Патент ссср 292193

Патент ссср 292193

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

292I93

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства № 148277

Заявлено 08.1Х.1969 (№ 1362490/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 06.1.1971. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 26.11.1971

МПК G 1lс 11/34

Комитет ло делам изобретений и открытий при Совете Иинистров

СССР

УДК 681.327.66 (088.8) Авторы изобретения

А. А. Алексеюнас, В. Б. Толутис и А. А. Чеснис

Институт физики полупроводников АН Литовской CCP

Заявитель

ИОНОТРОН

Ионотрон предназначен для использования в запоминающих устройствах.

Известны ионотроны, выполненные на основе полупроводникового выпрямляющего контакта селен — кадмий, где весь слой полупроводника легирован подвижной компенсирующей примесью (например, серебром), концентрация которой несколько меньше концентрации основных примесных центров в полупроводнике.

Для перевода таких ионотронов с одного крайнего состояния в другое требуются применить электрические импульсы напряжения сравнительно большой амплитуды, например

50 †1 в, а для считывания информации (при использовании их в качестве запоминающих элементов), например 10—

15 в. Кроме этого они имеют сравнительно большие балластные сопротивления. Это ограничивает область применения известных ионотронов.

В предлагаемом ионотроне для перевода из одного крайнего состояния в другое и для считывания информации (в случае применения в качестве запоминающего элемента) требуются напряжения меньшей амплитуды (например, 15 — 30 и 3 — 10 в соответственно).

Кроме этого его балластное сопротивление значительно меньше балластного сопротивления известных ионотронов.

Отличительная особенность предлагаемого ионотрона заключается в том, что между невыпрямляющим контактом и тонким (толщиной примерно 1 — 3 лткл ) слоем селена, леги5 рованного серебром, он содержит дополнительный слой поликристаллического селена (толщиной примерно 10 — 30 лткм), в котором серебро отсутствует.

На чертеже показана схема предлагаемого

10 ионотрона.

Он состоит из выпрямляющего контакта 1, слоя селена 2, легированного серебром, слоя 8 нелегированного селена и выпрямляющего контакта 4.

15 Эффект, получаемый за счет создания в ионотроне дополнительного слоя селена, в котором отсутствует примесь серебра, заключается в следующем. Электропроводность поликристаллических слоев селена, легирован20 ного серебром, более в чем в 5 10 раз меньше электропроводности слоев нелегированного селена. Благодаря тому, что в ионотроне создан дополнительный слой нелегированного селена, имеется возможность уменьшить в

25 нем толщину слоя селена, легированного серебром, и, следовательно, уменьшить балластное сопротивление прибора. Так как область слоя полупроводника у выпрямляющего контакта в предлагаемом ионотроне имеет пони30 женную проводимость, электрическое поле

8 формирования сосредоточивается в этой области в случае формирования ионотрона не только в запирающем, но и в пропускном направлениях. Таким образом, поскольку толшина приконтактного слоя в предлагаемом иснотроне значительно меньше толщины слоя селена в известном ионотроне, то электрическое поле формирования той же величины в предложенном ионотроне образуется при меньших напряжениях в пропускном направлении. Меньшее напряжение требуется также и при формировании предложенного ионотрона в запирающем направлении, так как он является более низковольтным, чем известные.

Принцип работы ионотрона заключается в том, что при воздействии на него импульсом напряжения определенных амплитуды и длительности в пропускном направлении он переходит в крайнее состояние, в котором имеет наименьшую асимметрию проводимости, а при воздействии импульсом напряжения в запирающем направлении переходит в другое крайнее состояние, в котором имеет наибольшую

292193е асимметрию проводимости. При воздействии на ионотрон импульсами меньшей амплитуды или длительности, чем требуется для его перевода в крайние состояния, он переходит в

5 промежуточные метастабильные состояния.

Состояние ионотрона не меняется, когда на него воздействуют импульсами напряжения, параметры которых меньше некоторых критических. В случае использования ионотрона в

10 качестве запоминающего элемента это его свойство представляет возможность проводить многократное считывание записанной информации без ее регенерации.

15 Предмет изобретения

Ионотрон по авт. св. № 148277, отличаюи ийся тем, что, с целью уменьшения управляющих напряжений и уменьшения балластного

20 сопротивления прибора, между невыпрямляющим контактом и слоем селена, легированного серебром, расположен слой поликристаллического нелегированного селена.

Составитель А. А. Соколов

Редактор Л. А. Утехина Техред А. А. Камышникова Корректор В. И. Жолудева

Изд. № 167 Заказ 330/9 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2