппу, (b) по меньшей мере один гидроксид четвертичного аммония, (с) по меньшей мере одно конкретное хелатирующее и/или ингибирующее коррозию средство, и (d) по меньшей мере один органический растворитель, имеющий увлажняющие свойства и температуру плавления ниже 0°C. Например, очищающая композиция содержит L-цистеин, гидроксид тетраметиламмония (называемый далее ТМАН), этилендиамин и простой монобутиловый эфир диэтиленгликоля.

WO 2011/000758 А1 раскрывает водную щелочную очищающую композицию, содержащую (а) по меньшей мере одну тиоаминокислоту, имеющую по меньшей мере одну вторичную или третичную аминогруппу и по меньшей мере одну меркаптогруппу, и (b) по меньшей мере один гидроксид четвертичного аммония. Например, очищающая композиция содержит N-ацетилцистеин, ТМАН, этилендиамин и простой монобутиловый эфир диэтиленгликоля. В еще одном примере, очищающая композиция содержит N-ацетилцистеин, ТМАН, диэтилентриамин, 1,2,4-триазол, лимонную кислоту и поверхностно-активное вещество, такое как 3,5-диметил-1-гексин-3-ол или лаурат полиоксиэтиленсорбита.

Цели изобретения

Одна из целей настоящего изобретения заключалась в предоставлении композиции для очистки после СМР и способа очистки после СМР, подходящих для очистки после СМР содержащих медь микроэлектронных подложек и проявляющих улучшенные характеристики очистки, в частности

(i) эффективное предотвращение нежелательной коррозии содержащих медь поверхностей, или

(ii) высокую эффективность удаления остатков и загрязнений, которые остаются после стадии СМР, или

(iii) высокую эффективность удаления пассивирующих пленок, особенно бензотриазольных пленок, с содержащих медь поверхностей, или

(iv) применимость в интервале умеренного pH, таком как от 4 до 8, или

(v) комбинацию (i)-(iv).

Кроме того, одна из целей настоящего изобретения заключалась в предоставлении композиции для очистки после СМР, не содержащей или содержащей минимальные количества органических растворителей, которые могут вызывать беспокойство, связанное с охраной окружающей среды и безопасностью. Кроме того, одна из целей настоящего изобретения заключалась в предоставлении композиции для очистки после СМР, которая не вызывает увеличения шероховатости поверхности содержащей медь поверхности или увеличения на ней дефектов. Последнее, но немаловажное состоит в том, что пытались найти способ очистки после СМР, который легко применять и который требует минимального количества возможных стадий.

Сущность изобретения

Соответственно, была найдена композиция для очистки после СМР, содержащая:

(A) по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR¹) или тиокарбонильную (>C=S) группу, в которой R¹ представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,

(B) по меньшей мере один сахарный спирт, который содержит по меньшей мере три гидроксильных (-ОН) группы и не содержит никакую группу карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатные (-СОО^-) группы, и

(C) водную среду.

Эта композицию для очистки после СМР согласно изобретению далее упоминается как (Q1) или композиция (Q1).

Согласно еще одному аспекту изобретения, была найдена композиция для очистки после СМР, содержащая:

(А) по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR¹) или тиокарбонильную (>C=S) группу, в котором R¹ представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,

(L) по меньшей мере одну олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, и

(С) водную среду

Эта композицию для очистки после СМР согласно изобретению далее упоминается как (Q2) или композиция (Q2).

(Q1) и/или (Q2) в общем случае далее упоминаются как (Q) или композиция (Q).

Кроме того, было найдено применение композиции (Q) для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для промышленного изготовления микроэлектронных устройств.

Кроме того, был найден способ промышленного изготовления микроэлектронных устройств из полупроводниковых подложек, включающий в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией (Q). Этот способ изобретения далее упоминается как способ (Р).

Предпочтительные варианты выполнения объясняются в формуле изобретения и описании. Понятно, что комбинации предпочтительных вариантов выполнения находятся в пределах объема настоящего изобретения.

Преимущества изобретения

Принимая во внимание предшествующий уровень техники, обсуждаемый выше, было неожиданным и не могло ожидаться специалистом в данной области, что задачи, лежащие в основе настоящего изобретения, могли бы решаться посредством композиции (Q) и посредством способа (Р).

