Кристаллы производных диспиропирролидина

Кристаллы производных диспиропирролидина

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники

Настоящее изобретение относится к кристаллам соединения диспиропирролидина, обладающим противоопухолевой активностью вследствие ингибирования murine double minute 2 (Mdm2) или его соли.

Предшествующий уровень техники

р53 известен как важный фактор ингибирования злокачественного перерождения клеток. Р53 представляет собой фактор транскрипции, который индуцирует экспрессию генов, вовлеченных в клеточный цикл и апоптоз клеток в ответ на различные стрессы. Считают, что р53 ингибирует злокачественное перерождение клеток вследствие его функции регуляции транскрипции. Действительно, делецию или мутацию гена р53 наблюдают в около половины всех случаев рака человека.

Между тем, повышенная экспрессия murine double minute 2 (Mdm2), варианта Е3 убиквитинлигазы, известна как фактор злокачественного перерождения клеток, которые становятся злокачественными, несмотря на присутствие нормального р53. Mdm2 представляет собой белок, чья экспрессия индуцируется р53. Mdm2 отрицательно регулирует р53 путем разрушения р53 в результате связывания домена транскрипционной активности р53, снижения транскрипционной активности р53, экспорта р53 из ядра и в последующем действуя в отношении р53 как убиквитинлигаза. Следовательно, считают, что инактивация функций и деградация р53 запускаются в клетках, в которых повышается экспрессия Mdm2, что приводит к злокачественному перерождению (непатентный документ 1).

Принимая во внимание указанные функции Mdm2, было предложено множество подходов использования веществ, которые ингибируют подавление функций р53 в результате действия Mdm2, как кандидатов в противоопухолевые средства. Были описаны примеры ингибиторов Mdm2, нацеленных на сайты связывания Mdm2-р53, которые включают производные спирооксиндола (патентные документы 1-15, непатентный документы 1-3), производные индола (патентный документ 16), производные пирролидин-2-карбоксамида (патентный документ 17), производные пирролидинона (патентный документ 18) и производные изоиндолинона (патентный документ 19, непатентный документ 4).

Список ссылок

Патентные документы

Патентный документ 1: WO 2006/091646.

Патентный документ 2: WO 2006/136606.

Патентный документ 3: WO 2007/104664.

Патентный документ 4: WO 2007/104714.

Патентный документ 5: WO 2008/034736.

Патентный документ 6: WO 2008/036168.

Патентный документ 7: WO 2008/055812.

Патентный документ 8: WO 2008/141917.

Патентный документ 9: WO 2008/141975.

Патентный документ 10: WO 2009/077357.

Патентный документ 11: WO 2009/080488.

Патентный документ 12: WO 2010/084097.

Патентный документ 13: WO 2010/091979.

Патентный документ 14: WO 2010/094622.

Патентный документ 15: WO 2010/121995.

Патентный документ 16: WO 2008/119741.

Патентный документ 17: WO 2010/031713.

Патентный документ 18: WO 2010/028862.

Патентный документ 19: WO 2006/024837.

Непатентные документы

Непатентный документ 1: J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 10130-10131.

Непатентный документ 2: J. Med. Chem., 2006, 49, 3432-3435.

Непатентный документ 3: J. Med. Chem., 2009, 52, 7970-7973.

Непатентный документ 4: J. Med. Chem., 2006, 49, 6209-6221.

Сущность изобретения

Техническая проблема

Производное диспиропирролидина проявляет превосходную активность ингибирования Mdm2 и, следовательно, ожидаемо может использоваться в качестве лекарственного средства, в особенности, в качестве противоракового средства. Кроме того, для промышленного производства достоверно важно обнаружить кристаллы производного.

Решение проблемы

Авторы настоящего изобретения провели обширные исследования улучшения медицинской применимости производного диспиропирролидина, которое проявляет активность ингибирования Mdm2 и обладает противоопухолевой активностью, и улучшения свойств твердого состояния с указанной целью. В результате, авторы настоящего изобретения обнаружили кристаллы производного диспиропирролидина, представленные следующей формулой (1), или его соли.

Точнее настоящее изобретение относится к [1]-[18], представленным ниже.

