Формирователь импульсов

Иллюстрации

Формирователь импульсов (патент 291327)
Формирователь импульсов (патент 291327)
Показать все

Реферат

 

29I327

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союэ Советских

Социалистических

Республик

4 тдф1 р.

За висимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 19 1Х.1968 (№ 1270998/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 06.1.1971. Бюллетень № 3

З,ата опубликования описания 23.III.1971

ЧПК Н 03k 5/04

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.374.3(088.8) Авторы изобретения

П. Колобаев, С. В. Куликов и Б. В. Чист

Л ков Я Ц 1 Б

Заявитель

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к области ичпульсной техники, а именно к формирователям импульсов. В настоящее время в связи с развитием твердосхемньгх конструкций существует тенденция к переходу на схемы, не содержащие конденсаторов, трансформаторов и др., вследствие их нетехнологичности.

Из вестны формирователи с высокой крутизной фронтов импульсов на двух последовательно соединенных транзисторах оного типа проводимости, недоста гками которы;. являются невозможность получения импульсов малой длительности и необходимость использования в них трансформатора, В предлагаемом формирователе, содер>кащем два последовательно включенных транзистора и дополнительный ключевой транзистор, переход база — эмиттер транзистора, включенного в эмиттерную цепь другого транзистора, шунтирован переходом коллектор — эмиттер упомянутого дополнительного ключевого транзистора, база которого подсоединена через резистор к источнику входнoro сигнала. Это позволяет получать импульсы с крутыми фронтами и малой длительностью, не зависящей от длительности входного сигнала.

На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого формирователя.

Формирователь построен на транзисторе 1, база которого через резистор 2 подсоединена к источнику 8 входного сигнала, а в цепь эмиттера включен транзистор 4, базово-эмиттерный переход которого шунтирован ключевым транзистором 5, база которого через резистор 6 подсосдинена к источннкч 8 входного сигнала, Формирователь управляется прямоугольным напряжением 1i раоотает следующич 00разом. До прихода отпирающего фронта входного прямоугольного напря жения основной транзистор 1 находится в отсечке, а транзистор 4 в цепи эмпттера основного транзистора, насыщается за счет «вспрыстсиваемого» в его базу тока. В момент прихода переднего фронта входного напряжения основной транзистор 1 входит,в насыщение, и на выходе формирователя (в цепи коллектора основного TpaH3HcTopa) появляется ток. ОднОвременно насыщается дополнительный ключевой транзистор о, прп этом ток коллектора дополнительного кл очевого транзисто а рассасывает заряд базы транз гсгора 4, затем транзистор 4 переводится в отсечку, и ток в цепи коллектора основного транзистора 1

2ä прекращается. В предлагаемом формирователе крутизна переднего фронта может быть высокой, так как соответствует фронту насыщения основного транзистора. Длительность импульса равна времени рассасывания заря291327

Составитель Э. Сане>кко

Темред Л. В. Куклина Корректор А. П. Васильева

Редактор Т. Иванова

Заказ 47/2еб Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Тип. Харьк, Фил, пред «Патент» да базы транзистора 4 током коллектора дополнительного ключевого транзистора; рассасывание начинается с момента прихода переднего фронта, входного отпирающего напряжения.

Длительность импульсов может быть малой при соответствующем выборе степени насыщения транзистора 4 и тока, коллектора дополнительного ключевого транзистора 5.

Крутизна заднего фронта импульса определяет ся скоростью входа в отсечку транзистора 4 и может быть большой при соответ ствующем выборе тока коллектора дополнительного ключевого транзистора 5 и других параметров схемы. Верхний частотный предел предлагаемого формирователя определяется време нвм входа в отсечку дополнительного ключевого транзистора. Это время моя ет

|»bIT6 AI3JIhIxI, так как определяется инерционностью транзисторов и не связано с восстановлением ка)ких-либо реакти вных элементо в. Соответственно, в предлагаемом формирователе, по сравнению с известными, увеличивается частота следования импульсов.

Предлагаемый формирователь при применении его для запуска транзисторных уст5 ройсов может обеспечить запуск устройства импульсами тока. Выходным током формирователя является ток коллектора основного транзисто,ра.

10 Предмет из обр етения

Формирователь импульсов, выполненный на основе двух последовательно соединенных транзисторо в одного типа проводимости, содер»кащий дополнительный ключевой транзистор, отлича ощийся тем, что, с целью уменьшения длительности формируесмых импульсов, база упомянутого ключевого транзистора, шунтирующего базово-эмиттерный переход одного из транзисторов формирователя, подсоединена через резистор к источн1— ку входного сигнала.