Особенно неожиданным было то, что композиция (Q) и способ (Р) превосходным образом подходили для последующей обработки подложек, применимых для изготовления электрических устройств, в частности, полупроводниковых интегральных схем (ИС), более предпочтительно ИС с БИС (большими интегральными схемами) или ОБИС (очень большими интегральными схемами). Даже более неожиданным было то, что композиция (Q) и способ (Р) наиболее превосходно подходили для способов высокоточного изготовления, включающих в себя между прочих стадии подготовки поверхности, предварительной очистки покрытий, очистки после травления и/или очистки после СМР. Композиция (Q) и способ (Р) были наиболее особенно хорошо подходящими для осуществления вышеуказанных стадий очистки, в частности, очистки после СМР полупроводниковых плат и изготовления ИС с БИС или ОБИС, в частности, посредством способа посредством медной узорной инкрустации или двойной узорной инкрустации.

Все виды остатков и загрязнений, генерируемых во время подготовки поверхности подложки, осаждения, покрытия, травления и СМР - в частности во время СМР - удалялись наиболее эффективно композицией (Q) и посредством способа (Р), и было гарантировано, что подложки, в частности ИС, не содержали остатки и загрязнения, которые иначе оказывали бы неблагоприятное воздействие на функции электрических и оптических устройств, в частности ИС, или делали бы их даже бесполезными для выполнения их предназначенных функций. В частности, образование царапин, травление и появление шероховатости на медной металлизации в инкрустированных структурах предотвращались композицией (Q) и способом (Р). Кроме того, пассивирующая пленка, особенно, пленка бензотриазола, также полностью удалялась с содержащих медь поверхностей композицией (Q) и посредством способа (Р). Кроме того, коррозия содержащих медь поверхностей предотвращалась композицией (Q) и посредством способа (Р). Последним, но немаловажным является то, что композиция (Q) и способ (Р) были применимы в умеренном интервале pH, таком как от 4 до 8.

Подробное описание изобретения

Композицию (Q) применяют для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для изготовления микроэлектронных устройств. Указанные остатки и загрязнения могут представлять собой любые остатки и загрязнения, включающие, но не ограниченные ими, абразивные частицы, остатки от обработки, оксиды металлов, включая оксид меди, ионы металлов, соли, пассивирующие пленки, и изношенные или разложившиеся диэлектрики с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью. Указанные остатки и загрязнения предпочтительно содержат пассивирующую пленку, более предпочтительно содержат N-гетероциклическое соединение, наиболее предпочтительно содержат диазолы, триазолы, тетразолы или их производные, особенно предпочтительно содержат бензотриазол или его производное, например, содержат бензотриазол. В частности, (Q) применяют для удаления остатков и загрязнений, содержащих бензотриазол или его производное, с содержащей медь поверхности полупроводниковой подложки после СМР. Например, (Q) применяют для удаления пассивирующей пленки, содержащей бензотриазол, с содержащей медь поверхности полупроводниковой подложки после СМР.

Предпочтительно, композицию (Q) применяют для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для промышленного изготовления микроэлектронных устройств, после СМР. Более предпочтительно, композицию (Q) применяют для удаления остатков и загрязнений с указанной поверхности после того, как указанная поверхность была отполирована на стадии СМР.

Указанные полупроводниковые подложки предпочтительно содержат электропроводящие слои, электроизолирующие диэлектрические слои и барьерные слои, более предпочтительно содержат

- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,

- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью, и

- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, рутений-нитрид, рутений-карбид, или нитрид рутения вольфрама или состоящие из них.

Несмотря на то, что композиция (Q) может преимущественно применяться для других целей, она в частности хорошо подходит для способа (Р).

Микроэлектронные устройства могут быть промышленно изготовлены из полупроводниковых подложек посредством способа (Р), способ (Р) включает в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией (Q). Указанные остатки и загрязнения предпочтительно содержат пассивирующую пленку, более предпочтительно содержат N-гетероциклическое соединение, наиболее предпочтительно содержат диазолы, триазолы, тетразолы, или их производное, особенно предпочтительно содержат бензотриазол или его производное, например, содержат бензотриазол. В частности, (Р) включает в себя стадию удаления остатков и загрязнений, содержащих бензотриазол или его производное с содержащей медь поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с (Q).

Предпочтительно, способ (Р) включает в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией (Q) после СМР. Более предпочтительно, способ (Р) включает в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией (Q) после полирования указанной поверхности на стадии СМР.

Способ (Р) может применяться не только для очистки после СМР, но также для удаления фоторезиста и удаления остатков после травления. Однако, способ (Р) проявляет свои особенные преимущества при очистке после СМР вышеописанных полупроводниковых подложек.

