Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых терморезисторах

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых терморезисторах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

28I650

Сввз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 06.Х11.1965 (№ 1042359/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано ЗО.Х1.1971, Бюллетень № 36

Дата опубликования описания II.II,1972

МПК Н Oll 7/02

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.362.1(088.8) Авторы изобретения

Г. Н. Текстер-Проскурякова и И. Т, Шефтель

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ

НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕРМОРЕЗИСТОРАХ

Способ относится к области производства термочувствительных приборов.

Известны способы нанесения омических контактов к терморезисторам на основе амальгамы индия и эвтектики индий-галлий.

Однако такие, контакты обладают низкой механической прочностью.

Известен также способ изготовления омических контактов путем химического никелирования. Такие контакты наряду со сло>кным технологическим процессом их изготовления являются нестабильными, особенно под нагрузкой и в результате пребывания их в условиях тропической влажности.

Во>к>кенные серебряные электроды, применяющиеся для обычных терморезисторов с отрицательным ТКС, непригодны в связи с образованием приконтактных слоев повышенного сопротивления.

Целью предлагаемого изобретения является разработка способа нанесения конгактов на терморезисторы, в частности, на терморезисторы с положительным ТКС, лишенные указанных недостатков.

Для уменьшения сопротивления и повышения стабильности контактов в полупроводник вжигают слой серебра, обслуживают серебряный слой припоем из сплава индийсвинец, производят термообработку.

Кроме того, припой содержит от 20 — 60%

In и 80 — 40% Pb; термообработку проводят при 250+ 50 С.

Суть способа заключаегся в следующем:

5 механическая обработка поверхности íà liënфовальных станках; промывка в проточной воде; нанесение пасты из окиси серебра на торцо вые поверхности терморезистора; вжнгание электродов при 700 — 800 С на воздухе

10 в течение 10 — 15 иин; обслуживание всей поверхности контакта и припаивание красномедных выводов методом окунания (плн с помощью паяльника). Принципиально важных является состав припоя. Используется сплав

15 индия и свинца в соотношении от 77 вес. с/с

Pb — 23 вес. % 1п до 40 вес. % Pb — 60 вес. %

In. Состав применяемого припоя определяется требующейся максимальной рабочей температурой терморезистора, которая уве20 личивается с ростом содер>кания Ph. В качестве флюса может быть использован спиртовой раствор канифоли. Терморазработку образцов с припаянными выводами осуществляют при 200 — 300 С в течение 2 — 4 час

25 для облегчения диффузии индия и свинца сквозь серебряный электрод. Диффузия Jn u

Pb была подтверждена спектральным исследованием.

Электроды, нанесенные таким способом, 30 являются омическими, так как непосредсгвен28I650

Составитель Л. Кот

Техред Е. Борисова

Корректор Л. Орлова

Рсдактор Калашникова

Заказ 158/5 Изд. № 1789 Тираж 473 Подписное

И1-!ИИПИ Ком пота lIo делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб„ д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ный контакт с образцом осущеспвляется не серебром, а продиффундировавшими сквозь него индием и свинцом, которые имеют высокий потенциал окисления.

Предмет изобретения

1. Спосоо изготовления омпческих контактов на полупроводниковых терморезисторах, отличаюи1ийся тем, что, с целью уменьшения сопротивления и повышения стабильности контактов, в полупроводник вжигают слой серебра, облуживают серебряный слой припоем из сплава индий-овинец, производят термоо бра5 ботку.

2. Способ по п, 1, отличается тем, что припой содержит от 20 — 60% In и 80 — 40% РЪ.

3. Способ по п. 1, отличается тем, что термообработку про водят при 250+ 50 С.