[[1] Кристалл (3'R,4'S,5'R)-N-[(3R,6S)-6-карбамоилтетрагидро-2Н-пиран-3-ил]-6ʺ-хлор-4'-(2-хлор-3-фторпиридин-4-ил)-4,4-диметил-2ʺ-оксо-1ʺ,2ʺ-дигидродиспиро[циклогексан-1,2'-пирролидин-3',3ʺ-индол]-5'-карбоксамида, представленный следующей формулой (1), или его соль:

Формула 1

2] Кристалл соединения, как определено в [1], имеющий рентгеновскую дифрактограмму, как показано на фиг. 1 в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[3] Кристалл соединения, как определено в [1], имеющий рентгеновскую дифрактограмму, как показано на фиг. 2, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[4] Кристалл соединения, как определено в [1], имеющийрентгеновскую дифрактограмму, как показано на фиг. 3, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[5] Кристалл гидрохлорида соединения, как определено в [1], имеющий рентгеновскую дифрактограмму, как показано на фиг. 4, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[6] Кристалл метансульфоната соединения, как определено в [1], имеющий рентгеновскую дифрактограмму, как показано на фиг. 6, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[7] Кристалл этансульфоната соединения, как определено в [1], имеющий рентгеновскую дифрактограмму, как показано на фиг. 7, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[8] Кристалл бензолсульфоната соединения, как определено в [1], имеющий рентгеновскую дифрактограмму, как показано на фиг. 8, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[9] Кристалл толуолсульфоната соединения, как определено в [1], имеющий рентгеновскую дифрактограмму, как показано на фиг. 9, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[10] Кристалл по [2], проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=7,78, 9,14, 10,06, 10,78, 12,18, 13,42, 14,34, 15,50, 16,62, 17,06, 17,66, 18,18, 18,74, 20,18, 22,46, 24,90, 25,54, 26,94, 27,58 и 28,90 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[11] Кристалл по [3], проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=7,62, 13,06, 15,10, 17,22 и 21,98 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[12] Кристалл по [4], проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=9,18, 12,18, 15,58, 16,22, 17,22, 18,42, 18,82 и 19,86 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[13] Кристалл по [5], проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=6,46, 7,86, 9,12, 13,00, 14,42, 19,32, 20,34, 20,42 и 21,98 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[14] Кристалл по [6], проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=7,56, 8,26, 14,00, 16,26, 16,78, 17,2, 18,42, 18,62, 20,28 и 23,06 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[15] Кристалл по [7], проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=6,28, 7,72, 12,62, 14,06, 15,50, 16,62, 16,96, 19,68, 21,18, и 25,82 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[16] Кристалл по [8], проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=6,22, 7,34, 7,90, 12,46, 13,60, 14,22, 15,56, 18,86, 19,04, 19,52, 19,72 и 20,54 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[17] Кристалл по [9], проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=6,16, 7,18, 7,88, 12,38, 13,50, 13,88, 15,46, 18,46, 19,10, 19,28, 19,66, 20,28, 21,88 и 24,68 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

[18] Лекарственное средство, содержащее кристалл по любому из [1]-[17].

Преимущественные эффекты изобретения

Настоящее изобретение обеспечивает кристаллы (3'R,4'S,5'R)-N-[(3R,6S)-6-карбамоилтетрагидро-2Н-пиран-3-ил]-6ʺ-хлор-4'-(2-хлор-3-фторпиридин-4-ил)-4,4-диметил-2ʺ-оксо-1ʺ,2ʺ-дигидродиспиро[циклогексан-1,2'-пирролидин-3'3ʺ-индол]-5'-карбоксамида или его соли, обладающие активностью ингибирования Mdm2. Кристаллы по настоящему изобретению обладают превосходными физико-химическими свойствами в твердом состоянии и являются применимыми в качестве противоопухолевых средств.

Краткое описание чертежей

[Фиг. 1]. На фиг. 1 показана порошковая рентгеновская дифрактограмма кристалла (свободной формы), полученного в примере 1-1. На фигуре вертикальная ось представляет собой интенсивность дифракции, показанную в единицах импульсов/секунду (имп/сек), и горизонтальная ось представляет собой угол дифракции, представленный в значениях 2θ.

[Фиг. 2]. На фиг. 2 показана порошковая рентгеновская дифрактограмма кристалла (свободной формы), полученного в примере 1-2. На фигуре вертикальная ось представляет собой интенсивность дифракции, показанную в единицах импульсов/секунду (имп/сек), и горизонтальная ось представляет собой угол дифракции, показанный в значениях 2θ.

