Структура с неоднородными распределенными

Структура с неоднородными распределенными

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 289450

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистическик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 21.IV.1969 (№ 1323332/26-9) с присоединением заявки ¹

МПК Н Olg 1100

УДК 621.319.4(088.8) Приоритет

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 08.Х11,1970. Бюллетень М 1 за 1971

Дата опубликования Описания 26.1.1971

Авторы изобретения

В. Д. Дмитриев и А. И. Меркулов

Казанский ордена Трудового Красного Знамени авиационный институт

Заявитель

RC-СТРУКТУРА С НЕОДНОРОДНЫМИ РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ

ПАРАМЕТРАМИ

Предмет изобретения

Известные конструкции RC-структур с неоднородными распределенными параметрами не позволяют получить малые габариты и паразитные емкостные связи между RC-cxpyi< yрой и другими элементами микроблока.

В предлагаемой конструкции RC-структуры уменьшение габаритов и паразитных связей достигается тем, что на резистивную пленку нанесены диэлектрическая и проводящая пленки, образующие дополнительную распределенную емкость, обкладка которой соединена с обкладкой основной емкости.

На чертеже изображена RC-структура с неоднородными распределенными параметрами.

RC-структура содержит резистивную 1, диэлектрическую 2 и провс дящую (обкладку) 3 пленки и диэлектрическую 4 и проводящую 5 пленки, образующие дополнительную распределенную емкость.

Начало проводящей пленки 5 совмещено с началом резистивной пленки, причем длина этой пленки меньше длины RC-структуры.

Избирательность RC-структуры зависит от соотношения удельных емкостей конденсаторов, образуемых пленками 5 и 8, и оТ соотношения длин этих пленок.

10 RC-структура с неоднородны ми распределенными параметрами, выполненная в виде чередующихся резпстпвного, диэлектрического и проводящего слоев, от.тача1осцаясл тем, что, с целью уменьшения паразитных емкост15 ных связей между RC-структурой и друп1ми элементами в мпкроблоке, уменьшения габаритов RC-структуры, на резистивный слой нанесены диэлектрическая и проводящая пленки длиной короче длины всей структуры, обра20 зующие дополнительную распределенную емкость, Оокладка которой сосдппена с Оокладкой основной емкости RC-структуры.

5 хоР

Составитель В. Василькевич

Редактор А. В. Корнеев

Коррек.ор Н. Л. Бронсчав

11зд. ЛЪ 18 Заказ 6/2 Тираж 480 Подписное

1ЛНИ11П11 Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР

Москва, К-35, 1заушская иаб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2