Телевизионная передающая трубка типа суперортикон

Телевизионная передающая трубка типа суперортикон

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И C А Н И Е 288022

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 12.1 т .1968 (№ 1232167, 26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 03.XII.1970. Бюллетснь ¹ 36

Дата опубликования описания 28.1.1971

Кл. 21ат, 32/35

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК Н О11

УДК 621.385 832:621.

Авторы изобретения

П. Л. Соколова и Б. В. Круссер

Заявитель

ТЕЛЕВИЗИОННАЯ ПЕРЕДАЮЩАЯ ТРУБКА ТИПА

СУПЕРОРТИКОН

Известна телевизионная передающая трубка типа суперортикон, содержащая узел мишени, состоящий из стеклянной пленки и мелкоструктурной металлической сетки. Сторона мишени, обращенная к фотокатоду, покрыта слоем вещества с коэффициентом вторичной электронной эмиссии меньшим, чем у пленки мишени.

Недостаток трубки состоит в том, что уменьшение коэффициента вторичной эмиссни пленки приводит к уменьшению чувствительности трубки.

Предложенная трубка отличается от известной тем, что пленка и сетка узла мишени трубки со стороны фотокатода покрыты слоем полу проводникового вещества. Коэффициент пеупругого отражения электронов этого вещества меньше соответствующего коэффициента пленки, коэффициент вторичной электронной эмиссии не меньше, чем у пленки, а удельное сопротивление не превышает удельного сопротивления пленки.

Предложенная конструкция позволяет повысить отношение сигнал — шум, расширить световой диапазон и повысить контрастность изображения.

На чертеже изображена трубка предложенной конструкции.

Трубка содержит фотокатод 1, ускоряющий электрод 2, узел мишени, состоящий из с1еклянной пленки 8 и мелкоструктурной металлической сетки 4, тормозящпй электрод 5, электронный прожектор б, вторично-электронный умножптель 7, фокусирующу1о 8 и откло5 няющую 9 системы.

Части узла мишени со стороны фотокатода покрыты полупроводниковым материалом, например Л!дО нлп AI O<, со следую1цими а. рактеристпками: коэффициент неупругого от10 раженпя электронов меньше, чем у материала пленки, коэффициент втори гной электронной эмиссии не меньше, чем у пленки, а удельное сопротивление не превышает удельного сопротивления пленки.

15 Устройство работает следующим образом.

Продольное магнитное поле переносит изображение с фотокатода на мишень. На ее псверкностп создается потенциальный рельеф, который п1)актпчески без потерь перекод11т kl3

20 противоположную сторону мишени, развертываемую электронным лучом прожектора.

Покрытие пленки и сетки мишени со стороны фотокатода полупроводниковым материалом с предложенными 1арактеристикамп, ко25 торое может быть осуществлено путем испарения в вакууме на смонтированную мишень со стороны сетки до плп после установки сс в трубку, устраняет существенный недостаток известны суперортпконов, а именно — нако30 пление заряда на темнык участкак мишени за

288022

Предмет изобретения

Составитель И. Ермилииа

Тскрсд Т. П. Курилко Корректор T. А. Абрамова

Редактор Б. Федотов

Заказ 3948,6 Тираж 480 Подписное

Ц11ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская паб., д. 4)5

Типография, пр. Сапупова, 2 счет возвращающихся на ее пленку в виде рассеянного потока быстрых электронов, возбуждаемых полезным фототоком с пленки и с сетки мишени, причем содержание быстрых электронов во вторичном токе может быть оценено по коэффициентам неупругого отражения электронов.

Трубки предложенной конструкции обеспечивают повышение отношения сигнал — шум на 40% и расширение светового диапазона в

5 — 10 раз при сохранении, а в некоторых случаях улучшении чувствительности.

Телевизионная передающая трубка типа суперортикон, содержащая узел мишени, выполненный из стеклянной пленки и мелко структурной металлической сетки, отличаю и1аяся тем, что, с целью увеличения отношения сигнал — шум, расширения светового диапазона и повышения контрастности изображения, сетка и пленка узла мишени трубки со стороны фотокатода покрыты слоем полупровод*никового материала, имеющего величину коэффициента пеупругого отражения

10 электронов меньшую, чем у материала пленки, а величину коэффициента вторичной электронной эмиссии не менее, чем величина коэффициента вторичной электронной эмиссии материала пленки, причем удельное сопротивление полупроводникового материала не превышает удельного сопротивления материала пленки,