П пр. ilu hlvf- 4ftj ^ ..,, «гтивяч'т'гч' л f1 1 "
Патент 268322
Авторы
Классы МПК
П пр. ilu hlvf- 4ftj ^ ..,, «гтивяч'т'гч' л f1 1 "
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е 268322
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К ПАТЕНТУ
Зависимый от патента №
Кл. 48а, 5/30
Заявлено 24.IV.1968 (¹ 1238040/22-1) МПК С 23b
УДК 621.357.7:669.872 (088.8) Приоритет
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 02.1V.1970. Бюллетень ¹ 13
Дата опубликования описания 20ХП.1970 с (Автор изобретения
Ю51 М
Иностранец
Вильям Джон Уотерман (Великобритания) Иносгранная фирма
«Вандервелл Продактс Лимитед» (Великобритания) 1} АТЕН Т11 01 ь Х11И ХС1 А Я
БИБЛИОТЕКА
Заявитель
СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИНДИЯ
Извесген способ электролитического осаждения индия из электролита на основе хлористого индия и ничрилотрехуксусной кислоты.
Предложенный способ электролитического осаждения индия отличается тем, что в электролит вводят глюконовую кислоту и желатину при следующем соотношении компонентов (в г/л):
Хлористый индий (в пересчете на металл) 20 — 40
Нитрилотрехуксусная кислота 90 — 110
Глюконовая кислота 40 — 60
Желатина 0,1 — 0,25
Процесс ведут при рН 9,5 — 10,5, температуре 20 — 30 С и плотности тока 22 — 65 ма/см -.
Это позволяет улучшить качество покрытия.
В качестве глюконовой кислоты можно применять ее соли, а также глюконо-п-лактон.
Молярное соотношение нитрилотрехуксусной кислоты к соединению индия должно поддерживаться 2: 1.
Электролит (1 л) приготовляют следующим образом.
100 г нитрилотрехукгусной кислоты (НИТА) вводят в 500 смз воды (дионизированной) до образования суспензии, а рН устанавливают в пределах 9 путем добавления едкого натра. Затем в раствор вводят 50 г глюконо-о-лактона. Отдельно готовят концентрированный раствор, содержащий 500 г/л индия путем выварки «скорлупок>. металлического индия в соляной кислоте.
Затем при перемешивании к раствору
НИТА медленно добавляют 60 смз раствора индия и развозят водой до 900 см . 5Келатину (0,1 г) размачивают в воде до набухания и
10 растворяют лри слабом нагревании. Затем вливают ранее пригстовленный раствор и разводят водой до 1 л.
Приготовленный таким образом электролит
15 помещают в стеклянный сосуд и ведут осаждсние индия. Катодом является металлическое изделие, подлежащее покрытию, анодом — индиевый электрод, площадь которого примерно оавна площади металлического изделия. Бла20 годаря этому содержание индия в электролите остается фактически постоянным во время электролиза. Электролиз проводят при температуре 25 С и плотности тока 32 ма/см-".
Скорость осаждения индия составляет
25 21 смг/а час.
В результате применения предложенного способа осаждения индия получают гладкие белые хорошо сцепленные с основой покрытия.
268322
Предмст изобретения
Составите.чь Н. Старостина
Бедактор Е. Г. Кравцова Техред 3. Н. Тараненко Корректоры: Л. Б. Бадылама и С. М. Сигал
Заказ 1781/15 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по дечам пзобре ени1". открьтий при Совете Министров СССР
Москва gi-35, Раушскаи наб., д. 4, 5
Тппсгр;прин, гр. Сапунова, 2
Способ элек1ролитического осаждения индия из электролита на основе хлористого индия и нитрилотрсхуксусной кислоты, отличавии;Йся тем, что, с целью улучшения качества покрытия, в электролит вводят глюконовую кислоту и желатину при следующем соотношении компонентов, г!л:
Хлорнсть|й индий (в пересчете на металл) 20 — 40
Ннтрилотрея ксусная кислота 90 — 110
Глюконовая кислота 40 — бО
Келгтина 0,1 — 0,25 и процесс ведут при рН 9,5 — 10,5, температуре
20 — 20 С и плотности тока 22 — б5 лча/с и -.