Патент ссср 271599

Патент ссср 271599

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

-Республик (») 271599

К АВТОРСКОМУ Сь!4ДЕТЕЯЬСТПУ (о1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено20.01.69 (21) 1299193/26-9 с присоединением заявки ¹ —(23) Приоритет

Гасударственный камнтет

Совета Инннстрав СССР па делам изааретеннй и открытий (51) М. Кл.еН 05 К 3/06 (43) Опубликовано 26.05 70.Бюллетень № 18 (45) Дата опубликования описания 12.04.77 (53) УДК 621.3.049. .75: 774 (088.8) (72) Автор изобретения

А. А. Гаврилкин (71) Заявитель (54) ФОТОШАБЛОН

Известные фотошаблоны для изготовления интегральных схем не обеспечивают высокой точности совмещения рисунков фотошаблона и полупроводниковой пластины.

В предложенном фотошаблоне высокая точность совмещения рисунков обеспечивается тем, что элементы совмещения на фотошаблоне выполнены в виде гребенки из прямоугольных выступов и впадин.

На чертеже показано совместное изобра- 10 жение совме..цаемых элемента фотошаблона и контура на полупроводниковой пластине.

В фотошаблоне 1 совмещаемые элементы выполнены в виде гребенки пз прямоугольных выступов 2 и впадин. Зто позволяет !5 с высокой точностью симметрично расположить край со - ."- ° = оме - -а на фотошаб™-- относительно оси контурной лшп1и и совмещаемого элемента на полупроводниковой пластине. Линия 3 образована клином 20 растравливания окисного слоя, ширина кото- ° рого равна 0,3-0,7 мк.

Гребецка из прямоугольных выступов и впадин в отраженцом свете образует прерывистое штриховое изображение края совмещаемого элемента фотошаблона на фоне контрастного изображения контура совмещаемого элемента полупроводниковой пластины.

Симметрией зазоров Е = f обеспечивается совме ..цение фотошаблона и полупроводниковой пластины с точностью до величины, равной половине ширины контура окисного слоя, т.е. с точностью 0,2-0,4 мк.

Для постоянства положения оси контурной линии совмещаемого элемента на полупроводниковой пластине при проведении ряда фотолитографпческих операций каждый последующий фотошаблон делают негативным в области гребенки с прямоугольными выступами и впадинами.

Формула изобретения

Фотошаблон для изготовления интегральмых схем и полупроводниковых приборов, отличающийся тем, что, с целью увеличеш|я точности совмещения рисунка полупроводниковой пластины с рису иком фотошаблона, элементы совмещения выполнены в виде гребенки из прямоугольных выступов и впадин.

271599

Составитель В. Василькевич

Техред О. Лутовая Корректор Л. Денискина

Редактор E. Кравцова

Заказ

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

293/8 Тираж 1069 Подписное

ГГНИИПИ Госу-дарственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5