Композиция (Q) содержит по меньшей мере одно соединение (А), содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR¹) или тиокарбонильную (>C=S) группу, в которой R¹ представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Предпочтительно, композиция (Q) содержит одно соединение (А).

Как правило, соединение (А) может содержаться в композиции (Q) в различных количествах, и количества или концентрацию (А) можно регулировать наиболее преимущественным образом согласно конкретным требованиям к данной композиции, применению и способу согласно изобретению. Количество (А) составляет предпочтительно не более чем 1,5 массовых процента (далее упоминаются как "мас. %"), более предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,1 мас. %, в частности, не более чем 0,07 мас. %, например не более чем 0,05 мас. %, на основе общей массы композиции (Q). Количество (А) составляет предпочтительно по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,004 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,01 мас. %, например по меньшей мере 0,03 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).

Предпочтительно, соединение (А) представляет собой соединение, содержащее

(А1) по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR¹) или тиокарбонильную (>C=S) группу и

(А2) по меньшей мере одну амино (-NH2, -NHR² или -NR³R⁴) группу,

в которой R¹, R², R³ и R⁴ представляют собой - независимо друг от друга - алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Для части (А2), как правило, более предпочтительными являются аминогруппы -NH₂ и -NHR₂, и наиболее предпочтительными являются аминогруппы -NH₂.

Согласно одному варианту выполнения, соединение (А) предпочтительно представляет собой соединение, содержащее

(А1) по меньшей мере одну тиокарбонильную группу (>C=S) и

(А2) по меньшей мере одну аминогруппу (-NH₂, -NHR², или -NR³R⁴),

в котором R², R³ и R⁴ представляют собой - независимо друг от друга - алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Более предпочтительно, (А) представляет собой соединение, содержащее

(А1) одну тиокарбонильную группу (>C=S) и

(А2) по меньшей мере две аминогруппы (-NH₂, -NHR², или -NR³R⁴).

Наиболее предпочтительно, (А) представляет собой тиомочевину или ее производное. В частности, (А) является тиомочевиной.

Согласно еще одному варианту выполнения, соединение (А) предпочтительно представляет собой соединение, содержащее

(A1) по меньшей мере одну тиольную (-SH), или тиоэфирную (-SR¹) группу, и

(А2) по меньшей мере одну аминогруппу (-NH₂, -NHR², или -NR³R⁴),

в котором R¹, R², R³ и R⁴ представляют собой - независимо друг от друга - алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Более предпочтительно, (А) представляет собой аминокислоту, содержащую по меньшей мере одну тиольную (-SH) или тиоэфирную (-SR¹) группу, или производное этой аминокислоты, в которой R¹ представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Наиболее предпочтительно, (А) представляет собой аминокислоту, содержащую по меньшей мере одну тиольную группу (-SH) или производное этой аминокислоты. В частности, (А) представляет собой аминокислоту, содержащую одну тиольную группу (-SH) или производное этой аминокислоты. Особенно предпочтительно, (А) представляет собой цистеин, цистин, глутатион, N-ацетилцистеин или их производное. Например, (А) является цистеином или N-ацетилцистеином.

R¹ может, как правило, представлять собой любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R¹ является предпочтительно алкилом, более предпочтительно незамещенным алкилом, наиболее предпочтительно алкилом, содержащим от 1 до 20 атомов углерода, в частности алкилом, содержащим от 1 до 10 атомов углерода, например, алкилом, содержащим от 1 до 4 атомов углерода.

R² может, как правило, представлять собой любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R² является предпочтительно алкилом, более предпочтительно незамещенным алкилом, наиболее предпочтительно алкилом, содержащим от 1 до 20 атомов углерода, в частности алкилом, содержащим от 1 до 10 атомов углерода, например, алкилом, содержащим от 1 до 4 атомов углерода.

R³ может, как правило, представлять собой любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R³ является предпочтительно алкилом, более предпочтительно незамещенным алкилом, наиболее предпочтительно алкилом, содержащим от 1 до 20 атомов углерода, в частности алкилом, содержащим от 1 до 10 атомов углерода, например, алкилом, содержащим от 1 до 4 атомов углерода.