[Фиг. 3]. На фиг. 3 показана порошковая рентгеновская дифрактограмма кристалла (свободной формы), полученного в примере 1-3. На фигуре вертикальная ось представляет собой интенсивность дифракции, показанную в единицах импульсов/секунду (имп/сек), и горизонтальная ось представляет собой угол дифракции, показанный в значениях 2θ.

[Фиг. 4]. На фиг. 4 показана порошковая рентгеновская дифрактограмма кристалла (гидрохлорида), полученного в примере 2. На фигуре вертикальная ось представляет собой интенсивность дифракции, показанную в единицах импульсов/секунду (имп/сек), и горизонтальная ось представляет собой угол дифракции, показанный в значениях 2θ.

[Фиг. 5]. На фиг. 5 показана порошковая рентгеновская дифрактограмма соединения (сульфата), полученного в примере 3. На фигуре вертикальная ось представляет собой интенсивность дифракции, показанную в единицах импульсов/секунду (имп/сек), и горизонтальная ось представляет собой угол дифракции, показанный в значениях 2θ.

[Фиг. 6]. На фиг. 6 показана порошковая рентгеновская дифрактограмма кристалла (метансульфоната), полученного в примере 4. На фигуре вертикальная ось представляет собой интенсивность дифракции, показанную в единицах импульсов/секунду (имп/сек), и горизонтальная ось представляет собой угол дифракции, показанный в значениях 2θ.

[Фиг. 7]. На фиг. 7 показана порошковая рентгеновская дифрактограмма кристалла (этансульфоната), полученного в примере 5. На фигуре вертикальная ось представляет собой интенсивность дифракции, показанную в единицах импульсов/секунду (имп/сек), и горизонтальная ось представляет собой угол дифракции, показанный в значениях 2θ.

[Фиг. 8]. На фиг. 8 показана порошковая рентгеновская дифрактограмма кристалла (бензолсульфоната), полученного в примере 6. На фигуре вертикальная ось представляет собой интенсивность дифракции, показанную в единицах импульсов/секунду (имп/сек), и горизонтальная ось представляет собой угол дифракции, показанный в значениях 2θ.

[Фиг. 9]. На фиг. 9 показана порошковая рентгеновская дифрактограмма кристалла (толуолсульфоната), полученного в примере 7. На фигуре вертикальная ось представляет собой интенсивность дифракции, показанную в единицах импульсов/секунду (имп/сек), и горизонтальная ось представляет собой угол дифракции, показанный в значениях 2θ.

[Фиг. 10]. На фиг. 10 показаны изотермы адсорбции-десорбции кристалла (свободной формы), полученного в примере 1-1. На фигуре вертикальная ось представляет собой изменение (%) массы соединения и горизонтальная ось представляет собой влажность (%ОВ).

[Фиг. 11]. На фиг. 11 показаны изотермы адсорбции-десорбции кристалла (свободной формы), полученного в примере 1-2. На фигуре вертикальная ось представляет собой изменение (%) массы соединения и горизонтальная ось представляет собой влажность (%ОВ).

[Фиг. 12]. На фиг. 12 показаны изотермы адсорбции-десорбции кристалла (гидрохлорида), полученного в примере 2. На фигуре вертикальная ось представляет собой изменение (%) массы соединения и горизонтальная ось представляет собой влажность (%ОВ).

[Фиг. 13]. На фиг. 13 показаны изотермы адсорбции-десорбции кристалла (метансульфоната), полученного в примере 4. На фигуре вертикальная ось представляет собой изменение (%) массы соединения и горизонтальная ось представляет собой влажность (%ОВ).

[Фиг. 14]. На фиг. 14 показаны изотермы адсорбции-десорбции кристалла (этансульфоната), полученного в примере 5. На фигуре вертикальная ось представляет собой изменение (%) массы соединения и горизонтальная ось представляет собой влажность (%ОВ).

[Фиг. 15]. На фиг. 15 показаны изотермы адсорбции-десорбции кристалла (бензолсульфоната), полученного в примере 6. На фигуре вертикальная ось представляет собой изменение (%) массы соединения и горизонтальная ось представляет собой влажность (%ОВ).

