Патшпо- 1^'^ ttxsiri?cka.s ^'"библиотека
Патент 282433
Авторы
Классы МПК
Патшпо- 1^'^ ttxsiri?cka.s ^'"библиотека
Иллюстрации
Реферат
282433
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Рсспуолик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 19Х!.1969 (№ 1339618/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 28.IX.1970. Бюллетень № 30
Дата опубликования описания 14.XI I.1970
Кл. 21ат, 37/66
K0IMMTBT аО ДЕЛаа изобретений и открытиЯ при Совете Министров
СССР
МПК G llc 11/44
УДК 621.3,013.7(088.8) Лв горы изобретения апис" - - - "":" - е
В. И. Аршинов, С. я. Беркович, В. Г. Касаткин, Г. M и P. К. Мазитов
Заявитель
ПЛЕНОЧНАЯ КРИОТРОННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
Изобретение относится к микроэлектронике и выч и cл ител ь ной технике.
Известны криотропные интегральные схемы, в которых экранирующая пленка выполнена сплошной.
B таким устройствах возможны короткие замыкания между всеми элементами схемы через дефектные участки изолирующего слоя, расположенными над экранирующей пленкой, что при водит к нарушению их функционирования.
Цель изобретения — уменьшение возможности коротких замыканий между элементами схемы через экранирующую плен ку и упрощение технологии, изготовления.
Для этого экранирующая пленка разбита на электрически изолированные друг от друга участки, расположенные по разные стороны от слоев, содержащих криотроны и соединительные элементы.
На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство (слои, из которых оно состоит, для наглядности разнесены).
Криотронная интегральная IcxeMB состоит из подложки I, на которую нанесены нижняя
2 и верхняя 8 экранирующие пленки, изготовленные из сверх проводника с высок им крит ическим полем. Экранирующие пленки отдеJIeHbI изолирующими слоями 4 ц б от расположенпых между .ними слоев б, содержащих ,криотро IbI и соединительные линии. Экранирующие пленки 2 и 8 разбиты на несколько участков, соответствующих.по разме|рам криот5 ронам и соединительным линиям. Линейные размеры участко в должны быть не менее длины корреляции в данном сверх проводнике для обеспечения диамагнетизма экрана, а расстояния между ними не должны превышать ли10 нейных размеров криотронов и соединительных линий.
При этом участки верхней экранирующей пленки 8 расположены так, что они !IIepeIIpbIвают промежутки между участками нижней
15 плен.ки 2.
Возможно та кже та|кое выполнение устройства, при котором экранирующая пленка,имеет ванд мозаики, т. е. состоит из множества маленьких пятен с размерами, меньшими,раз20 меров криотронов и соединительных линий.
При расположении отдельных участко|в экрана по разные стороны от слоев, содержащих криотроны и соединительные линии, можно использовать в одной схеме криогроны с пря25 мым и обратным расположением управляющей и вентильной пленок (при прямом расположении участок экрана находится внизу. затем идет, вентиль и затем управляющая плен ка, при обратном распочажении последо"
30 вательность обратная), 282433
Предмет изобретения
Редактор Йваиова Техред А. А, Камышникова Корректор Е. Н, Миронова
Заказ 3543/7 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, К-35, Раушская иаб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Благодаря этому упрощается технология изготовления,криотронных схем, в которых имеется последовательное соединение вентильных и у правляющих пленок (ка к, например, в криотронных трипгерах). Используя прямые и обратные,криотроны в таких схемах, можно располагать криотронные вентили и управляющие .пленки в полностью .разделенных между собой изоляцией металлических слоях, избежать меж слойных сверхпроводящих KQIITBKTOB и тем самым улучшить их качество и повысить надежность схемы.
Пленочная криотронная интегральная схема, содержащая экранирующую пленку из сверхпроводящего материала, изолирующие слои и слои с криотронами и соединительными элементами, отличающаяся тем, что, ic целью уменьшения возможности коротких замыка,ний между элементами схемы через экрани10 рующую пленку и упрощения технологии изготовления, экранирующая пленка разбита на электричеаки изолированные друг от друга участки, расположенные по разные стороны от слоев, содержащих криотроны и соедини15 тельные элементы.