R⁴ может, как правило, представлять собой любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R⁴ является предпочтительно алкилом, более предпочтительно незамещенным алкилом, наиболее предпочтительно алкилом, содержащим от 1 до 20 атомов углерода, в частности алкилом, содержащим от 1 до 10 атомов углерода, например, алкилом, содержащим от 1 до 4 атомов углерода в частности C₁-С₁₀алкилом, например C₁-С₄алкилом.

Композиция (Q1) содержит по меньшей мере один сахарный спирт, который содержит по меньшей мере три гидроксильные группы (-ОН) и не содержит никакой группы карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатной группы (-СОО^-). Композиция (Q2) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере один сахарный спирт, который содержит по меньшей мере три гидроксильные группы (-ОН) и не содержит никакой группы карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатной группы (-СОО^-).

Как правило, указанный сахарный спирт (В) может содержаться в различных количествах в композиции (Q), и количества или концентрацию (В) можно регулировать наиболее преимущественным образом согласно конкретным требованиям данной композиции, применения и способа согласно изобретению. Предпочтительно, количество (В) составляет не более чем 1,5 мас. %, более предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,2 мас. %, в частности, не более чем 0,1 мас. %, например не более чем 0,06 мас. %, на основе общей массы композиции (Q). Предпочтительно, количество (В) составляет по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,007 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,02 мас. %, например по меньшей мере 0,04 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).

Как правило, сахарный спирт представляет собой гидрированную форму углевода, карбонильная группа или ацетальная группа которого были восстановлены до первичной или вторичной гидроксильной группы.

Указанный сахарный спирт (В) содержит предпочтительно по меньшей мере четыре гидроксильные группы (-ОН), более предпочтительно от 4 до 18 гидроксильных групп (-ОН), наиболее предпочтительно от 4 до 9 гидроксильных (групп -ОН), в частности от 4 до 6 гидроксильных групп (-ОН), например, 4 гидроксильные группы (-ОН).

Как правило, гидроксильные группы (-ОН), содержащиеся в указанном сахарном спирте (В), могут представлять собой любой тип гидроксильных групп (-ОН). Предпочтительно, указанные гидроксильные группы (-ОН) представляют собой такие гидроксильные группы (-ОН), которые по существу не способны к диссоциации в водной среде, более предпочтительно, указанные гидроксильные группы (-ОН) представляют собой такие гидроксильные (-ОН) группы, которые не способны к диссоциации в водной среде.

Как правило, указанный сахарный спирт (В) может представлять собой насыщенный сахарный спирт, т.е. сахарный спирт, который не содержит никаких двойных или тройных С-С связей, или ненасыщенный сахарный спирт, т.е. сахарный спирт, содержащий по меньшей мере одну двойную или тройную С-С связь. Предпочтительно, (В) представляет собой насыщенный сахарный спирт. Более предпочтительно, (В) представляет собой насыщенный сахарный спирт, который содержит по меньшей мере четыре гидроксильные группы (-ОН).

Как правило, указанный сахарный спирт (В) может представлять собой замещенный или незамещенный сахарный спирт и является предпочтительно О-замещенным (т.е. замещенным по меньшей мере по одному из атомов кислорода сахарного спирта) или незамещенный сахарный спирт, более предпочтительно моно-О-замещенный (т.е. замещенный по одному из атомов кислорода сахарного спирта) или незамещенный сахарный спирт, наиболее предпочтительно незамещенный сахарный спирт. Примерами моно-О-замещенных сахарных спиртов (В) являются изомальт, мальтит или лактит, примерами незамещенных сахарных спиртов (В) являются эритрит, треит, арабит, ксилит, рибит, маннит, сорбит, галактит, идит или инозит.

Предпочтительно, указанный сахарный спирт (В) представляет собой

(B1) альдит, выбранный из группы, состоящей из тетрита, пентита, гексита, гептита и октита, или их димеров или олигомеров или

(B2) циклит или его димеры или олигомеры или

(В3) пентаэритрит или его димеры или олигомеры

или их смесь. Более предпочтительно, (В) является (В1). Наиболее предпочтительно, (В) представляет собой тетрит, пентит, или гексит или их смесь. Особенно предпочтительно, (В) представляет собой эритрит, треит, арабит, ксилит, рибит, маннит, сорбит, галактит, идит, изомальт, мальтит, лактит или их стереоизомер или их смесь. Наиболее особенно предпочтительно, (В) представляет собой эритрит, треит, ксилит, маннит, сорбит или их стереоизомер или их смесь. В частности, (В) представляет собой эритрит, треит или их стереоизомер или их смесь. Например, (В) представляет собой эритрит.