[Фиг. 16]. На фиг. 16 показаны изотермы адсорбции-десорбции кристалла (толуолсульфоната), полученного в примере 7. На фигуре вертикальная ось представляет собой изменение (%) массы соединения и горизонтальная ось представляет собой влажность (%ОВ).

[Фиг. 17]. На фиг. 17 показана диаграмма, демонстрирующие данные термоанализа кристалла (свободной формы), полученного в примере 1-1. На фигуре вертикальная ось представляет собой разницу температур (DTA) и изменение массы (TG) и горизонтальная ось представляет собой температуру (°С). Сплошная линия отображает кривую DTA и пунктирная линия отображает кривую TG.

[Фиг. 18]. На фиг. 18 показана диаграмма, показывающая данные термоанализа кристалла (свободной формы), полученного в примере 1-2. На фигуре вертикальная ось представляет собой разницу температур (DTA) и изменение массы (TG) и горизонтальная ось представляет собой температуру (°С). Сплошная линия отображает кривую DTA и пунктирная линия отображает кривую TG.

[Фиг. 19]. На фиг. 19 показана диаграмма, показывающая данные термоанализа кристалла (свободной формы), полученного в примере 1-3. На фигуре вертикальная ось представляет собой разницу температур (DTA) и изменение массы (TG) и горизонтальная ось представляет собой температуру (°С). Сплошная линия отображает кривую DTA и пунктирная линия отображает кривую TG.

[Фиг. 20]. На фиг. 20 показана диаграмма, показывающая данные термоанализа кристалла (гидрохлорида), полученного в примере 2. На фигуре вертикальная ось представляет собой разницу температур (DTA) и изменение массы (TG) и горизонтальная ось представляет собой температуру (°С). Сплошная линия отображает кривую DTA и пунктирная линия отображает кривую TG.

[Фиг. 21]. На фиг. 21 показана диаграмма, показывающая данные термоанализа кристалла (метансульфоната), полученного в примере 4. На фигуре вертикальная ось представляет собой разницу температур (DTA) и изменение массы (TG) и горизонтальная ось представляет собой температуру (°С). Сплошная линия отображает кривую DTA и пунктирная линия отображает кривую TG.

[Фиг. 22]. На фиг. 22 показана диаграмма, демонстрирующая данные термоанализа кристалла (этансульфоната), полученного в примере 5. На фигуре вертикальная ось представляет собой разницу температур (DTA) и изменение массы (TG) и горизонтальная ось представляет собой температуру (°С). Сплошная линия отображает кривую DTA и пунктирная линия отображает кривую TG.

[Фиг. 23]. На фиг. 23 показана диаграмма, демонстрирующая данные термоанализа кристалла (бензолсульфоната), полученного в примере 6. На фигуре вертикальная ось представляет собой разницу температур (DTA) и изменение массы (TG) и горизонтальная ось представляет собой температуру (°С). Сплошная линия отображает кривую DTA и пунктирная линия отображает кривую TG.

[Фиг. 24]. На фиг. 24 показана диаграмма, демонстрирующая данные термоанализа кристалла (толуолсульфоната), полученного в примере 7. На фигуре вертикальная ось представляет собой разницу температур (DTA) и изменение массы (TG) и горизонтальная ось представляет собой температуру (°С). Сплошная линия отображает кривую DTA и пунктирная линия отображает кривую TG.

Описание вариантов осуществления изобретения

Настоящее изобретение относится к кристаллам (3'R,4'S,5'R)-N-[(3R,6S)-6-карбамоилтетрагидро-2Н-пиран-3-ил]-6ʺ-хлор-4'-(2-хлор-3-фторпиридин-4-ил)-4,4-диметил-2ʺ-оксо-1ʺ,2ʺ-дигидродиспиро[циклогексан-1,2'-пирролидин-3'3ʺ-индол]-5'-карбоксамида, представленного следующей формулой (1):

Формула 2

,

(далее также называемое как соединение (1)) или его соли. В указанном контексте кристаллы относятся к твердым веществам, имеющим трехмерные регулярные повторы атомов (или их популяций), составляющих внутреннюю структуру, и отличаются от аморфного твердого вещества, которое не имеет такой регулярной внутренней структуры.

