Способ присоединения выводов к приборал1типа моп

Способ присоединения выводов к приборал1типа моп

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 289462

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 15.Х1.1968 (№ 1281617/26-25) с присоединением заявки Хв

МП1х Н Oli 7(60

Н 011 7 64 х Д1х 621.382.001.3 ((188.8) Приоритет

Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубл:. ковано 08.Х11.1970. Бюллетень М 1 за 1971

Дата опубликования описания 26.1.1971

Авторы изобретения

С. Г. Радковский и И. Л. Соловьев

Заявитель

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ ВЫВОДОВ К ПРИБОРАМ

ТИПА МОП

Изобретение относится к электронной тех— нике и может применяться при изготовлении интегральных схем на основе структур типа металл — окисел — полупроводник.

Известны способы присоединения выводов к транзисторам и полупроводниковым диодам термокомпрессией с предварительным разогревом кристалла.

Однако этими способами нельзя присоединять выводы к МОП-транзисторам, поскольку в процессе нагрева кристалла до температур

400 С, необходимых для термокомпресспп, в системе металл — окись (электрод затвор а) происходят необратимые процессы; окисление металлического электрода, химическое взаимодействие металла с окислом, в результате которых из окисла вытягиваются ионы кислорода, и в окисле образуются кислородные вакансии.

Образование вакансий в окисном слое приводит к смещению электрических характеристик МОП-структур, что видно из фиг. 1, на которой показаны переходная характеристика

1 МОП-транзистора до приварки выводов, переходные характеристики 2 и 8 того же транзистора после приварки выводов предложенным и известным способами.

Целью изобретения является предотвращение смещения электрических характеристик готовы. МОП-структур в процессе присоединения выводов термокомпрессий.

Предложенный способ присоединения выводов отличается тем, что на электрод затвора с помощью дополнительного зонда подают отрицательное смещение по отношс к кристаллу г течение всего периода нагрева кристалла и приварки вь|вода.

Способ поясняется фпг. 2.

1-1а готовую МОП-структуру 4 со слоем 5 окиси кремния с помощь:о металлическои разводки 6 и электрода затвора 7 устанавливают зонд 8 в месте контакта затвора, который соединяют с источником питания 9. Затем на затвор прибора подают отрицательное смещение, после чего структуру зместе с зондом 8 помещают па столик 111 с нагревателем 11.

После прогрева кристалла приварпвают золотые проводники 12 с помощью сварного электрода 18 и контактным площадкам МОПструктуры.

Электрическое поле з окисном слое препятствует выходу ионов кислорода пз окисла, а это ооеспечпвает постоянство электрических характеристик готовых МОП-структур, увеличивает выход годных приборов. уменьшает их зо стоимость.

289462 ф, з1

9 иг 2

Изд. № 18

Заказ 6 8

Тираж 480

Подписиое

Типография, пр. Сапунова, 2

Предмет изобретения

Способ присоединения выводов к приборам типа МОП, содержащим полупроводниковый кристалл, слой окиси, электрод затвора, путем сварки термокомпрессией с предварительным нагревом кристалла, отлича ощийся тем, что, с целью предотвращения пробоя слоя окиси перед нагревом кристалла и приваркой вывода, на электрод затвора с помощшо дополнительного зонда подают отрицательное

5 смещение по отношению к кристаллу в течение всего периода нагрева крнстал Ici Jl II1)llварке вывода.