В варианте выполнения, где указанный сахарный спирт (В) представляет собой (В2), (В2) более предпочтительно является О-замещенным или незамещенным инозитом, или его стереоизомером, или их смесью, и (В2) наиболее предпочтительно представляет собой незамещенный инозит, или его стереоизомер, или их смесь, и (В2) является, например, инозитом.

Согласно изобретению, композиция (Q) содержит водную среду (С). (С) может быть одного типа или смесью различных типов водных сред.

Как правило, водной средой (С) может быть любая среда, которая содержит воду. Предпочтительно водная среда (С) представляет собой смесь воды и органического растворителя, совместимого с водой (например, спирта, предпочтительно спирта, содержащего от 1 до 3 атомов углерода, или производного алкиленгликоля). Более предпочтительно, водной средой (С) является вода. Наиболее предпочтительно, водной средой (С) является деионизированная вода.

Если количества компонентов, отличающихся от (С), в общем составляют у мас. % от композиции (Q), тогда количество (С) равно (100-y) мас. % композиции (Q).

Композиция (Q) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере один хелатообразующий агент (D) металла, предпочтительно один хелатообразующий агент (D) металла. В общем случае, хелатообразующий агент металла, используемый в композиции для очистки после СМР, представляет собой химическое соединение, которое образует растворимые молекулы комплексов с некоторыми ионами металлов, инактивируя ионы таким образом, что они не могут нормально взаимодействовать с другими элементами или ионами с получением осадков или окалины.

Как правило, указанный хелатообразующий агент (D) металла может содержаться в композиции (Q) в различных количествах, и количества или концентрацию (D) можно регулировать наиболее преимущественным образом согласно конкретным требованиям данной композиции, применению и способу согласно изобретению. Предпочтительно, количество (D) составляет не более чем 1,5 мас. %, более предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,2 мас. %, в частности, не более чем 0,1 мас. %, например, не более чем 0,06 мас. %, на основе общей массы композиции (Q). Предпочтительно, количество (D) составляет по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,007 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,02 мас. %, например по меньшей мере 0,04 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).

Предпочтительно, хелатообразующий агент (D) металла представляет собой соединение, содержащее по меньшей мере две группы карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатные группы (-СОО^-). Более предпочтительно, (D) представляет собой соединение, содержащее по меньшей мере три группы карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатные группы (-СОО^-). Наиболее предпочтительно, хелатообразующий агент (D) металла выбирают из группы, состоящей из

(D1) пропан-1,2,3-трикарбоновой кислоты,

(D2) лимонной кислоты,

(D3) бутан-1,2,3,4-тетракарбоновой кислоты,

(D4) пентан-1,2,3,4,5-пентакарбоновой кислоты,

(D5) тримеллитовой кислоты,

(D6) тримезитовой кислоты,

(D7) пиромеллитовой кислоты,

(D8) меллитовой кислоты, и

(D9) олигомерных и полимерных поликарбоновых кислот.

Особенно предпочтительно, (D) выбирают из группы, состоящей из (D1), (D2), (D3), (D4), (D5), (D6), (D7) и (D8). В частности, (D) выбирают из группы, состоящей из (D1), (D2), (D3) и (D4). Например, хелатообразующий агент (D) металла представляет собой лимонную кислоту (D2).

В варианте выполнения, где хелатообразующим агентом (D) металла является (D9), среднемассовая молекулярная масса (D9), как определяют посредством гельпроникающей хроматографии, составляет предпочтительно менее чем 20000 Дальтон, более предпочтительно менее чем 15000 Дальтон, наиболее предпочтительно менее чем 10000 Дальтон, в частности, менее чем 5000 Дальтон, и предпочтительно более чем 500 Дальтон, более предпочтительно более чем 1000 Дальтон, наиболее предпочтительно более чем 2000 Дальтон, в частности, более чем 2500 Дальтон. (D9) могут представлять собой гомополимеры, т.е., гомополимеры или сополимеры полиакриловой кислоты или полиметакриловой кислоты - предпочтительно полиакриловой кислоты. Указанные сополимеры могут содержать по существу любые подходящие другие мономерные звенья, предпочтительно мономерные звенья, содержащие по меньшей мере одну группу карбоновой кислоты, в частности, мономерные звенья, являющиеся производными от фумаровой кислоты, малеиновой кислоты, итаконовой кислоты, аконитовой кислоты, мезаконовой кислоты, цитраконовой кислоты, метиленмалоновой кислоты или малеинового ангидрида. Наиболее предпочтительно, указанный сополимер является сополимером малеиновой кислоты/акриловой кислоты. Например, указанный сополимер представляет собой Sokalan^® CP 12 S.

