Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора

Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

288!60

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союа Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21g, 11/02

Заявлено 25.IV.1968 (№ 1234712/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 03.XII.1970. Бюллетень ¹ 36

Дата опубликования описания 3. I I.1971

МПК Н Oll

УДК 621.383.4 (088.8) Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

А. П. Ландсман, А. К. Зайцева, В. В. Заддэ и Д. С. Стребков

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА

Изобретение относится к технологии изготовления фотоэлектрических генераторов.

Известен способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем коммутации фотопреобразователей с р — ипереходами, параллельными падающему излучению, в твердотельную матрицу и создания на рабочих поверхностях готовой матрицы посредством диффузии дополнительных р — n-переходов, плоскость которых перпендикулярна падающему излучению. Генератор, получаемый этим способом, состоит из микрофотопреобразователей с р — n-переходами на трех гранях, скоммутированных в твердотельную матрицу, и имеет к.п.д. около 40% при монохроматическом излучении с длиной волны 1 мк для кремния. Недостатком данного способа является трудность коммутации и сборки готовых матриц для получения фотоэлектрического генератора с большой плотностью р — n-переходов на единицу рабочей площади генератора (до 100 р — и-переходов на 1 см )

Предлагаемый способ является дальнейшим развитием и усовершенствованием известного и дает возможность получить генератор с максимальным к.п.д. преобразования монохроматического излучения порядка 80%.

Согласно этому способу, твердотельные матрицы с p — n-переходами соединяют между собой в заготовки посредством металлических или изолирующих слоев так, чтобы плоскости

p — n-переходов, перпендикулярных рабочей поверхности матриц, были параллельны у

5 всех матриц, входящих в состав заготовки.

Полученные заготовки из матриц разрезают перпендикулярно плоскости р — п-переходов на твердотельные блоки, у. которых указанные плоскости перпендикулярны рабочей поверх10 ности. На готовых блоках создают дополнительные р — а-переходы на рабочих сторонах, например методом ионной бомбардировки.

Изготовление фотоэлектрического генератора заканчивается после присоединения контак15 тов, просветления и нанесения защитного покрытия.

Описываемый способ позволяет получать твердотельную матрицу с плотностью размещения p — n-переходов выше 100 на 1 см ра20 бочей поверхности и максимальным к.п.д. преобразования монохроматического излучения порядка 80%. При этом полностью механизируются операции сборки и коммутации твердотельных матричных генераторов, состоящих

25 из микрофотопреобразователей с p — и-переходами на трех гранях. Кроме того, появляется возможность коммутировать в твердотельной матрице микрофотопреобразователи, выполненные в виде микроминиатюрных паралле30 лепипедов или многогранников с р — n-nepexo288160

Предмет изобретения

Составитель А. Б. Кот

Редактор Бердник

Корректор О. Б. Тюрина

Издат. Мо 63 Заказ 99/15 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 дами на четырех, пяти, шести и более гранях.

При этом линейные размеры микрофотопреобразователей соизмеримы с удвоенной диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области микрофотопреобразователей.

Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора, состоящий в том, что получают твердотельные матрицы из скомму1 ированных микрофотопреобразователей с р — n-переходами на трех гранях, отличаюи ийся тем, что, с целью получения фотоэлектрического генератора с к.п.д. порядка 80о/о

5 для монохроматического излучения, матрицы с микрофотопреобразователями соединяют в многослойную структуру, разрезаемую затем на плоские блоки перпендикулярно плоскости

p — n-переходов с последующим созданием по10 средством диффузии примесей дополнительных р — и-переходов на одной или двух рабочих поверхностях блока.