Способ получения температуростабильной керамики

Способ получения температуростабильной керамики

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

270033

Союа Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ч"

Кл. 21с, 2/01

80Ь, 8/05

Заявлено 03.Ч1.1968 (№ 1247570/29-33) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 08.V.1970. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 13,VIII.1970

МПК Н 01Ь

G 04Ь

УДК 666.342.3(088.8) Комитет по делам изобрвтеиий и открытий цри Совете Мищщсов

CCCP

04ВСО I68 8 RS3 но-тел н ичесткад ка МБА, Авторы изобретения

М. М. Некрасов и В. С. Савоптенко

Киевский ордена Ленина политехнический институт

3 аяви гель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕМЙЕРАТУРОСТАБИЛЬНОЙ

КЕРАМИКИ

Йзобретение может быть использовано при изготовлении керамических конденсаторов, используемых в радиоэлектронных устройствах.

Известен способ получения температуростабильной керамики путем обжига шихты на основе титана и углекислого бария.

Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости.

Достигается это тем, что в качестве соед нения бария используют фтористый барий, а обжиг производят по режиму: нагрев до температуры диссоциации со скоростью

300 С/час, до температуры 1200 С со скоростью 25 С/час, с выдержкой в течение 1—

2 час, охлаждение вместе с печью.

Шихту приготавливают путем измельчения фтористого бария и окиси титана, взятых в соотношении 68,7 и 31,3%. Перемешивают ее в течение 36 час в мельницах типа «яшма» при соотношении — масса: вода: шары=

1: 1: 1. Затем воду выпаривают, а из полученной смеси прессуют таблетки диаметром

20 мм и высотой 1 мм. Образцы помещают в печь на надсыпке из ZrO> и проводят обжиг по режиму: нагрев до температуры диссоциации со скоростью 300 С/час, до температуры

1200 С со скоростью 25 С/час, с выдержкой в течение 1 — 2 час, охлаждение вместе с печью.

После остывания образцы измельчают. Из полученного порошка любым известным мето5 дом изготавливают изделия.

Материал, полученный предложенным способом, обладает повышенной диэлектрической проницаемостью в области комнатных температур (Е= 4000, tg= 1,8 — 2,5%) с малой

lo изменяемостью ее в области рабочих температур работы конденсаторов (ЛЕ+80 С=+10% по отношению к Е 0 С; ХЕ= о " по отношению к Ехс C) .

Предмет изобретения

Способ получения температуростабпльной керамики путем обжига шихты на основе окиси титана и соединения бария, отличаюи1ийся тем, что, с целью повышения диэлек20 трической проницаемости, в качестве соединения бария используют фтористый барий, а обжиг производят по режиму: нагрев до температуры диссоциации со скоростью 300 С/час, до температуры 1200 С со скоростью 25 С/час, 25 выдержка в течение 1 — 2 час, охлаждение вместе с печью.