Олигомерная поликарбоновая кислота является поликарбоновой кислотой, содержащей по меньшей мере 7 групп карбоновой кислоты. Полимерная поликарбоновая кислота является поликарбоновой кислотой, содержащей по меньшей мере 30 групп карбоновой кислоты.

Композиция (Q2) содержит по меньшей мере одну олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту (L).

Как правило, олигомерная или полимерная поликарбоновая кислота (L) может содержаться в композиции (Q) в различных количествах, и количества или концентрацию (L) можно регулировать наиболее преимущественным образом согласно конкретным требованиям данной композиции, применению и способу согласно изобретению. Предпочтительно, количество (L) составляет не более чем 1,5 мас. %, более предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,2 мас. %, в частности, не более чем 0,1 мас. %, например не более чем 0,06 мас. %, на основе общей массы композиции (Q). Предпочтительно, количество (L) составляет по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,007 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,02 мас. %, например по меньшей мере 0,04 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).

(L) является олигомерной или полимерной поликарбоновой кислотой, содержащей по меньшей мере 7, предпочтительно по меньшей мере 9, более предпочтительно по меньшей мере 12, наиболее предпочтительно по меньшей мере 16, особенно предпочтительно по меньшей мере 20, в частности, по меньшей мере 25, например по меньшей мере 30 групп карбоновой кислоты.

(L) является предпочтительно олигомерной или полимерной поликарбоновой кислотой, содержащей мономерные звенья акриловой кислоты и/или метакриловой кислоты, более предпочтительно олигомерной или полимерной поликарбоновой кислотой, содержащей мономерные звенья акриловой кислоты. Среднемассовая молекулярная масса (L), как определяют посредством гельпроникающей хроматографии, составляет предпочтительно менее чем 20000 Дальтон, более предпочтительно менее чем 15000 Дальтон, наиболее предпочтительно менее чем 10000 Дальтон, в частности, менее чем 5000 Дальтон, и предпочтительно более чем 500 Дальтон, более предпочтительно более чем 1000 Дальтон, наиболее предпочтительно более чем 2000 Дальтон, в частности, более чем 2500 Дальтон. (L) могут представлять собой гомополимеры, т.е., гомополимеры или сополимеры полиакриловой кислоты или полиметакриловой кислоты - предпочтительно полиакриловой кислоты. Более предпочтительно, (L) является сополимером, содержащим мономерные звенья акриловой кислоты. Указанный сополимер, содержащий мономерные звенья акриловой кислоты, может содержать по существу любые подходящие другие мономерные звенья, предпочтительно мономерные звенья, содержащие по меньшей мере одну группу карбоновой кислоты, в частности, мономерные звенья, производные от фумаровой кислоты, малеиновой кислоты, итаконовой кислоты, аконитовой кислоты, мезаконовой кислоты, цитраконовой кислоты, метиленмалоновой кислоты или малеинового ангидрида. Наиболее предпочтительно, указанный сополимер является сополимером малеиновой кислоты/акриловой кислоты. Например, указанный сополимер представляет собой Sokalan^® CP 12 S.

Композиция (Q) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество (Е), предпочтительно одно поверхностно-активное вещество (Е), более предпочтительно одно поверхностно-активное вещество (Е), которое выбирают из группы растворимых воде или диспергируемых в воде- предпочтительно растворимых в воде - амфифильных неионогенных поверхностно-активных веществ (Е1), (Е2) и (E3).

В общем случае, поверхностно-активное вещество, используемое в композиции для очистки после СМР, представляет собой поверхностно-активное соединение, которое уменьшает поверхностное натяжение жидкости, межфазное натяжение на границе раздела фаз между двумя жидкостями или межфазное натяжение на границе раздела фаз между жидкостью и твердым веществом.

Как правило, указанное поверхностно-активное вещество (Е) может содержаться в композиции (Q) в различных количествах, и количества или концентрацию (Е) можно регулировать наиболее преимущественным образом согласно конкретным требованиям данной композиции, применению и способу согласно изобретению. Предпочтительно, количество (Е) составляет не более чем 5 мас. %, более предпочтительно не более чем 2 мас. %, наиболее предпочтительно