Генератор трапецеидальных импульсов с управляемым экспоненциальным спадол1

Генератор трапецеидальных импульсов с управляемым экспоненциальным спадол1

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Са!сз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

" !»"-. Ф @ ,,у ;. »ц" =аЪ

Зависимое от авт. свидетельства М—

Заявлено 05.11.1969 (№ 1301546/18-24) Кл. 21а, 36/18 с присоединением заявкп №вЂ”

Комитет па делам изобретений и открытий ври Совете Министров

СССР

Приор итств ттПК Н 03k 3/16

УДК, 681.326.35 (088.8) Опублпко Ia!Io 14.Х,1970. Бюл".0òl ;Iü . т! 32

Дата 0:!убликования описания 28.! .1971 — .L.:.G ÎÇ Nq

И,т» 3; !! г, .» . »,»т и

БИБ;»ь!,С !1-тА

Автор изобрстс !ия

М, М. Ивахненко

Днепропетровский государственный университет

3"явитсль

ГЕНЕРАТОР ТРАПЕЦЕИДАЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ

С УПРАВЛЯЕМЫМ ЭКСПОНЕНЦИАЛЬНЫМ СПАДОМ

Устройство предназначено для применения в области радиотехники и самонастраи»вающпхся системах автоматического управления.

Генераторы трапсцеидальных импульсов с управлясчым экспонснциальных! спадом, содсржащklc транзисторы, коллекторы и базы которых соединены с обмотками двух ссрдечт»иков,,выходной трансфорчатор и управляемый !россель насыщения, известны.

К недостаткам известH!IY устройств относится их малая стабильность,и .неустойчивость работы из-за влияния рода нагрузки II предела ее,изменения.

Предложенный генератор трапецеидальных пмпульc JB с управляемым экспоненциальетым спадом отличается от извесгных тем, что коллскторная цель ка>!одого пранзистора подключена к последовательно соединенным первичной обмотке выходного трансформатора и бинарной обмотке управляемого дросселя насыщен;!я, а базовая цепь ка»кдого из транзисторов подсосдинена к согласованно-последовательным обмоткам .выходного трансформатора и управляемого дросселя насыщения.

Это повышает стабильность и устойчивость работы генератора .импульсов.

11ринципиальная схема предложенного генератора приведена на чертеже.

Схема содержит транзисторы 1 и 2 и чегырс элекг!10х!аг!I!(Тпыс систсмь! Па сердсч!!яках

I, П, ПI;! IV. На сердечниках I и !! расположены базовые обмотки 8 и 4, оснозчыс коллекторныс 00»!Отки 0 и 6 и Оох!От!а!! упоавле 7

»

I!I)I lI 8.

5 1-la сердечнике ПI расположены синхронизирующие коллскторные обмотки 9 п 10, выходная обмотка 11 и обмотки 12 и 18 обратFII IY связей, образующие двумерную сггстсму обратных связей трансформатора. На сердечIQ нике IV намотаны бинарные обмотгаи И си 16 и обмотки 16 и 17 ооратных связей, образуюц!ие двумерную систему обратных связей у правляемого дросселя насыщения. Для создания необходимого смещения .в цепи эмиттер15 база служит резистор 18. Опорн! II! резисторами в коллекторных цепях служат резисторы

19 и 20.

Управление по частоте з предлагаемом генераторе осуществляется специальныч контуром

2р управлен!!я, состоящим из двух зстречно включенных обмоток 7 и 8 и двух информационных датчиков на диодах 21 и 22, источниках

28 и 24 и рез»исторах 26 и 26. Информационные датчики и обмотки 7 и 8 образуют симметричную схему моста, разбаланс по току которого изменяет реакт»ив !ое сопротивление и ,передаточный коэффициент основной электромагнпитной системы на сердечниках I и П. Ооратная связь, установленная между сердечнирр ками I и II, поддерживаст на заданном уровнс

284034 работу генератора и определяет динамику процесса генерации. Для изменения пер111ода генерации необходимо изменить передаточный коэффициент обратной связи, что достигается изменением напряжения или тока, поступаю- 5 щего от кнформационных датчиков.

