Сравнивающее устройство
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИВ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
29II84
Сева Ссввтских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства хс
МПК G 05Ь 1/01
Заявлено 19 1Х.1969 (№ 1361702/28-24) с присоединением заявки Х
Приоритет
Опубликовано 06.1.1971. Бюллетень х, с 3
Дата опубликования описания 19.II.1971
Камитет па делам иасбретеиий и сткрытий при Смете Иииистрсв
СССР х ДК 681.325(088.8) 8(@ F r» 1 1 1 Я L
М. С. Белицкая и Л. H. Волков г: :. -;:: .
Ф !
Научно-исследовательский институт постоянного =пжа
Л вторы изобретения
Заявитель
СРАВНИВАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
Изобретение относится к диодно-регенеративным схемам сравнения изменяющегося однополярного напряжения с линейным пилообразным напряжением для устройства измерения, автоматики и счетно-решающей техники.
Известны диодно-регенеративные сравнивающие устройства для управления разрядом и зарядом накопительного конденсатора, состоящие из двух транзисторов n — р — n- и р— п — р-проводимостей. В этих схемах происходят диодное сравнение (эмиттер — база транзистора р — n — р) и обратная положительная связь, образуемая с помощью транзистора n — р — n. Недостатком схемы является нагрев переходов эмиттер — коллектор и эмиттер — база транзистора р — п — р прямым током транзистора, протекающим через переходы после сравнения напряжения на конденсаторе с первым опорным напряжением.
Кроме того, в рассматриваемой схеме имеется искажение линейного участка пилообразного напряжения на конденсаторе в зоне сравнения, а также перераспределение начального тока в момент сравнения. Это ограничивает применение схемы в измерительной технике, например в цифровых вольтметрах и ваттметрах, а также в счетчиках электроэнергии, основанных на времяимпульсном преобразовании.
Цель изобретения — повышение точности сравнения и уменьшение температурного дрейфа транзисторов. Достигается о»а тем, что в устройство введены диод и два дополнительных транзистора, эмиттерно-коллекторный переход одного из KQTOpblx включен между общей точкой схемы и катодом диода, подключенного анодом к коллектору транзистора р — n — р-проводимости. Между эмиттером
10 последнего и минусом источника питания включен коллекторно-эмиттериый переход другого дополнительного транзистора. Базы дополнительных транзисторов через резисторы подключены к коллектору транзистора n— р — n-проводимости, а к базе транзистора р— и — p-проводимости через параллельно соединенные конденсатор и резистор подключены минусовая клемма источника опорного напряжения и источник входного сигнала.
11а фиг. 1 представлена принципиальная схема устройства; н» фиг. 2 — диаграммы напряжений.
25 Устройство состоит из транзисторов 1 — 3 р — ll — р-проводимости, транзистора 4 n—
p — л, диода 5, резисторов 6 — 1, > и конденсатора 14. Змиттер входного транзистора 1 подключен к выходу генератора пилообразного
30 напряжения иа транзисторах 15 и 16.
291184
eire аиаЮ P
í iitp»ъеичв
Предмет изоорстсиия
Сравнивающее устройство, содержащее генератор пилообразного иапряжсиия, иакоиитсльиьш конденсатор и диодно-регеиеративпую с ему сравнения иа траизисторак р—
n — о и и — р — n-проводимостей, отличаюшесгя тем, что, с целью уменьшения температурного дрейфа и повышения точности срависиия, olio содержит диод и два дополнительиык трапа-, стора, эмиттерно-коллекториый перскод одного дополнительного транзистора вкгиочсн между общей точкой схемы и катодом диода, подключенного анодом к коллектору транзистора р — n — р-проводимости, между эмиттсром которого и минусом источника питагшя включен коллекторно-эмиттерный пс5 рс;од другого дополнительного транзистора, базы дополнительны.; транзисторов через резисторы подключены к коллектору транзистора а — р — а-провод| мости, а к оазе транзистора p — n — р-проводимости через парал10 лельио соедииеипые конденсатор и резистор подключепы минусовая клемма источника опорного напряжения и IlcT0 iíèê в. одиого сигнала.
Составитель С. И. Белан
Редактор Б. Б. Федотов Техред Л. В. Куклина Корректоры: О. М. Ковалева и Л. Б, Бадылаиа
Изд. ¹ 38 Заказ 264/15 Тираж 480 Подписное
11НИИПИ Коан тета ьо де.".ам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москга, К-35, Раушская наб., д. 4/5
Тигография, пр. Сапунова, 2