Емкостный настроечный элемент

Иллюстрации

Емкостный настроечный элемент (патент 290358)
Емкостный настроечный элемент (патент 290358)
Показать все

Реферат

 

Q П И С А Н И Е 290358

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

МПК Н Olp 5/04

Заявлено 07.1.1969 (№ 1295424/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет по делам изобретений и открытий

:при Совете Министров

СССР

УДК 621.732 831.5 (088.8) Опубликовано 22.Х!1.1970. Бюллетень № 2 за 1971

Дата опубликования описания 16.II.1971

Авторы изобретения

Б, lO. Каввлеввч в А. М. Парамонов ),е,— -,-,1

I а

„;1 а Ь2

Заявитель

ЕМКОСТНЫЙ НАСТРОЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к радиотехнике сверхвысоких частот и может найти примене.ние в антенно-волноводной технике.

Известны емкостные настроечные элементы, выполненные в виде штыря.

Описываемое устройство отличается от известных тем, что воздушный зазор между широкой стенкой волновода и штырем заполнен неоднородным диэлектриком, причем основная часть зазора заполнена диэлектриком с диэлектрической проницаемостью на порядок выше, чем у диэлектрика, заполняющего оставшуюся часть зазора, что значительно повышает электрическую прочность при сохранении величины емкостной проводимости.

На чертеже показана конструкция предлагаемого устройства.

Емкостный настроечный элемент содержит волновод 1, емкостный штырь 2, диэлектрический стакан 8 и диэлектрическую шайбу 4.

Диэлектрическая шайба изготовляется из материала с большим значением диэлектрической проницаемости (е — 15 — 20) и малым значением тангенса угла диэлектрических потерь (1дбз = 5 10- ) Диаметр шайбы должен быть несколько больше диаметра реактивного штыря. Высота диэлектрической шайбы подбирается экспериментально с таким расчетом, чтобы заполнить не менее 90% высоты зазора между штырем и стенкой волновода. Шайба приклеивается к стенке волновода клеем БФ-4.

Диэлектрический стакан изготовляется из

СВЧ-диэлектрика с небольшим значениемдиэлектрической проницаемости (е — 2 — 3).

Внутренний диаметр стакана должен быть равен или на 0,2 ял больше диаметра штыря. Толщина его дна меньше нли равна воздушному зазору между штырем и диэлектри10 ческой шайбой. Диэлектрический стакан приклеивается к шайбе. Соприкасающиеся плоскости шайбы и дна диэлектрического стакана должны быть достаточно хорошо притерты. В стакан примерно на 1/3 его высоты за15 ливается сравнительно быстро затвердевающий диэлектрик с достаточно хорошей текучестью (например, растворенный полистирол). После этого в волновод погружается реактивный штырь, подстраивается согласо20 ванне волноводной системы и выдерживается до полного затвердеванпя жидкого диэлектрика.

В эксперименте реактивный штырь используется для согласования ферритового фазо25 вращателя с прямоугольным волноводом. До заполнения диэлектриком воздушного зазора между штырем и широкой стенкой волновода обеспечивается заданный уровень согласования фазовращателя с волноводом при

Зо воздушном зазоре 0,8 л л (диаметр штыря

290358

Предмет изобретения

Составитель Л. Рубинчик

Редактор Т, И. Морозова Техред А. А. Камышникова Корректор Л. А. Царькова

Изд. № !02 Заказ 157/8 Тирая 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Сове«Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

8 мм), при этом электрический пробой дается при пиковой мощности порядка 10 кот.

Для увеличения электрической прочности штыря в качестве материала диэлектрической шайбы используется СВЧ-керамика с

8=16, а ее диаметр выбирается равные 10 мм.

Тот же уровень согласования фазовращателя сволноводом, который был получен до заполнения зазора диэлектриком, обеспечивается при высоте диэлектрической шайбы, равной

4,8 мм; при этом воздушный зазор между штырем и шайбой остается равным порядка

0,5 мм.

Диэлектрический стакан изготовляется из полистирола с внутренним диаметром 8 мм и толщиной дна 0,2 мм. B стакан заливается растворенный в дихлорэтане полистирол, после чего производится подстройка согласования фазовращателя. После затвердевания полистирола уровень согласования изменяется не более, чем н; 0,05 от первоначального значения КБВ=0,9. При заливке жидким диэлектриком всего зазора между штырем и широкой стенкой волновода по мере его затвердевания уровень согласования падает от КБВ=

0,9, когда диэлектрик жидкий, и до КБВ=0,3, когда диэлектрик затвердевает.

Испытания показали, что предлагаемая конструкция позволяет увеличить электрическую прочность емкостного штыря до 100—

110 кв, а заполнение большей части зазора твердым диэлектриком с высоким значением в обеспечивает практическую неизменность уровня согласования при затвердевании жидкого диэлектрика.

Емкостный настроечный элемент, выполненный в виде штыря, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической прочности при сохранении величины емкостной проводимости, воздушный зазор между штырем и широкой стенкой волновода заполнен неоднородным диэлектриком, например двухслойным, причем основная часть зазора заполнена диэлектриком с диэлектрической проницаемостью на порядок выше, чем диэлектрик, заполняющий оставшуюся часть за25 вора.