Способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

Способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

3

1 " -, 6„.

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 28 3 188 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Запвлеио 280769 (21) 1341201/22-01 (61) М. Кл.

В 01 Х 17/08 е присоедииеиием заявки Ю—

fSS1aSPaXuSSSl SSWCSl

ВВВФТ4 МИНВТфОВ О65

N ДЕВИ %506PI78636

И ЭТИДМТЯФ (И) Приоритет(43) Опубликовано 25.11776толлетень Эй 43 (45} Дата опубликования описания 251177 (72) .Авторы изобретения

Х.С. Багдасаров, Н.П. Ильин, Н.И. Седаков, Е.A. Федоров и В.Я. Хаимов-Мальков

Ордена Трудового Красного Знамени институт кристаллографии AH СССР

P1) Заявитель (54) СПОСОБ ВЫРИЦИВАНИЯ МОНОКРИСТЬЛЛОВ

ТУРОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ исходным материалом в количестве, прн котором соотношение поверхности и объема расплава не меньше 1 см 1, и про« тягивают горизонтально через зону плавления вакуумной печи, в xolopqN поддерживают остаточное -давление 10 — 5 °

° 10 мм рт.ст. Скорость перемещения лодочки 8-.10 мм/ч, температура рас» плаза 2050-2100 С при осевом температурном градиенте на фронте кристаллизации не более 1 С/мм.

Первый проход позволяет очистить исходный .материал на порядок, после второго прохода при тех же условиях количество примесей в полученном монокристалле в 15 раз меньше чем в исходном материале. Полученные монокристаллы имеют внутренние напряжения

1,0-1 5 кг/мм1, плотность дислокаций

10 -10 см и могут быть подвергнуты механической обработке без дополнительного отжима.

Формула изобретения

Способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов направленной кристаллизацией расплава в молибденовом

Изобретение может быть использовано преимущественно для получения монокристаллических пластин корунда.

Известен способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов направ- 8 ленной кристаллизацией расплава в молибденовом контейнере.

Предложенный способ отличается осуществлением зонной плавки в лодочке в условиях остаточного даэвления газовой 10 среды над расплавом 10, — 5 10 мм рт .ст. при соотношении поверхности и объема расплава не менее 1 =.см", ско.рости перемещения фронта кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом температурном 15 градиенте на фронте кристаллизации не более 1 С/мм.

Проведение направленной кристаллизации в таких условиях дает возможность получать монокристаллические ЯО пластины корунда, имеющие плотность дислокаций не более 104 см и величину внутренних напряжений не более

1,5 кг/мм .

В качестве исходного материала, 25 подвергаемого направленной кристаллизации, служит брикетированный техни» ческий глинозем с содержанием окиси магния не более 0,1% и удельным весом 3,8-3,9 г/смэ, Лодочку заполняют 80 (88) УДК

669.054-172 (088. 8) 283188

Составительй Фирсова

Темред С.Беца, Корректор М. Демчик

Редактор И. Квачадзе

Эаназ 4420/1 Тираж 947 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 контейнере, отличающийс я тем, что, с целью получения монокристаллов корунда с плотностью дислокаций не более 10.см" и величиной внутренних напряжений не более 1,5 кг/мм1, зонную плавку осуществляют в лодочке в условиях остаточного давления газовой среды над расплавом 1д —

-5 ° 10 мм рт.ст. при соотнсыении по5 верхности и объема расплава не менее

1 см, скорости перемещения фронта кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом температурном градиенте на фронте крис" таллизации не более 1 С/мм.