Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора

Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

288162

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Санз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 21.III.1968 (№ 1229069/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано ОЗ.XII.1970. Бюллетень № 36

Дата опубликования описания З.II.1971

Кл. 21g, 11/02

МПК Н Ol!

УДК 621.383.4 (088.8) Комитет па делам изобретений и открытий ори Совете зкииистров

СССР

Авторы изобретения

Н. С. Лидоренко, А. П. Ландсман, A. К. Зайцева, В. В. Заддэ и Д. С. Стребков

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА

Настоящее изобретение относится к технологии получения фотоэлектрических генераторов.

Известен способ изготовления фотоэлектрического генератора созданием р — и-переходов с трех сторон пластины полупроводникового материала, присоединением омических контактов к р — и и-областей и коммутацией полученных таким образом отдельных фотопреобразователей между областями с одноименным или разноименным типом проводимости.

При этом каждый фотопреобразователь, входящий в фотоэлектрический генератор, проходит полный технологическич цикл обработки и контроля параметров. Недостатком этого способа является большая трудоемкость изготовления отдельных фотопреобразователей и коммутации их. Фотоэлектрический генератор, полученный этим способом, имеет большие размеры и малые рабочее напряжение и ток.

Предлагаемый способ позволяет получить микроминиатюрный фотоэлектрический генератор с рабочим напряжением 50 в/см и более при рабочем токе более 10 а/см площади р — n- перехода.

Для этого фотопреобразователи с р — и-переходами, параллельными падающему излучению, коммутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием диффузией на рабочих поверхностях готовой матрицы примесей дополнительных переходов.

Диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.

Согласно описываемому способу пластины с р — n-переходами соединяют в заготовки так, чтобы плоскости р — n-перехода были параллельны, затем заготовки разрезают на пластины перпендикулярно плоскости р — и-nepelo ходов. После полировки и снятия шунтов пластину превращают в твердотельную матрицу из фотопреобразователей с р — и-переходами, расположенными параллельно падаюптему излучению. На рабочих поверхностях

15 готовой матрицы создают диффузией дополнительные р — и-переходы, плоскость которых перпендикулярна падающему излучению.

Таким образом, все фотопреобразователн проходят одновременно полный технологиче20 ский цикл обработки и контроля от коммутации р — и-переходов до создания р — и-переходов, например, методом ионной бомбардировки в скоммутированной готовой матрице.

25 Предмет изобретения

1. Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора созданием фотопреобразователей с р — n-переходами на

30 трех сторонах и омическими контактами с по288162

Составитель А. Б. Кот

Редактор В. Дибобес

Корректор О. Б. Тюрина

Издат. № 63 Заказ 99/1б Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Миннсгров СССР

Москва, Ж-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 следующей коммутацией областей с одноименными или разноименными типами проводимости, отличающийся тем, что, с целью получения микроминиатюрного фотоэ чектрического генератора с рабочим напряжением

50 в/смв и более при рабочем токе более

10 а/см2 площади р — n-перехода, фотопреобразователи с р — n-переходами, параллельными падающему излучению, ком мутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием на пабочих поверхностях готовой матрицы посредством диффузии примесей до5 полнительных р — n-переходов.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.