Фоточувствительный приемник

Фоточувствительный приемник

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Своз Советских

Социалистических

Рвсн убанк

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВ5ЩВТВЛЬСТВУ (111 286773 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51) М. Кл.

Н 01 1 31/00 (22) Заявлено 06.05.69 (21) 1333267/2 5 с присоединением заявки №

ГосударстаенныЯ коиктот

Сооата й1нннстроа СССР но давки нэоаратонно н открытнй (23) Приоритет (43) Опубликовано 05,11.77. Бюллетень №41 (53) УДК 621,383,2 (088. 8) (45) Дата опубликования описания16.11.77 (71) Заявитель

Кишиневский государственный университет (54) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЬП 1 ПРИЕМНИК

Изобретение относится к технике производства фотоэлементов.

Известные фоточувствительные приемники с р-и-переходом как гомогенным, так и гетерогенным в своей спектральной характеристике не дают резкого перехода от максимального положительного значения до минимального отрипательного значения на узком участке спектра, порядка сотни ангстрем.

Цель изобретения — создание фоточувствительного приемника, способного регистрировать небольшие изменения в спектральном составе излучения, получение линейного участка смены знака фотоЭДС в зависимости от длины волны падающего излучения.

Для этого на структуре с гомогенным р-лпереходом создают гетеропереход нанесением широкозонного полупроводника. При этом контактные поля гетероперехода и гомоперехода направлены навстречу одно другому. Толщина широкозонного полупроводникового слоя сравнима с глубиной проникновения регистрируемого излучения.

В зависимости от применяемых материалов гетероперехода точка инверсии знака 1„, и

U„,„может лежать в различных участках спектра. о

В небольших пределах (порядка 100 А) точкой инверсии можно управлять, изменяя приложенное напряжение.

На фиг. l показан поперечный разрез фоточувствительного приемника; на фиг. 2 изображена спектральная характеристика тока короткого замыкания, На монокрнсталлическую пластинку I кремния (Si) толщиной порядка 100-200 мк напылением в вакууме или иным известным образом нанесен слой 2 теллурида кадмия (СдТе) с проводимостью р-типа, толщиной на два порядка меньше.

На слой CdTe распылением в вакууме наносится слой, который впоследствии служит

15 электрическим контактом 3. В результате прогрева в вакууме, диффузией 1и в теллуриде кадмия создается область 4 с л-типом проводимости.

Электрическим контактом к кремнию служит слой 5 никеля, наносимый по известной технологии. Толщина как никелевого, так и индиевого электродов около l мк.

Возможно создание системы (сложной структуры) с р-и-переходом в кремний и слоем с р-проводимостью в теллуриде кадмия.

В качестве кристаллической подложки можно использовать не только кремний, но и герма286773 ний. При этом в обоих случаях могут быть использованы различные материалы типа А В с шириной запретной зоны большей, чем у кремния или германия, соответственно. В этом случае точка инверсии знака короткого замыкания и ЭДС холостого хода будет соответственно изменять свое положение на спектральной оси.

Такой фоточувствительный элемент может применяться в yerpoAneax для дистанционного измерения и автоматической регулировки высоких температур.

Формула изобретения фоточувствительный приемник с двумя вы5 водами с р-п-переходом, отличающийся тем, что, с целью получения линейного участка смены знака фотоЭДС в зависимости от длины волны падающего излучения, на освещаемой стороне диодной структуры нанесен слой широкозонного полупроводника, образующий допол1о нительный р-л-переход встречного направления

286773 бО

Составитель О. Федюнина

Редактор А. Калашникова Техред О. Луговая

КорректорЯ )фвввмичанке

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 4212/1 Тираж 976 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

1! 3035. Москва, Ж-35, Раушская наб.. a. 45