Всесоюзная )я*иятйо-техш!':г кдг!библио-tka 1
Иллюстрации
Показать всеРеферат
О П И С А Н И Е 290452
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 12.VIII.1969 (PPo 1356112/18-24) МПК Н 03k 19/10 с присоединением заявки №
Приоритет
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 681.332.65 (088.8) Опубликовано 22.XII.1970. Бюллетень № 2 за 1971
Дата опубликования описания 16.III.1971
Лвтор изобретения
В. М. Железняков
Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе
Заявитель
ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ
<к,,=Згб, Очевидно, что! тл тэ, -- тэ, — !б,(-, ° I) 20 !! — "э тх. р-и-р тд и-р-и
Предлагаемое изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в вычислительных и управляющих системах повышенного быстродействия, ядерной электронике и в технике измерений наносекундных процессов.
Известны логические элементы, содержащие р — и — p транзистор, эмиттер которого соеди-! нен с катодом туннельного диода (7Д).
Предложенный элемент отличается от известных тем, что содержит и — р — и транзистор, включенный по схеме с общей базой, эмиттер которого соединен с анодом ТД.
Эти отличия позволяют расширить функциональные возможности и повысить быстродействие элемента, На фиг. 1 представлена схема предлагаемого логического элемента; на фиг. 2 — схематичное изображение токов в схеме, представленной на фиг. 1; на фиг. 3 — входная и нагрузочные характеристики схемы, представленной на фиг. I; на фпг. 4 — коллекторные и нагрузочные характеристики транзистора; на фиг. 5— вторая входная характеристика схемы, представленной на фиг. 2, и различные виды нагрузок для ТД (стрелками обозначена траектория движения рабочей точки); на фиг. 6 — коллекторные и нагрузочные характеристики другого транзистора.
Предлагаемый элемент содержит транзисторы1и2иТДЗ.
Кроме того, на чертежах приведены следующие обозначения: i„— ток ТД 3, 1б, — ток базы транзистора 1, 4, — эмнттерный ток транзистора 1, 1,! — эмнгтерный ток транзистора 2, — коллекторный ток транзистора 1, i„.„— коллекторный ток транзистора 2, I» — пиковый ток ТД 3, 1„„„— ток ТД в минимуме его характеристики, аб — статический коэффициент передачи эмнттерного тока для транзисторов 1
10 и 2, полагая, что транзисторы 1 н 2 имеют равное усиление, а — коэффициент передачи эмнттерного тока транзисторов 1 н 2 как функция частоты.
В статическом состоянии напряжение на ба15 зе 1 транзистора определяет ток 4, и i„., Таким образом, изменение любого из токов
Eg,, 1„, т„, т,, мгновенно влечет за собой сооТветствующее изменение всех остальных, т. е. транзисторы 1 и 2 и ТД как бы образуют
«КОЛЬЦО»
290452
Поэтому управление схемой может осуществляться изменением любого из этих токов.
На фиг. 3 изображена входная вольт-амперная характеристики (кривая а) схемы со стороны базы транзистора 1, т. е. для Вход 1.
Здесь же показаны различные виды нагрузок, осуществляемые в схеме (кривые б, 0, г и д).
Такой вид входной характеристики и нагрузочных линий есть результат включения ТД именно между эмиттерами транзисторов 1 и 2 с разными типами проводимостей.
Нагрузкой ТД по постоянному току со стороны транзистора 1 является сам транзистор 1, и поэтому кривой б на фиг. 3 будет соответствовать кривая б ча фиг. 4, сжатая в 1 — 2 раза по току.
Такой масштаб тока на фиг. 3 отображает усилительные свойства транзистора 1.
Представленное на фиг. 4 семейство коллекторных характеристик транзистора 1 есть ряд эквидистантных линий. Очевидно, что загрузочные линии на входной характеристике также будут эквидистантными, и чтооы осуществить в схеме режим с двумя устойчивыми состояниями необходимо иметь:
R 1г(— ) vl где (r (— ) „, ) — среднее значение модуля отрицательного сопротивления туннельного диода 3; % — сопротивление резистора 4.
B том случае, когда входом схемы служит вход II, входная характеристика будет иметь вид, показанный на фиг. 5, и существенно отличаться лишь масштабом по токовой оси.
Таким образом, из фиг. 3, 5 следует, что в схеме могут быть осуществлены следующие режимы: режим с одним устойчивым состоянием (кривые б и д на фиг. 3 и 5); режим с двумя устойчивыми состояниями (кривые в на фнг.
3 и 5); автоколеоательный режим (кривая г
va фиг. 3 и 5).
Кроме того, представляется возможным осуществление усилительного режима в схеме, когда линия нагрузки совпадает на некотором участке с линией отрицательного сопротивления на входной характеристике. Этот режим схемы не исследовался.
Из вышеизложенного следует, что в зависимости от величины сопротивлений резисторов
4 и 5 схема может работать как: одновпбратор от входных импульсов отрицательной полярности; одновибратор от входных импульсов положительной полярности; элемент с двумя устойчивыми состояниями, т. е. триггер и автогенератор разрывных колебаний.
