Логический элемент «да» и «нет»

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

267684

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Респу6лик

Зависимое от авт. свидетельства чЬ

Заявлено 22.Х1.1965 (№ 1039540/18-24) с присоединением заявки Хо

Приоритет

Опубликовано С2.IV.1970. Б|оллетень М 13

Дата опубликования описания 16Л 11.1970

Кл. 21ат, 36/18

МПК Н 03k

УДК 681.325.65 (088.8) Комитет по делам изооретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

Л. В. Иванов

Заявитель

Институт электронных управляющих машин

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ «ДА» И «НЕТ»

Изобретение относится к области дискретной автоматики и вычислительной техники.

Логические элементы «ДА» и «НЕТ», содержащие насыщенные транзисторы, известны. Однако время срабатывания таких элементов недостаточно стабильно.

Предложенный логический элемент отличается от известных тем, что он содер;кит на входе эмиттерный повторитель, соединенный своим выходом с эмиттером одного насыщенного транзистора, базы насыщенных транзисторов объединены и соединены через резистор с источником постоянного напряжения, а эмиттер другого насыщенного транзистора подсоединен ко второму источнику постоянного напряжения.

Это увеличивает стабильность времени срабатывания логического элемента.

Принципиальная схема логического элемента «ДА» и «НЕТ» приведена на чертеже.

Элемент содержит транзистор 1, включенный IIo схеме эмиттерного повторителя, транзисторы 2 и 3 и резисторы 4 — 7. Базовые токи транзисторов 2 и 3 задаются источником Ет и резистором б. Таким образом, стабильность базовых токов определяется лишь стабильностью источника Е1 и резистора б. При действии на вход 8 элемента низкого потенциала

U òðàíçèñòîð 2 закрыт, транзистор 3 открыт; при действии на вход 8 высокого потенциала

U, транзистор 2 открыт, а транзистор 8 закрыт. В статическом состоянии логического элемента транзистор 1 всегда открыт, так как эмиттерный ток выбирается всегда больше

5 коллекторного тока.

Транзистор 2 работает по схеме с общей базой и обладает высоким быстродействием.

Транзистор 3 обладает также высоким быст10 родействием вследствие форсированного режима при открывании и закрывании. Ток базы открывающегося транзистора 3 выбирается в несколько раз больше тока, необходимого для граничного с насыщением линейного ре15 жима. Ток базы противоположного направления, закрывающий транзистор 3, также выбирается достаточно большим. Пока транзистор

3 еще не закрыт, а на входе 8 элемента уже действует высокий потенциал Г„транзистор 1

20 закрыт, и ток из базы транзистора 2 направляется в базу транзистора 8, закрывая его.

Как только транзистор 3 закроется, потенциал на его базе, а следовательно, и на эмиттере транзистора 1 повышается, и транзистор

25 1 открывается. Избыток тока направляется в эмиттер транзистора 1.

Выходы 9 и 10, снимаемые с коллекторов

2 и 3, являются соответственно выходами «ДА»

З0 и «ИЕТ» элемента.

267684

Предмет изобретения

Составитель А, Д. Гренинский

Редактор Л. А. Утехина Техред 3. И. Тараненко Корректор А. И. Зимина

Заказ 1886!14 Гираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Логический элемент «ДА» и «НЕТ», содержащий насыщенные транзисторы, отличаюи ийсл тем, что, с целью стабилизации времени срабатывания элемента, он содержит на входе эмиттерный повторитель, соединенный своим выходом с эмиттером одного насыщенного транзистора, базы насыщенных транзисторов объединены и соединены через резистор с источником постоянного напряжения, а эмиттер другого насыщенного транзистора подсоединен ко второму источнику постоянного напряжения.