Примеры соли соединения (1) включают любые таковые, описанные в примерах. Соединение (1) или его соль могут быть представлены в свободной или сольватированной форме. Соединение (1) или его соль могут присутствовать в форме гидрата, например, вследствие абсорбции влаги из воздуха. Сольваты особо не ограничены, пока они являются фармацевтически приемлемыми. Их специфические примеры включают гидрат, этанолсольват и 2-пропанолсольват.

Даже кристаллы, полученные из одного и того же соединения, могут быть получены как множество кристаллов (кристаллические полиморфы), отличающиеся по внутренней структуре и физико-химическим свойствам в зависимости от условий кристаллизации. Кристаллами по настоящему изобретению могут быть любые из указанных кристаллических полиморфов или может быть смесь двух или более кристаллических полиморфов.

Кристаллы по настоящему изобретению могут иметь прикрепленную воду, как результат абсорбции влаги, когда они остаются на воздухе, или могут образовывать гидрат, например, при нагревании до 25-150°С в обычных атмосферных условиях. Кроме того, кристаллы по настоящему изобретению также могут иметь прикрепленный остаточный растворитель или содержать растворитель, используемый в кристаллизации в сольвате.

В настоящей спецификации кристаллы настоящего изобретения могут быть определены на основании данных порошковой рентгеновской дифракции. Порошковая рентгеновская дифракция может проводиться путем измерения и анализа, обычно используемых в области техники, и может быть проведена, например, посредством метода, описанного в примерах. В общем, гидраты или дегидраты могут варьироваться по параметрам решетки в результате адсорбции или десорбции кристаллической воды с формированием изменений угла дифракции (2θ) в порошковой рентгеновской дифракции. Также интенсивность пика может изменяться в зависимости от, например, различий в поверхности роста кристаллов или подобного (поведение кристалла). Соответственно, в случае, когда кристаллы по настоящему изобретению определяют на основании данных порошковой рентгеновской дифракции, кристаллы, которые соответствуют им в отношении углов дифракции пиков при порошковой рентгеновской дифракции и в порошковых рентгеновских дифрактограммах, а также гидраты и дегидраты, полученные из них, также включены в рамки настоящего изобретения.

В предпочтительном варианте осуществления изобретения кристалл по настоящему изобретению представляет собой кристалл (свободную форму), имеющий порошковую рентгеновскую дифрактограмму, показанную на фиг. 1 в виде схемы порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем). Также кристаллом является кристалл, проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=7,78, 9,14, 10,06, 10,78, 12,18, 13,42, 14,34, 15,50, 16,62, 17,06, 17,66, 18,18, 18,74, 20,18, 22,46, 24,90, 25,54, 26,94, 27,58 и 28,90 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

В другом предпочтительном варианте осуществления изобретения кристалл по настоящему изобретению представляет собой кристалл (свободную форму), имеющий порошковую рентгеновскую дифрактограмму, показанную на фиг. 2, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем). Также кристаллом является кристалл, проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=7,62, 13,06, 15,10, 17,22 и 21,98 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

В другом предпочтительном варианте осуществления изобретения кристаллом по настоящему изобретению является кристалл (свободная форма), имеющий порошковую рентгеновскую дифрактограмму, показанную на фиг. 3, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем). Также кристалл представляет собой кристалл, проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=9,18, 12,18, 15,58, 16,22, 17,22, 18,42, 18,82 и 19,86 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

В другом предпочтительном варианте осуществления изобретения кристаллом по настоящему изобретению является кристалл (гидрохлорид), имеющих порошковую рентгеновскую дифрактограмму, показанную на фиг. 4, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем). Также, кристаллом является кристалл, проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=6,46, 7,86, 9,12, 13,00, 14,42, 19,32, 20,34, 20,42 и 21,98 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

В другом предпочтительном варианте осуществления изобретения кристаллом по настоящему изобретению является кристалл (метансульфонат), имеющий порошковую рентгеновскую дифрактограмму, показанную на фиг. 6, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем). Также, кристаллом является кристалл, проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=7,56, 8,26, 14,00, 16,26, 16,78, 17,72, 18,42, 18,62, 20,28 и 23,06 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

В другом предпочтительном варианте осуществления изобретения кристаллом по настоящему изобретению является кристалл (этансульфонат), имеющий порошковую рентгеновскую дифрактограмму, показанную на фиг. 7, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем). Также, кристаллом является кристалл, проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=6,28, 7,72, 12,62, 14,06, 15,50, 16,62, 16,96, 19,68, 21,18 и 25,82 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

