Патент ссср 281997

Патент ссср 281997

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

0 Il И С А Н И Е 28!997

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл, 48Ь, 13/08

Заявлено 15Х111.1968 (№ 1262882/22-1) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 14,1Х.1970, Бюллетень № 29

Дата опубликования описашгя 7.XII.1970

МПК С 23с 13/08

Комитет по делам иаооретеиий и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.793.14(088.8) Авторы изобретения

В. А. Гольдфарб, Э. В. Гончаров и В. Ф. Сынор

Заявитель

СПОСОБ ИСПАРЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ

Изобретение относится к области испарения материалов в вакууме.

Известен способ испарения материалов в вакууме путем высокочастотного нагрева.

Однако известный способ не позволяет осуществлять процесс испарения из кольцевого источпика.

Предложенный способ позволяет осуществлять процесс испарения из кольцевого источника, что, в свою очередь, приводит к повышению равномерности и чистоты получаемых при его использовании пленок.

Способ позволяет наносить покрытия на крупногабаритные поверхности.

Данный способ отличается от известного тем, что испарению подвергают материал в форме диска при частоте электромагнитного поля, обеспечивающей появление скин-эффекта на его боковой поверхности.

При осуществлении способа образец распыляемого вещества в виде диска размещают на диэлектрическом основании соосно с индуктором и частоту электромагнитного поля подбирают таким образом, чтобы распыление происходило только с боковой поверхности образца. При этом тонкий слой вещества на боковой поверхности диска плавится и испаряется. Средняя часть образца находится при более низкой температуре и не испаряется.

При необходимости диэлектрическое основание, на котором размещен диск, может охлаж1р даться, что полностью исключит возможность взаимодействия испаряемого материала с материалом диэлектрического основания.

Предмет изобретения

Способ испарения материалов в вакууме путем высокочастотного нагрева, от,гггчагогггггйгся тем, что, с целью осуществления процесса пз кольцевого источника, испарению подвергают

20 материал в форме диска при частоте электромагнитного поля, обеспечивающей появление скин-эффекта на его боковой поверхности.