Резистивная композиция

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Соввтскик

Социалистических

Республик

3; ш.снмое от авт. свидетельства №

Кл. 21с, 55/01

Заявлено 24Х1.1969 (№ 1340475/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 06.Х.1970. Бюллетень ¹ 31

Дата опубликования описания 22.XII.1970

МПК Н Olc 17/00

УДК 621.396.692(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Б. С. Гальперин, Л. П. Солдатова и И. Е. цр цйВ4т." 11т 1 .0..т1

I су е т юд т " з т

; с- ;1 :.з. .Й "т

Заявитель

6М à7rEQ7E A

РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ

Предмет изобретения

Изобретение относится к непроволочным резисторам на основе лакосажевых композиций.

Минимальное сопротивление известных пленочных лакосажевых композиций, используемых в современных непроволочных резисторах, составляет 50 — 100 ои на квадрат поверхности.

Для получения более низкоомных композиций увеличивают ооъем сажи, но при этом ухудшается механическая .прочность:пленок, их адгезия к подложке, стабильность к нагреву и действию защитных покрытий.

Критический объем мелкодисперных саж, используемых в производстве резисторов, не превышает 15 — 20% вследствие высокой степени их структурирования. Применение же неструктурирующихся саж (или графита) ухудшает электрические характеристики резисторов из-за более грубой дисперсности этих саж.

С целью получения низкоомных композиций при устранении указанных недостатков, предлагается использовать в качестве токопроводящего компонента деструктированную частично окисленную высокодисперсную сажу, составляющую от 6 до 40 oo, %. Такая сажа может быть получена, например, вибропомолом обычной высокодисперсной сажи в течение 2 — 3 час. Выбором сажи с определенной степенью деструктирования значительно понижают сопротивление (от 15 до 5 с,я на квадрат) композиции и улучшают ее стабильность к защитным покрытиям без ухудшения других

5 характеристик.

Поверхностные окислы, образующиеся на саже в процессе вибропомола, препятствуют ее структурированию и:сохраняются в деструктированном виде длительное время.

10 Использование деструктпрованной сажи целесообразно и для высокоомных композиций, так как при этом повышается содержание сажи при данной проводимости, что способствует однородности композиций и улучшению

15 ее электрических характеристик.

Резистивная ком позиция на основе связу20 ющей смолы с равномерно раопределенными в ней частицами токопроводящего вещества в виде сажи, отличающаяся тем, что, с целью расширения пределов величин сопротивления и улучшения их характеристик, в качестве то25 копроводящего компонента применена деструктированная частично окисленная высокоднсперсная сажа в количестве от 6 до 40 об. %.