В другом предпочтительном варианте осуществления изобретения кристаллом по настоящему изобретению является кристалл (бензолсульфонат), имеющий порошковую рентгеновскую дифрактограмму, показанную на фиг. 8, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем). Также, кристаллом является кристалл, проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=6,22, 7,34, 7,90, 12,46, 13,60, 14,22, 15,56, 18,86, 19,04, 19,52, 19,72 и 20,54 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

В другом предпочтительном варианте осуществления изобретения кристаллом по настоящему изобретению является кристалл (толуолсульфонат), имеющий порошковую рентгеновскую дифрактограмму, показанную на фиг. 9, в виде порошковой рентгеновской дифрактограммы, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем). Также, кристаллом является кристалл, проявляющий характерные пики при углах дифракции 2θ=6,16, 7,18, 7,88, 12,38, 13,50, 13,88, 15,46, 18,46, 19,10, 19,28, 19,66, 20,28, 21,88 и 24,68 в порошковой рентгеновской дифрактограмме, полученной с использованием Κα-излучения меди (длина волны λ=1,54 ангстрем).

В соответствии с другим аспектом настоящее изобретение относится к лекарственному средству, содержащему в качестве активного ингредиента кристалл по настоящему изобретению.

Лекарственное средство, содержащее кристалл по настоящему изобретению в качестве активного ингредиента, предпочтительно обеспечивают в форме фармацевтической композиции, включающей кристалл по настоящему изобретению и один или два или более фармацевтически приемлемых носителей. Лекарственное средство по настоящему изобретению особо не ограничено лекарственной формой и может вводиться перорально или парентерально. Предпочтительно, лекарственное средство по настоящему изобретению вводят перорально.

Фармацевтическая композиция по настоящему изобретению включает кристалл по настоящему изобретению в качестве, по меньшей мере, части соединения (1). Фармацевтическая композиция может содержать кристаллическую форму соединения (1), иную, чем кристаллы по настоящему изобретению. Содержание кристалла по настоящему изобретению в фармацевтической композиции может находиться в диапазоне от 0,01 масс. % до 99,9 масс. % относительно всего соединения (1) в фармацевтической композиции, например, 0,01 масс. % или более, 0,05 масс. % или более, 0,1 масс. % или более, 0,5 масс. % или более, 1 масс. % или более, 2масс. % или более, 3 масс. % или более, 4 масс. % или более, 5 масс. % или более, 10 масс. % или более, 20 масс. % или более, 30 масс. % или более, 40 масс. % или более, 50 масс. % или более, 60 масс. % или более, 70 масс. % или более, 80 масс. % или более, 90 масс. % или более, 95 масс. % или более, 96 масс. % или более, 97 масс. % или более, 98 масс. % или более, 99 масс. % или более, 99,5 масс. % или более, 99,6 масс. % или более, 99,7 масс. % или более, 99,8 масс. % или более, или 99,9 масс. % или более. Присутствие или отсутствие кристалла по настоящему изобретению в фармацевтической композиции может быть подтверждено методом инструментального анализа (например, рентгеновская порошковая дифракция, термический анализ или ИК спектры поглощения), описанным в настоящей спецификации.

Кристаллы по настоящему изобретению могут быть использованы в качестве ингибитора Mdm2 и могут быть использованы в качестве лекарственного средства, особенно предпочтительно противоракового средства, содержащего кристаллы по настоящему изобретению.

В одном варианте осуществления настоящего изобретения кристалл по настоящему изобретению может быть использован в качестве ингибитора, связывающего р53-Mdm2, и/или ингибитора Mdm2 убиквитинлигазы, так как соединение (1) ингибирует связывание р53 с Mdm2 и убиквитинирование р53 посредством Mdm2.

