Динамический элемент на мдп-транзисторах
Патент 294252
Классы МПК
Динамический элемент на мдп-транзисторах
Иллюстрации
Реферат
294252
О П И С А Н И Е
ИЗО6РЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сей)в Советских
Социалистических
Реслублин
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 12.11.1970 (№ 1404378/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 26.I.1971. Бюллетень № 6
Дата опубликования описания 24.III.1971
МПК Н 03jc 17/66 комитет ло делам изобретений и открытий лри Совете Министров
СССР
УДК 681.325.65(088.8) I Р EC ..2 -зз ).
;! й," 2,., .» "", iËÿ
А. Н. Кармазинский, Г. й. Назарин и В. И. (Шагрризй е-.
Авторы изобретения
Заявитель
Московский инженерно-физический институт
ДИНАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ
Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и предназначено для построения интегральных логических схем с высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью.
Известен динамический элемент на МДПтранзисторах, в котором цепь разряда запоминающего конденсатора выполнена на двух транзисторах, в результате чего время разряда конденсатора ограничивает быстродействие элемента и требует увеличения размеров транзисторов цепи разряда.
Предложенное устройство отличается тем, что цепь разряда запоминающего конденсатора выполнена на одном транзисторе, с затвором которого соединен исток вспомогательного транзистора.
Это позволяет повысить быстродействие элемента и уменьшить размеры используемой полупроводниковой пластины.
Схема элемента показана на фиг. 1. На фиг. 2 и 3 изображены эпюры напряжений в различных точках схемы при включении и выключении элемента соответственно.
Элемент содержит запоминающий конденсатор 1 с цепью его заряда, выполненной на транзисторе 2, и с цепью разряда, выполненной на транзисторе 8, вспомогательный транзистор 4, входы 5, 6 и 7, выход 8.
Устройство работает следующим образом.
Пусть в исходном состоянии на входе 7 элемента поддерживается высокий уровень напряжения, достаточный для отпирания транзистора 4 (эпюра 7, фиг. 2). Первый тактовый импульс (эпюра 5, фиг. 2) открывает транзистор 2, и конденсатор 1 заряжается от источника постоянного напряжения питания до потенциала, соответствующего высокому уровню. По окончании первого импульса на вход б подается второй тактовый сигнал (эпюра 6, фиг. 2), который через открытый транзистор 4 воздействует на затвор транзистороа 3 и отпирает последний. За время действия второго тактового импульса конденсатор 1 разряжается через канал открытого транзистора 8, и на выходе 8 устанавливается низкий уровень напряжения (эпюра 8, фиг. 2).
Если в исходном состоянии на входе 7 поддерживался низкий уровень напряжения (эпюра 7, фиг. 3), недостаточный для отпирания транзистора 4, то второй тактовый импульс (эпюра 6, фиг. 3) передается на затвор транзистора 4 через емкостной делитель, образуемый паразитной емкостью исток — сток закрытого транзистора 4 и входной емкостью затвора транзистора 3. Соотношение между этими емкостями таково, что напряжение на затворе транзистора 3 оказывается недоста30 точным для его отпирания.
294252
Предмет изобретения
Фиг 1
Фиг Z
Фиг,У
Составитель В. Игнатущенко
Редактор Ю. Полякова Техред Л. Я. Левина Корректор О. М. Ковалева
I!çë. № 278 Заказ 622/7 Тираж 473 Подписное
ЦН11ИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4j5
Типография, пр. Сапунова, 2
Поэтому цепь разряда конденсатора 1 остается разомкнутой, и на выходе 8 поддерживается высокий уровень напряжения (эпюра 8, фиг. 3). Таким образом, за время цикла происходит инверсия входного сигнала.
Подсоединяя последовательно и параллельно транзистору 4 другие транзисторы, можно придавать элементу те или иные логические функции. При использовании четырехфазной системы питания элемент образует функционально полную систему.
Динамический элемент на МДП-транзисторах, содержащий запоминающий конденсатор и цепи его заряда и разряда, а также вспомогательный транзистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения площади используемой полупроводниковой пластины, цепь разряда запоминающего конденсатора выполнена на одном транзисторе, с затвором которого соединен исток вспомогательного транзистора.