Способ цинкования диэлектриков

Способ цинкования диэлектриков

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 289622

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Своз Соеетскиз

Социзлистическиз

Республик

К ПАТЕНТУ

Зависимый от патента М

Заявлено 29.IX.1967 (№ 1188138/22-1) 11откитвт ао делам изобретений и открыти1т при Соеетв Министров

СССР

МПК С 23с 13/02

УДК 621.793.14:669.586 (088,8) Приоритет

Опубликовано 08.XII.1970. Бюллетень ¹ 1 за 1971

Дата опубликования описания. 28.1.1971

Автор изобретения и заявитель

Иностранец

Мишель Брагье (Франция) СПОСОБ ЦИНКОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Предмет изобретения

Изобретение относится к нанесеншо металлически.; покрытий на поверхность диэлектрических материалов, в частности к способам нанесения цинка на диэлектрические ленты путем металлизации в вакууме.

Известен способ цинкования диэлектриков путем пропускания, например, диэлектрической ленты над испарителем цинка. Однако при этом получается цинковое покрытие, неоднородное и включающее значительное количество агломератов цинка, что OTpkILIàòåë: но сказывается на качестве издел1ш из такой ленты, особенно прн ее незначительной толщине.

Пред. 103Kениый c110c0á kkиHlioваHIIH gii3;Iе1 .Tриков позволяет увеличить однородность получаемыч пленок.

Способ отличается от известного тем, что осуществля1от предварительное оксидирование попер ности цинка.

Способ состоит в том, что цинк наносят на диэлектрические повер.;ности путем металлизации в вакууме, при испарешш цинка, поверхность которого предварительно оксидирована.

Окисная пленка, предварительно создаваемая iia поверкности цинка, пористая и выполняет роль фильтра, пропускающего только пары цинка и задерживающего агломераты цинка.

При осуществлении способа цинк, чистота которого составляет 99,999%, в виде слитка или небольшик цилиндриков нагревают в вакууме примерно до 250 С, затем прекращают нагревание, и в камеру впускают возду.,. Последующес охлаждение металла осуществляют на возду. е. Полученная окисная пленка при дальнейшем нагревании цш1ка для испарения покрывает вс10 11013epxiiocTI цинковой ванны.

10 Способ может быть проиллюстрирован следующим примером.

Прп изготов Icllllll диэлектрической ленты, «рименяеiм011 13 llpolI3130+cT13L конденсаторов, likk поверхность ее сначала наносят слой серебра

15 путем металлизации I> вакууме (причем llpoiIccc осуkilEcT13;IHIoT непрерывно, пропуская ленту í lд испарителем серебра), а затем— слои цинка по предлагаемому способу.

Способ цинкованпя диэлектриков путем ме25 таллизации в вакууме, от,1пчаюцпйсл тем, что, с целью увеличения однородности получаемыми пленок, осуществляют предварительное ок< идпрованпс поверхности цинка.