Релейный бесконтактный элемент
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
269202
Сома Советских
Социалистичесиин
Реслуолин
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Кл. 21а1, 36/18
Заявлено 11.11.1969 (№ 1311094/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 17,1V.1970. Бюллетень № 15
Дата опубликования описания 7Л III.1970
МПК Н 03 17/18
Н 031 17/52
УДК 621.374.3(088.8) Комитет ао делам иаабретеиий и аткрытий ори Совете Мииистрав
СССР
Авторы изобретения
С. И. Коняев, Х. И. Кляус и А. И. Мишин
Институт математики Сибирского отделения АН СССР
Заявитель
РЕЛЕЙНЫЙ БЕСКОНТАКТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ
Релейный бесконтактный элемент предназначен для применения в области вычислительной техники и автоматики.
Известны релейные бесконтактные элементы со структурой металл — диэлектрик — ме- 5 талл, принцип работы которых основан на диффузии ионов одного из металлов в диэлектрик под действием электрического поля. Эти элементы представляют собой двуполюсные приборы, что ограничивает область их приме- 10 нения и усложняет схемы, так как у таких элементов один и тот же полюс является входным и выходным.
Целью изобретения является создание многополюсного релейного бесконтактного эле- 15 мента, в котором нет гальванической связи между входными и выходными цепями.
Сущность изобретения заключается в том, что предлагаемый релейный бесконтактный элемент представляет собой многослойную 20 структуру металл — диэлектрик — металл— диэлектрик — металл — диэлектрик — металл, в которой применены металлы с существенно различными коэффициентами диффузии.
Это дает возможность управлять процессом 25 включения элемента электростатическим путем, увеличивает возможности элемента и расширяет область его применения.
В качестве одного из внутренних металлических электродов может быть использован З0 металл с высоким коэффициентом диффузии, а в качестве остальных электродов — металлы с низкими значениями коэффициентов диффузии.
На фиг. 1 представлен релейный бесконтактактный элемент, где 1, 2, 8 и 4 — металлические электроды (1 и 4 — внешние; 2 и 8— внутренние); б, б и 7 — диэлектрические слои;
8 — изолирующая подложка; на фиг. 2 представлена схема измерения переключающих характеристик релейного элемента; на фиг. 3 показано напряжение, действующее на полюсы внешних электродов 1 и 4; на фиг. 4 — импульс тока, протекающий через резистор 9 (см. фиг. 2) в момент переключения элемента из непроводящего состояния (электроды 2 и 8 разомкнуты) в проводящее состояние (электроды 2 и 8 замкнуты) .
Принцип работы элемента основан на электродиффузии ионов одного из металлов в диэлектрик. Для этого один из внутренних электродов, например электрод 8, выполняют из металла с высоким значением коэффициента диффузии, а все остальные — из металлов с низкими значениями коэффициентов диффузии. В частности, электрод 8 выполнен из индия (In), а электроды 1, 2 и 4 — из алюминия (А1) .
В качестве диэлектрика могут быть исполь269202
Релейный бесконтактный элемент со струк35 турой металл — диэлектрик — металл, отличиюи1ийся тем, что, с целью расширения области применения, он выполнен в виде многослойной структуры металл — диэлектрик — металл — диэлектрик — металл — диэлек40 трик — металл. зованы окисные пленки металлов, например пленки из А1гОз, либо пленки из ЯОг, Se и др.
Вследствие несимметричности структуры элемента (в структуре имеются электроды с различными коэффициентами диффузии), пороговое напряжение включения (U„,) у структуры алюминий — диэлектрик — индий (полюсы электродов 2 и 3) значительно меньше напряжения пробоя у структур: алюминий — диэлектрик — алюминий (полюсы электродов 1 и 2), индий — диэлектрик — алюминий (полюсы электродов 8, 4). Из-за несимметричности структуры индий — диэлектрик— алюминий пороговое напряжение включения зависит от полярности приложенного напряжения. При плюсе на индиевом электроде и минусе на алюминиевом электроде пороговое напряжение включения значительно меньше по сравнению с напряжением пробоя структуры при смене полярности напряжения на электродах.
Принцип работы элемента заключается в следующем.
При приложении напряжения плюсом к электроду 4 и минусом к электроду 1 между каждой парой элементов 1 и 2; 2 и 8; 8 и 4 устанавливаются некоторые значения напряжений. Например, если выполняется условие:
C>H2 = СгиЗ = Сди4 где C» z, Сг „г, Сг, — величины емкостей между электродами 1 и 2; 2 и 8; 8 и 4, то при подключении источника с напряжением U (см. фиг. 2) имеем Uyиг = огиз = Uzи °
При увеличении U (см. фиг. 3) будут также увеличиваться и напряжения между электродами. Когда выполняется условие Уг, г
) U,„электроды 2 и 3 оказываются замкнутыми. Во время переключения по резистору
9 (см. фиг. 2) проходит импульс тока (см. фиг. 4), вызванный перераспределением зарядов между электродами 1 (2 и 8), 4.
Для размыкания электродов 2 и 8 на электроды 1 и 4 подается импульс напряжения обратной полярности (минус на электрод 4, а плюс на электрод 1). Импульс тока, проходя по закороченному участку между электродами
2 и 3, повышает температуру этого участка, что и приводит к выключению элемента (восlO станавливается высокое сопротивление между электродами 2 и 8). Выключение элемента (размыкание электродов 2 и 3) можно также производить путем пропускания импульса тока непосредственно через электроды 2 и 3.
15 Из сказанного выше следует, что для замыкания электродов 2 и 3 достаточно конденсатор Сг и з зарядить до порогового напряже1 ния, что соответствует энергии 5 = — CU- .
20 Величина этой энергии для тонкопленочного варианта релейного элемента составляет
10 дж при U, = 20 в. При этом время включения составляет 10 7 сек, а время выключения 10 сек. Число переключений
25 элемента при площади электродов 10 г ел составляет — 10
Предлагаемый элемент может быть использован для построения различного рода коммутаторов, распределителей, а также для построения запоминающих устройств.
Предмет изобретения
269202 оиг.2 --"г. 9
Редактор Громова
Заказ 2074/13 Тираж 480 Подписное
IIHHHIIH Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва jK-35, Раушская наб., д. 4(5
Типография, пр. Сапунова; 2
b з
Составитель Гордоиовй
Техред Л. Я. Левина Корректоры: А. П. Васильева и И. С. Хлыстова