Следует отметить, что полярность рабочих импульсов для схемы можно изменить, поменяв местами транзистор 1 и транзистор 2 и соответственно изменив полярность включения
ТД и источников питания Е и Е. При этом, если E =E и резисторы б и 7 равны, схема останется в том же режиме, изменив только полярность рабочих и выходных импульсов на об р атную.
Рассмотрим теперь динамику схемы при работе ее как одновибратора от входных импульсов отрицательной полярности. В этом случае на фиг. 3 ему соответствует нагрузочная линия (кривая б) при Ri,=Î, При поступлении а
Вход 1 схемы импульса напряхкения ток базы 4, транзистора 1 начнет увеличиваться (начнут увеличиваться и токи /,, г,,: 1„-, =,,, t„. ).Спустя время 1=1-,, которое обусловлено процессами диффузии носителей в базе транзистора 1 i,-, достигнет значения 1„. ТД через (1З вЂ” время заряда собственной емкости
ТД) переключится за время t =t.„â состояние с высоким напряжением на нем.
До этого момента токи в схеме выражались
15 следующими соотношениями:
i ý, —,, — тл — iq1(!+ 1)
i,, =1б, к,,: б,(+ 1)
С момента перека.очения ТД транзисторы будут управляться со стороны эмиттеров током этого диода
Следовательно, с этого момента
Из-за того, что динамическое сопротивление транзисторов со стороны эмиттеров носит индуктивный характер, истинной траекторией
30 движения рабочей точки А на фиг. о будет я»ляться траектория е.
Таким образом, при переключениях ТД в цепи эмиттеров транзисторов 1 и 2 действуют скачки тока, а не напряжения, З5 Поскольку все элементы схемы охвачены глубокой токовой связью, а положение нагрузочной линии (кривой) б на фиг. 3 и 5 соответствует одному устойчивому состояьнно, ТД вернется в исходное состояние спустя время l =
40 =1,„с момента поступления входного импульса.
1,„= 6 + t, + t„+ t „ где t„— время возвращения ТД из точки С
45 в точку А (см. фиг. 5).
Учитывая вид траектории движения рабочей точки и вид нагрузочной линии на фиг. 5, можно считать, что 4=1„.
Время возвращения в исходное состояние
50 транзистора 1 с момента поступления входного импульса будет
tT, — 1,;i+ 2t.
Соответственно для транзистора 2
t,, = l„+31., где (2) где t„— время запаздывания коллекторного тока транзисторов относительно эмиттерного тока и связано с процессами диффузии носи60 телей в базе транзистора.
Так как,, изменялся скачком дважды, то в выражение (1) входит 2 l,.
3 1, в выражении (2) связано с тем, что 1,, претерпевал скачки трижды.
65 Рассчеты показывают, что если в схемепри290452 меняются транзисторы с граничной частотой
11000 Мгц, а ТДимеетсобственную емкость
С-5 лф при 1р — — 10 ма, то
t„=4,2 нсек
t,,=4,5 нсек
t„=4,7 нсек
Основная задержка выходных импульсов относительно входного связана со временем l;,.
Если входом служит Вход II, то это время искл юч а ется, и тогда
t,„=1,2 нсек
t„, 1,5 нсек
4, =1,7 нсек.
При необходимости можно получать желаемую длительность выходных импульсов, включая между эмиттерами транзистора 1 и ТД 8 соответствующую индуктивность. Если используется только Вход II схемы, то базу транзистора 1 желательно шунтировать емкостью конденсатора 8.
Амплитудные характеристики схемы легко определяются на фиг. 3 — 6. На импульс, поступивший на Вход 1 схема одновременно отреагирует отрицательным импульсом на коллекгGре транзистора 1 и положительным — на коллекторе транзистора 2.
Таким образом, предлагаемая схема имеет два независимых входа и симметричные вы ioды и может быть применена для построения следующих типов логических элементов:
«ИЛИ», «И», «ИЛИ-НЕ», «И-НЕ», 10 «ИЛИ-ИЛИ-НЕ», «И-И-НЕ», триггер и генератор TBt TOBblx импульсов.
Предмет изобретения
I5 Логический элемент, содержащий р — и — р транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, эмиттер которого соединен с катодом туннельного диода, отлпчаюцийся тем, что, с целью расширения функциональных
20 возможностей и повышения быстродействия элемента, он содержит и — p — и транзистор, включенный по схеме с общей базой, эмнтгер которого соединен с анодом туннельного диода.
290452 .7р (1-о()
<о
dmin (1-Ф)
Фиг 3
7опт
-Е
Фиг 4
Jp (о (/3+1)
7m(n
Фиг. 5 (о(ф„/).
+Ez
Ц1иг б
Составитель А, Д. Федорова
Редактор E. В, Семанова Тскрсд Т. П. Курилко Корректор А, П. Васильева
Изд. № 1GO Заказ 354/12 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комигста по делам пзобрстспий и открытий при Сове с Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2