Схема генератора работает следующим образомм.

Пусть в некоторый момент времени в .симметричной схеме генератора появится разба- 10 ланс, вызываемый различием динамических и статических характеристик магнитотранзисторных элементов схемы. Вследствие этого один из транзисторов, например 1, будет от«ры ваться, а транзистор 2 закрываться. Про- 15 цесс закрытия и QTKpblт1ия транзисторов характеризуется скоростью изменения магнитных потоков в сердечниках 1, 11, III, IV. Изменение магнитных потоков,в сердечниках наводит эд.с. во всех обмотках магнитной системы, 20 которые включены в базовые цепи транзисторов так, что,в базовой цепи открывающегося транзистора 1 наводится положительная эд.с., а в базовой цепи закрывающегося транзистора 2,наводится отр ицательная э.д.с. В этом слу- 25 чае э.д.с., наведе11ная на базовой обмотке 4, усиливает запирание транзистора 2. В свою очередь, э.д.с., наведенная на базовой оомотке

8, еще в большей степени отпирает транзистор

1. Коллекторный ток этого транзистора увели- 30 чивается до тех пор, пока не наступ ит .насыщение основного сердечника !. При этом ток намагничивания сердечника резко возрастет, а поскольку ток базы остается неизменным, то транзистор 1 выходит из области, насыщения 35 и переходит в активную область. Переход транзистора из области насыщения в активную область сопровождается ростом его сопротивления. Это приводит к тому, что ток намагничивания начинает быстро уменьшаться, 40 а индуктирусмая э.д.с. на базовой обмотке 8 падает до нуля. Последнее вызывает изменение полярност.и э.д.с., что приводит к закрыванию транзистора 1 и открыванию транзистора 2.

Далее процесс генерации периодически повто- 45 ря ется.

Процесс формирования экспоненциального спада в коллекторной цепи транзистора происходит следующим образом.

При закрытии транзистора 1 коллекторный ток последнего уменьшается по экспоненте до некоторой м1инимальной величины, равной току отсечки гранзистора. Это происходит в момент полного закрытия транзистора, когда на реактивном сопротивлении коллекторной цен и транзистора 1 появится э.д.с. самоиндукции, которая поддерживает в течение,первого полупериода ток того же,на правления, которое он имел до закрытия транзистора. В свою очередь, во второй полупериод генерации транзистор 2 открывается, и его коллекторный ток возрастает по экспоненте, достигая вынужденного значения. Это происходит в момент открытия транзистора 2, когда на его реактивном сопротивлении коллекторной цепи появится э.д.с. самоиндукции, которая поддерживает в течение второго полупер иода ток того же направления, что и ло открытия транзистора, Поэтому ток,в коллекторной цепи, содержащей индуктивно-активную нагрузку, спадает

110 экспоненциальному закону.

Предмет изобретения

Генератор трапецеидальных им пульсов с управляемым экспоненциальным спадом, содержащ ий транзисторы, коллекторы и базы которых соединены с обмотками двух сердечников, выходной трансформатор и управляемый дроссель .насыщения, отличающийся тем, что, с целью повышен1ия стабильности и устойчивости:работы, коллекторная цепь каждого транзистора подключена к последовательно соединенным первичной обмотке, выходного трансформатора .и бинарной обмотке управляемого дросселя насыщения, а базовая цепь каждого из транзисторов подсоединена к согласованно-последовательным обмоткам выходного трансформатора и управляемого дросселя насыщения.

-284O3e

Составитель Д. А. Гречинский

Р дак тор Б. С. Цанкина Тскред T. П. Курилко Корректор Л. Б. Бадылама

Подписное

За сан 9Ф>

Тираж 480 !, ;(IIIIIIII Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР 1 1осква, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Облает ая типография Костромского, управления по печати