Сегнетоэлектрик^(m^m^^j^^ -ji mmj^u' ^..^'•'' w^^^^^-^^ji 5*
Патент 283344
Авторы
Классы МПК
Сегнетоэлектрик^(m^m^^j^^ -ji mmj^u' ^..^'•'' w^^^^^-^^ji 5*
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е 283344
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Соаэ Советских
Социалистических
Республик
Загисимое от авт. свидетельства М
Заявлено 02.VI.1969 (№ 1333793/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 06.Х.1970. Бюллетень № 31
Дата опубликования описания 22.ХП.1970
Кл. 21с, 2/01
МПК С 04Ь 35/46
УДК 621.315.612(088.8) Комитет по делам иэобретениЯ и открытиЯ ори Совете Микистров
СССР
Авторы изобретения А. Е, Гродштейн, Н. А. Манакова, Т. А. Никитина и T. П. Свиридова
Заявитель
В(.Я й. !!: 01 q
СЕГНЕТОЭЛ ЕКТРИК
1
Изобретение относится к области,производства радиотехнических материалов.
Известны сегнетоэлектрики на основе окислов бария, марганца и двуокиси титана.
Сущность изобретения состоит в том, что в указанную шихту,введена окись алюминия, а исходные компоненты шихты взяты в следующем соотношении (в вес. % ):
ВаО 33 — 31
МпО 18 — 17
TiO2 48 — 46
А10З 1 — 6
Это позволяет .повысить термостойкость .керамики.
Исходные компоненты в виде порошков, вы,пускаемых промышленностью, взятые в следующем соотношении (в вес. %):
Углекислый барий 53
Углекислый марганец 21
Двуокись титана 26, предварительно 1просушенные до .постоянного веса, перемешиваются мокрым опособом в течение 24 час. Из высушенной до влажности
20 — 25% массы формируются кубики, и производится |предварительный обжиг материала при 1100 С. Спек сухим способом размалывается до удельной поверхности 4500—
5000 см /г, В полуфабрикат вводится окись алюминия в количестве 1 — 6% веса порошка, Введение окиси алюминия в количестве, большем 6%,,приводит к снижению величины диэлектрической 1тройтщаае трети--и-к--изменении диэлектрических свойств материала до полупроводниковых. Добавление окиси алюминия в количестве, меньшем 1, не дает увеличения термических свойств.
Оформление образцов производится методом полусухого прессования или методом горячего литья под давлением. Окончательное спекание материала проводится в атмосфере увлажненного формиргаза с точкой росы 25—
30,при 1180 — 1200=С.
Добавление окиси алюминия в количестве
1 — 6%,позволяет увеличить показатель термостойкости до 850 — 1100, сегнетоэлектрические
15 свойства материала при этом не снижаются.
Диэлектрическая проницаемость при 20 С
870 — 2500, удельное объемное сопротивление
10в — 10» ом см.
Предмет изобретения
Сегнетоэлектрик на основе окислов бария, марганца и двуокиси титана, отличающийся тем, что, с целью повышения его термостойкости, в шихту упомянутого материала введе25 на окись алюминия, а исходные компоненты шихты взяты в следующих соотношениях (в вес, %):
Окись бария 33 — 31
Окись марганца 18 — 17
ЗО Двуокись титана 48 — 46
Окись алюминия 1 — 6.