Состояние связывания р53-Mdm2 может быть исследовано методом, обычно используемым специалистом в области техники для оценки состояния связывания между белками (например, иммунологическими методиками, методиками поверхностного плазмонного резонанса, и др.). Примеры методов для изучения состояния связывания Mdm2-p53 с использованием иммунологической методики включают метод иммуноседиментации и иммуноферментного анализа (ELISA). Используемым антителом в указанных иммунологических методиках может быть анти-Mdm2 антитело и/или анти-р53 антитело, которые могут непосредственно определять Mdm2 и/или р53. Когда Mdm2 и/или р53 метят меткой (например, GST меткой или гистидиновой меткой) или подобным, может быть использовано антитело, подходящее для метки (например, анти-GST антитело или анти-гистидиновое антитело). Методы для изучения состояния связывания Mdm2-p53 с использованием иммунологической методики описаны в, например, WO 2003/51359, WO 2003/51360, патентной заявке США № публикации 2004/259867 или 2004/259884 и WO 2005/110996. Методы изучения состояния связывания Mdm2-p53 с использованием методики поверхностного плазмонного резонанса описаны в, например, Science, vol. 303, pр. 844-848, 2004.

Активность убиквитинлигазы Mdm2 в отношении р53 может быть оценена посредством анализа убиквитинлигазы, обычно используемого специалистом в области техники. Убиквитинлигазная активность может быть определена, например, посредством сравнения убиквитинирования р53 ферментом активации убиквитина (Е1), ферментом, связывающим убиквитин (Е2), и убиквитинлигазой (Е3) (Mdm2) в присутствии и отсутствии тестируемого соединения (например, относительно WO 2001/75145 и WO 2003/76608).

В другом варианте осуществления изобретения кристалл по настоящему изобретению может быть использован в качестве ингибитора супрессии транскрипционной активности р53, так как соединение (1) восстанавливает функции р53 в качестве фактора транскрипции, который подавляется Mdm2, путем ингибирования связывания Mdm2 с доменом активации р53. Ингибитор супрессии активности транскрипции р53 может быть получен посредством, например, измерения уровня мРНК или уровня белка, чья транскрипция регулируется р53 (например, р21^Waf1/Cipl) в присутствии или отсутствии тестируемого соединения посредством метода измерения мРНК (например, Нозерн блоттинг) или метода измерения белка (например, Вестерн блоттинг), обычно используемых специалистом в области техники, и выбора тестируемого соединения в качестве ингибитора супрессии транскрипционной активности р53, когда уровень мРНК или уровень белка повышается в присутствии тестируемого соединения по сравнению с таковым в отсутствие тестируемого соединения. Более того, ингибитор супрессии транскрипционной активности р53 также может быть определен при помощи анализа по гену репортеру с использованием репортерной активности гена репортера, включающего отвечающий элемент р53 в качестве индикатора.

В другом варианте осуществления изобретения кристалл по настоящему изобретению может быть использован в качестве ингибитора деградации р53, так как соединение (1) ингибирует убиквитинирование р53 посредством Mdm2 и таким образом предотвращает деградацию р53 в протеасомах. Ингибитор деградации р53 может быть получен, например, посредством измерения уровня белка р53 в присутствии или отсутствие тестируемого соединения при помощи метода измерения белка (например, Вестерн блоттинг), обычно используемого специалистом в области техники, и выбора тестируемого соединения в качестве ингибитора деградации р53, когда уровень белка повышается в присутствии тестируемого соединения по сравнению с таковым в отсутствие тестируемого соединения.

В другом варианте осуществления изобретения кристалл по настоящему изобретению может быть использован в качестве противоопухолевого средства, так как соединение (1) нормализует функции р53 в качестве ограничивающего рак гена, путем ингибирования связывания Mdm2-p53 и/или убиквитинирования р53 посредством Mdm2.

Активность ингибирования клеточного роста может быть оценена методами для тестирования ингибирования роста, обычно используемыми специалистом в области техники. Активность ингибирования роста клеток может быть определена посредством, например, сравнения уровня клеточного роста (например, опухолевых клеток) в присутствии или отсутствие тестируемого соединения, как описано в следующем тестовом примере 2. Уровень клеточного роста может быть оценен с использованием, например, тест-системы для оценки живых клеток. Примеры метода для оценки живых клеток включают тест поглощения [³Н]-тимидина, метод BrdU, анализ МТТ и так далее.

