Патент ссср 265596
Иллюстрации
Реферат
и йа1Г ические .МЬА
О П И С А Н И Е 265596
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт, свидетельства Яо
Заявлено 01.Ч11.1968 (Ф 1252659/18-10) Кл 42в, 1/06 с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 091!!.1970. Бюллетень Х 10
Дата опубликования. описания 25Х1.1970
МПК В 06b . ДК 524.232(088.8) Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
Авторы изобретения
Г. С. Поль-Мари, А. С. Химунин и В. С. Эльтеков
Заявитель
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТВЕРДОГО АКУСТИЧЕСКОГО КОНТАКТА
Изобретение относится к ультразвуковой технике, а именно к технологии создания акустического контакта между пьезокерамическим элементом и металлической защитной мембраной, и может быть применено при изготовле- 5 нии ультразвуковых датчиков, предназначенных для измерения различных параметров сжиженных газов ультразвуковыми методами при низких и сверхнизких температурах.
Известные способы создания твердого аку- 10 стического контакта между керамическими элементами и их защитными мембранами в ультразвуковых датчиках не обеспечивают глубокой диффузии вещества контакта и малого омического контакта. 15
Целью предлагаемого способа является устранение указанных недостатков.
Достигается это тем, что внутреннюю поверхность защитной металлической мембраны 20 протравливают, например, 30%-ным раствором соляной кислоты, гальванически наносят слой металлического индия, прокладывают между элементами и гальваническим покрытием мембраны индиевую фольгу толщиной 25
0,05 — 0,1 мм, после предварительного сжатия элемента и мембраны до давления 5—
10 кгlсмз нагревают их до температуры 165—
175 С с последующей выдержкой в нагретом состоянии в течение 10 — 12 мин и охлаждают 30 естественным путем до комнатной температуры.
Процесс получения твердого акустического контакта состоит из следующих операций, осуществляемых в приводимой последовательности.
На внутреннюю поверхность металлической защитной мембраны гальваническим путем наносят слой металлического индия толщиной от 15 до 25 мк. Между гальваническим покрытием мембраны и элементом прокладывают вырезанный из индиевой фольги диск толщиной 0,05 и 0,1 мм с диаметром, равным диаметру элемента. С помощью соответствующего приспособления или элементов конструкции самого датчика элемент и защитная мембрана сжимаются до давления 5 — 10 кг/сма, после чего их нагревают до температуры, на
10 — 20 С превышающей температуру плавления индия, т. е. до 165 — 175 С, с последующей выдержкой в нагретом состоянии в течение 10 — 12 мин. Максимальная температура нагрева ограничивается температурой точки
Кюри для данного типа пьезокерамики. Охлаждение до комнатной температуры производится естественным путем. Полученный таким способом твердый акустический контакт требует поджима элемента с помощью пружины при давлении 4 — 6 кг/смз для исключения в дальнейшем возможных расслоений.
265596
Предмет изобретения
Составитель И. А. Догаева
Редактор А. В. Корнеев Техред А. А. Камышникова Корректор В. Трутнев
Заказ 1604/8 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва 5К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Способ создания твердого акустического контакта, например, между пьезокерамическими элементами и их защитными мембранами в ультразвуковых датчиках, отличающийся. тем, что, с целью осуществления глубокой диффузии вещества контакта в поверхностные слои защитной металлической мембраны и металлизированной поверхности пьезоэлемента, а также обеспечения малого оми .еского сопротивления контакта, протравлнв;.ют внутреннюю поверхность защитнои металлическои мембраны, например, 30%-ным раствором соляной кислоты, гальванически наносят слой э металлического индия, прокладывают межд
5 лементом и гальваническим покрытием мему браны индиевую фольгу толщиной 0,05—
0,1 мм, после предварительного сжатия элемента и мембраны до давления 5 — 10 кг/си2 нагревают их до температуры 165 — 175 С с
10 последующей выдержкой в нагретом состоянии в течение 10 — 12 мин и охлаждают естественным путем по комнатной температуры.