Холодный катод
Иллюстрации
Реферат
28572I
ОП И САНИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Завиcl!iloe От авт. свидетельства №
Заявлено 25Л/11.1969 (№ 1352852/26-25) с присоединением заявки J¹
Г1 рис!рите
Опубликовано 07.!.1972. Бюллетень ¹ 3
МПК Н 011 1/30
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Глинистроа
СССР
УДК 621.385.032,212 (088.8) Дата опуолнковання описания 23.ll.1972
Авторы изобретения
Е. И. Таборко, Г. А. Кудинцева и В. П. Панфилова
Заявитель!
1.1 11с Т ф„ т.;",, ",""
Fg1; . Г,,, ",", ХОЛОДНЫЙ КАТОД
Устройство предназначено для использования в электровакуух!ны:(, преимущественно миниатюрн1.!к, при борак.
Изве стен туннельный: оло дный катод с гетеропереуодох! полупроводник-диэлектрик с пленкой полупроводника толщиной 70 — 100 A.
ОднBKo У этого ка Года кс)эффпцт!е!гг TOlKoli110кождения (отноц!ен!!е тока эмп =сии к ск возному току) — 10
Предлагаемы!! катод представляет,со бой
«сэнд1вич>: М1 — — 7nS= — Sio=N2, где m !качестве
М! использован алк1х!иний, а в,каче!ст!ве
М2 — алюминий или золото. Гетеропеpeкод образован плен кой полупроводнпково!О сульС фида цинка толщиной 500 — 2000 А и плен кой диэле!ктричес кой смоноокиси кремния толщиной 500 — 1000 А.
Большая толщина плевочек исключает туннелирование электровозов из металлической подложки через полу!проBoäkllllK и диэлектрик в верхнюю металличес кую пленку. Источником эле!кт1роноB я1вляет<ся слой полупроводНИКа. ПОтЕНцнаЛЬНЫй барЬЕр зна ГЕтЕра1ПЕреxone ZIIS =- >!О невелик, благода ря чему в пленке SiO образуются две зоны с разной концентрацией электронов, причем co clopoны верхней металлической илеllKll нолучае ГСН у Ы(п!1 дИЭЛ(:"К Гри 1ЕЛ(П1! СЛОЙ, да IОIЦНН Ilbl сокий;контактный барьер с !пленкой металла.
Суще ств(1вание этик зон .в та!кой си!с!еме IllpHt1 0 В О д и т к с у ж е н и 10 э н е р "е т s! ч e с«(О Г О c 11 e Ka p a эмиттированнь!к электронов и увеличепню коэффициента токопрокождения до 10
Предмет изобретения
Холодный катод типа ссэ1гд ви11» с гетсроперет(одом полупро во1дни к-.диэлесктрик, отлипаюи1ийся тем, что, с целью !то вышения коэффициента токопрокоук дения, гетероперекод образован пленкой сульфнда цинка толщиной 500--2000 А и пленк о!! моноокисн крсх1ния толщиной 500 — 1000 А.