Полупроводниковое устройство

Полупроводниковое устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

293530

Союз Советокил

Социалиотичаокиа

Раолтблии

Зависимый от патента . м

Заявлено 06.Ч.1965 (№ 1011054/26 25) МПК Н Olt 1/00

Приоритет

Комитат ло делам изобретений и открытий лри Совета Миииотроа

GCCP

Опубликовано 06.1.1971. Бюллетень М 3

УДК 621.382.3(088.8) Дата опубликования описания 22.11.1971

Автор изобретения

Иностранец

Дитер Герстнер (Федеративная Республика Германии) Иностранная фирма

<сТелефункен П атентан вертунг Гмб Х» (Федеративная Республика Германии) Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙCTBO

Известны полупроводниковые устройства, например транзисторы, со вплавленными p — ппереходами. Направляющие этих устройств позволяют при маленьких поверхностях электродов иметь большие контактные поверхности. Но увеличение контактных поверхностей направляющих, расположенных одна над другой, через изоляционные слои вызывает появление паразитных емкостей, которые снижают рабочие частоты устройства.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что между направляющими и телом полупроводника расположен металлический экран. Экраном может служить направляющая, размеры которой превышают размеры других направляющих.

На чертеже изображен транзистор с направляющими и металлическим экраном.

Транзистор содержит тело полупроводника 1 с изоляционным слоем 2. На изоляционное пятно 8 нанесен металлический слой 4, являющийся экраном. На участке, защищенном изоляционным слоем 5, расположены направляющая б для контактирования с электродом основания 7 и направляющая 8 для контактировзггия с электродом эмиттера 9. Обе направляющие и экран снабжены контактными проводами 10.

Изоляционные слои выполнены напылением

SION или SiO.

5 Экраном может служить направляющая, относительно которой отсчитывается потенциал, расположенная между телом полупроводника и другими направляющими. Для этого ее выполняют большего размера, чем другие на10 правляющие. Таким образом могут быть выполнены транзисторы для применения в схеме с общей базой плп с общим эмиттером. Изменяется лишь порядок нанесения направляющих.

Предмет изобретения

1. По,чупроводггиковое устройство, например транзистор, с направляющими для контактпрования с электродами, oT ãè÷àþùååñÿ тем, что, 20 с целью улучшения частотных характеристик, между направляющими и телом полупроводника расположен металлический экран.

2. Устройство по и. 1, отличающееся тем, что металлическим экраном является направляю25 щая, выполненная больших размеров, чем другие направляющие.

291530

Составитель О. Федюкина

Редактор Б. Г. Федотов Текред Л. Я. Левина Корректор О. С. Зайцев»

1 1зд. Жо 15! Заказ 288 1С Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ 1(омитета по делам изобретений и открытий при Совете Минисгров СССР

Москва, il(-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2