Патент ссср 287637

Патент ссср 287637

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К ПАТЕНТУ

287637

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимый от патента М—

Заявлено 16.Х!1.1966 (№ 1120457/22-1/№ 1161802. 22-1) Кл. 40а, 49,00

48Ь, 11/00

МПК С 22b 49/00

С 23с 11/00

Приоритет: 16.XI1.1965, № 77690 и № 40895 1966, Япония

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 669.27.7:669. .28.284 (088.8) Опубликовано 19.XI.1970. Бюллетень ¹ 35

Дата о публикования описан;1я !.III.!971

Авторы изобретения

Иностранцы

Морио Иноуэ, Гота Кано, Джиничи Мацуно и Шигетоси Такаянаги (Япония) Заявитель

Иностранная фирма

«Мацушита Электроникс Корпг» (Япония) СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ

Изобретение относится к области осаждения тугоплавких металлов из газо-паровой фазы.

Известны способы осаждения тугоплавких металлов, например вольфрама и молибдена, из газо-паровой фазы восстановлением галоидопроизводных этих металлов водородом .на подложке, нагретой до температуры

800 — 1100 С.

Однако известные способы не обеспечивают получения покрытия на недостаточно термостойких материалах. Кроме того, осадк11 часто оказываются загрязненными низшими галоидопроизводными этих металлов и имеют плохое сцепление с поверхностью подлоя<кп

Предлагаемым способом можно получать покрытия из тугоплавких металлов на недостаточно термостойких материалах, свободные от приме-ей низших галспдопроизводньx металла. Это достигается тем, что сме=ь галогенида тугоплавкого металла с водородом подогревают до температуры б00 — 1300 С и направляют на подложку, нагретую до температуры 350 — 700 С.

На чертеже показана схема для пояснения описываемого способа.

На схеме даны следующие обозначения: кварцевый трубчатый реактор 1, подставка 2, порошкообразное галоидопроизводное 8 тугоплавкого металла, нагреватель 4, высокочастотный нагреватель 5, подставка 6, покрываемая подложка 7 и сетчатый, зубчатый илп пористый подогреватель 8.

Газовая cìåñü. состоящая из газообразно5 го галогенида, Itîëó÷åíttîão прп нагревании порошкоооразного галопдопронзводного тугоiiлавкого мсталла, в смеси с водородом проходит чсрез подогреватель 8 и подогревается

10 температуры б00 †13 С, после чего поается «3 пов:рхность подложки 7, нагретой до температуры 350 — 700 С, После прохожден: я реакц1<и водородного восстановления

ii; поверхности подложки остаточная га овая

cìññü отсасывается из реактора.

Пример 1. Осажденне молибдена.

Испаряемос вещество — пятихлорпстый молиоден, нагретый до 150 С. Температура подогревателя 700 С; температура подложки

-100 С; расстояние между подогревателем и псдлож1<ой 0,7 сл; скорость подачи водорода

1 1/зц1н. Материал подложки — плавленый кварц, стекловидная 1<ер3мика, сапфир, русин. кварц, углерод, каменная соль.

В этих условиях проис:<одвт осаждение пленки металлического молибдена, o0;I 1д310щеи характерным металлическим блеском. высокой плотностью и прочностью адгезпи.

Скорость осаждеш<я 100 1, .п11н.

П р и м c p 2. Осажденпе вольфрама.

ЗО Испарясмое вещество — шестпхлористый

287637

Предмет изобретения

Составитель Е. Кубасова

Редактор Н. Л. Корченко Текред Л. В. Куклина Корректор T. А. Китаева

Заказ 13/48 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» вольфрам, Температура подогревателя 750 С; температура подложки 460 С; расстояние между подогревателем:и подложкой 0,8 см; скорость подачи,водорода 1,5 л/,яин. Материал подложки — керамика, плавленый кварц, сапфир, алмаз, рубин, бриллиант, углерод, каменная соль.

В этих условиях происходит осаждение плотной пленки металлического вольфрама, обладающей высокой прочностью адгезии. и

Скорость осаждения 80 Л/мин.

Пример 3. Осаждение ниобия.

Газообразную смесь пентахлорида ниобия с водородом в соотношении 1:100 при скорости потока 1 л/мин нагревают подогревателем

8 до температуры 900 С и направляют на подложку, нагретую до температуры 350—

700 С. Ниобий осаждается в виде чистой и компактной пленки на подложки из керамики, кварца, металла. Расстояние между подогревателем и подложкой 0,5 — 1,2 см.

П р им е р 4. Осаждение ванадия, Осаждение осуществляют из смеси тетрахлорида ванадия и .водорода в соотношении

1: 100, подогретой до 1200 С при температуре подложки 350 — 700 С и скорости газового потока 2 л/мин. Материалом подложки являются керамика, ква рц, металл. Расстояние между подогревателем и подложкой

0,5 — 1,.2 сл.

Пример 5. Осаждение тантала.

При осаждении используют смесь пента5 хлорида тантала и водорода в соотношении

1: 100 при скорости газового потока 1,5 л/лин, Смесь подогревают до температуры 900 С, а температуру подложки поддерживают в интервале 350 — 700 С с зазором между подогревателем и подложкой 0,5 — 1,1 сл. Подложки изготовляют из керамики, кварца, металла.

Зеркальные покрытия указанных металлов могут быть получены на полированной поверхности подложки.

i15

Способ осаждения тугоплавких металлов из газо-паровой фазы путем восстановления галоидопроизводных этих металлов водородом на нагретой поверхности подложки, отлииа ощийся тем, что, с целью получения незагрязненных низшими галоидо-производ,— ными металла покрытий на недостаточно термостойких материалах, смесь галогенида металла с водородом подогревают до температуры 600 †13 С и направляют на подложку, нагретую до температуры 350 — 700 С,