Библиотека iнейристор
Иллюстрации
Реферат
Совтз Советских
Социалистических
Республик
285I34
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства Я—
Заявлено 29.V1.1967 (Ю» 1167382/26-25) с присоединением заявки М—
Приоритет—
Опубликовано 29.Х.1970. Бюллетень М 33
Дата опубликования описания 31.V.1971
Кл, 21g, 11/02
-t2m, 7/00
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
МПК G Olr 31/22
G 06g
У(К 681.327.12:371.69 (088.8) Автор изобретении
А. П. Буденный
Заявитель
НЕЙРИСТОР
Изобретецис относится к бионике и смежным с:ней отраслям науки и техники, биологической и медици|нской кибернетике, в частности к проблемам моделирования биологических систем.
Извеспны .нейристоры с использованием полупроводниковой структуры с $-образной вольт-амперной характеристикой и положительной обратной связью между элементами.
Последовательно с полупроводниковой структурой включен резистор с сопротивлением порядка нескольких килоом. Недостатками такого резистора являются большой объем,,низкая надежность и нетех|нологичность в микроэлектронном исполнении.
Цель изобретения — создание малогаба ритного нейристора, повышение его надежности и упрощение технологии изготовления. Достигается она тем, что каждый элемент предлагаемого нейристора представляет собой активную |полупроводниковую структуру, последовательно с которой соединен конденсатор.
Каждый элемент подключен к источнику переменного напряжения.
На фи г. 1 изображен щр одольный разрез ней,ристора; на фиг. 2 — вид iceepxy; на ф,иг.
3 — свринци1пиалыная эле ктри чеокая схема.
В качестве активной структуры с $-образной,вольтамперной характеристикой использована полупроводниковая .структура с базой, толщина которой значительно п рсвышаст диффузионную длину неосновных носителей тока, легированной примесями, например золотом, образующими глубокие энергстиче5 ские уровни. Пластина 1 из и-кремния мстадлизирована снизу слоем 2. Сверху она покрыта слоем изоляции 3. На пластине выполнены области 4 р-типа (например, методом электроннолучевой технологии), скрытые под слоем
1О изоляции 3,,за исключением выходящих изпод слоя изоляции небольших обла тей, на которые нанесены контактные площадки 5. Контактные площадки покрыты слоем диэлектрика 6. На этот слой нанесен проводящий элек15 трод Т, а также изолированный от него пусковой элеиттрод 8, находящийся над зап чс кающим элементом 9. Между электродами и контактными площадками образуется емкость определенной величины.
20 Расстояние, между активными элементамц выбрано достаточно малым, чтобы при срабатыва нии одного из элементов диффузия сна носителей тока вызвала срабатывание соседних.
Нейристор питается от высоксхчастотного гене25 ратора 10, патря жение которого меньше пробивного напряжения полупроводниковой структуры. При подаче на запускающий элемент 9 импульса от источника 11 с ам плитудой, большей пробивного напряжения, проис30 ходит его пробой,,носители тока диффундиру285114
Предмет изобрете ния
7 5
Г
2 3
-риг. / сонг 2 григ.3
Состаиитсгш Л. Терошннков
Рсдак гор Б. Федотов Тскрсд А. A. Камышннкова Корректор Т. А. Джаманкувова,За,каз 8107 Тираж 480 Подписное
Ш!ИИПИ Когнитста ио дсдагн ииобрстс иий и открытий при Совете 1ииистроа СССР
Москва, Ж-85, Ратшская наб., д. 4/5
Обласпгая типография Кос грогиского,управ.ченпя по печати ют в S слое до первого рабочего элемента, который пробивается. Пробой распространяется далее от сработавшего элемента и сосед: ему, Рефракторный период определяется разрядом емкости через обратное сопротивление .полупроводниковой структуры. Вольтамперная карактеристика полупроводниковой структуры, необходимая для правильной работы нейристора, имеет стандартный вид.
Емкость, обрагное сопротивление S-элемента и частоту питания, выбирают так, чтобы после однократного пробоя элемента он не пробивался в следующем же периоде.
Нейристор, использующий полупроводниковую структуру с вольт-амперной арактерп5 стикой S-типа с .положительной обратной связью между соседними элементами, например, за счет диффузии носителей тока, .выполненный на твердом теле, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности, l0 уменьшения габаритов и упрощения технологии изготовления, каждый его элемент представляет собой активную полупроводниковую структуру, последовательно с которой соединен конденсатор и каждый та1оой элемент под15 ключен к источнику переменного напряжения.