Полупроводниковый усилитель

Полупроводниковый усилитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

2cI 22II

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

МПК Н 03f 1/24

Заявлено 09.VI.1969 (№ 1337081/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 06.|,1971. Бюллетень ¹ 4

Дата опубликования описания 2.III.1971

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

УДК 621.375.4(088.8) ВПТБ

Автор изобретения

В. Д. Козлов

Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Й УСИЛИТЕЛЬ

Известны усилители, содержащие униполярный и биполярный транзисторы. Эти усилители не позволяют получать выходное напряжение большой амплитуды, поскольку нагрузка включается между коллектором бипо- 5 лярного транзистора и землей и максимальная амплитуда выходного напряжения определяется напряжением источника питания униполярного транзистора.

Предложенный полупроводниковый усили- 10 тель расширяет динамический диапазон выходного напряжения и имеет высокое входное сопротивление и высокую крутизну.

Предложенный усилитель, содержащий униполярный и биполярный транзисторы, отли- 15 чается от известных тем, что база биполярного транзистора соединена со стоком униполярного транзистора, между истоком которого и эмиттером биполярного транзистора включен отдельный источник постоянного на- 20 пряжения, а нагрузка включена между коллектором биполярного транзистора и источником питания его коллекторной цепи.

На чертеже дана принципиальная схема устройства. 25

Предлагаемый усилитель содержит униполярный 1 и биполярный 2 транзисторы. Исток

8 униполярного транзистора 1 является общим, а сток 4 соединен с базой 5 биполярного транзистора 2.

Через эмиттерно-базовый переход транзистора 2 от источника напряжения 6, подключенного к электроду 7, осуществляется питание стоковой цепи униполярного транзистора 1.

Питание коллектора 8 биполярного транзистора 2 осуществляется через нагрузку 9 от источника напряжения 10. Управляющее напряжение с входных клемм П поступает на затвор 12 униполярного транзистора. При использовании транзистора 2 с высоким пробивным напряжением с нагрузки снимают выходной сигнал большой амплитуды.

Предмет изобретения

Полупроводниковый усилитель, содержащий униполярный и биполярный транзисторы, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона выходного напряжения, база биполярного транзистора соединена со стоком ynn«oлярного транзистора, между истоком которого и эмиттером биполярного транзистора включен отдельный источник постоянного напряжения, а нагрузка включена между коллектором биполярного транзистора и источником питания его коллекторпой цепи.

Составитель В. Нагорнов

Редактор Т. 3. Орловская Техред А. А. Камышникова Корректоры: В. И. )Колудева, А. Николаева и Л. Корогод

Заказ 356/4 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2