Более того in vivo противоопухолевая активность может быть исследована методами для тестирования противоопухолевой активности, обычно используемыми специалистом в области техники. In vivo противоопухолевая активность по настоящему изобретению может быть подтверждена, например, посредством трансплантации различных опухолевых клеток мышам, крысам или подобным; после подтверждения прививки трансплантированных клеток, перорального или внутривенного введения соединения по настоящему изобретению животным; через несколько дней или несколько недель, сравнения роста опухоли в группе, которой не вводили лекарственное средство, с таковым, в группе, которой вводили соединение.

Кристалл по настоящему изобретению может быть использован для лечения опухолей или раков, например, рака легкого, рака пищеварительной системы, рака яичника, рака матки, рака молочной железы, рака предстательной железы, рака печени, рака головы и шеи, рака крови, рака почки, рака кожи (злокачественной меланомы и др.), ретинобластомы, опухолей яичек и саркомы, более предпочтительно рака легких, рака молочной железы, рака предстательной железы, рака толстой кишки, острого миелолейкоза, злокачественной лимфомы, злокачественной меланомы, ретинобластомы, нейробластомы и саркомы. Однако настоящее изобретение не ограничено указанными раками.

Лекарственное средство по настоящему изобретению может содержать кристалл по настоящему изобретению и фармацевтически приемлемый носитель и может вводиться в различных инъекциях, таких как внутривенная инъекция, внутримышечная инъекция и подкожная инъекция, или посредством различных методов, таких как пероральное введение или чрескожное введение. Фармацевтически приемлемый носитель обозначает фармакологически приемлемый материал (например, вспомогательное вещество, разбавитель, добавку, растворитель и др.), которые вовлечены в транспорт композиции, содержащей кристалл по настоящему изобретению, из заданного органа в другой орган.

Композиция может быть получена путем выбора подходящей формы рецептирования (например, пероральной композиции или инъекции) в зависимости от метода введения и с использованием различных обычно используемых методов для получения композиции. Примеры пероральных композиций включают таблетки, порошки, гранулы, капсулы, пилюли, пастилки, растворы, сиропы, эликсиры, эмульсии, масляные или водные суспензии и так далее. При пероральном введении могут быть использованы свободное соединение или солевая форма. Водная композиция может быть получена путем получения аддукта кислоты с фармакологически приемлемой кислотой или путем получения соли щелочного металла, такого как натрий. В инъекции в композиции могут быть использованы стабилизатор, консервант, растворяющая добавка и подобные. После заполнения в сосуд раствора, который может содержать указанные добавки и подобные, композиция для применения может быть получена в виде твердой композиции путем лиофилизации или подобного. Более того, одна доза может быть заполнена в один сосуд или две или более доз могут быть заполнены в сосуд.

Примеры твердых композиций включают таблетки, порошки, гранулы, капсулы, пилюли и пастилки. Указанные твердые композиции могут содержать фармацевтически приемлемые добавки вместе с кристаллом по настоящему изобретению. Примеры добавок включают наполнители, модифицирующие агенты, вяжущие вещества, дезинтегрирующие агенты, средства, обеспечивающие растворение, средства, увлажняющие кожу, и смазывающие вещества, и они могут быть выбраны и смешаны, как требуется для получения композиции.

Примеры жидких композиций включают растворы, сиропы, эликсиры, эмульсии и суспензии. Такие жидкие композиции могут содержать фармацевтически приемлемые добавки вместе с кристаллом по настоящему изобретению. Примеры добавок включают суспендирующие вещества и эмульгаторы и их выбирают и смешивают, как требуется для получения композиции.

Кристалл по настоящему изобретению может быть использован в лечении рака млекопитающих, в частности, людей. Доза и интервал между введениями могут быть соответственно выбраны в зависимости от локализации заболевания, роста, массы тела, пола или анамнеза пациента, в соответствии с решением врача. Когда соединение по настоящему изобретению вводят человеку, диапазон доз составляет приблизительно от 0,01 до 500 мг/кг массы тела в сутки, предпочтительно прибл. от 0,1 до 100 мг/кг массы тела. Предпочтительно соединение по настоящему изобретению вводят человеку один раз в сутки или дозу делят на две или четыре и введение повторяют с соответствующим интервалом. Более того, суточная доза может превосходить вышеупомянутую дозу по решению врача, если необходимо.

Кристалл по настоящему изобретению может быть использован в комбинации с дополнительным противоопухолевым средством. Их примеры включают противоопухолевые антибиотики, противоопухолевые растительные компоненты, BRM (рег