Режекторный узкополосный микрофильтр

Режекторный узкополосный микрофильтр

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАН И Е 295!87

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, Союз Советских

Социалистических

Республик

За висимое от авт. свидетельства №

Заявлено 14 Vill.1969 (№ 1356481, 26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 04.ll.1971. Бюллетень Лт 7

Дата опубликования описания 19.III.1971

МПК, Н 03h 11/00, 13/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.372.544.3 (088.8) т ттот

В. к. Руднев н н. Г. ннфонтов:, фн, ; . (тоб 1 т

Авторы изобретения

Заявитель

PЕ)КЕКТОРНЫй УЗКОПОЛОСНЫЙ МИКРОФИЛЪТР

Предмет изобретения

Изобретение относится к области радиотехники и автоматики и используется в радиоэлектронных блоках, в которых осуществляется вырез узкой полосы сигнала, а также в избирательных схемах в цепи отрицательной обратной 5 связи.

Известен узкополосный микрофильтр, частота режекции которого управляется светом.

Он состоит из фоторезистивной пленки, нанесенной 1i3 диэлектрическую пленку с омиче- 10 ским контактом. При изменении освещенности изменяется сопротивление фоторезистивной пленки. При этом изменяется частота режекции фильтра.

Недостатком этого фильтра является огра- 15 ниченная возможность его применения, так как регулировка частоты режекцпи при помощи изменения освещенности возможна только в небольшом диапазоне частот.

Целью изобретения является увеличение диапазона регулирования частоты режскцип.

Достигается это тем, что между слоями диэлектрика и проводника нанесен слой полупроводникового материала, соединенный с 25 источником регулируемого напряжения смещения через резистор.

На фиг. 1 показана принципиальная электрическая схема фильтра; на фиг. 2 — структура фильтра. 30

Схема включает выводы I, распределенное сопротивление фоторезистивной пленки 2, распределенную емкость диэлектрической пленки у, распределенную емкость поверхностного слоя полупроводника (полупроводниковая подложка) 4, которая изменяется под действием напряжения смещения, сосредоточенное сопротивление (резпстор 5).

Фильтр состоит из полупроводниковой подложки 4, диэлектрической пленки 8, используемой для уменьшения тока утечки через фильтр, фоторезистивной пленки 2, выводов 1, омпческого контакта (резистор) 6, резистора 5, источника постоянного смещения 7 для управления частотой режекцип.

Прп подаче переменного сигнала на входные клеммы (фильтр симметричный), например на Iа — Iс, на выходных клеммах Ib — Ic снимается сигнал того же спектра частот кроме узкой полосы частот, которую задерживает фильтр.

Режекторный узкополосньш микрофильтр, выполненный в виде трехслойной пленочной структуры: фоторезистор — диэлектрик — проводник, управляемый световым потоком, отлачаюа1айся тем, что, с целью увеличения диапазона регулирования частоты режекции, между

295187

Фиг. 2

Составитель А. Мерман

Редактор И. В. Квачадзе Техред Л. Я. Левина Корректор О. И. Усова

Изд, Кв 293 Заказ 678/1 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, K-35, Раушская наб., д. 475

Типография, пр. Сапунова, 2 упомянутыми слоями диэлектрика и проводника нанесен слой полупроводникового материала, соединенный с источником регулируемого напряжения смещения через резистор.

Jc

Фиа. /