Танталовый порошок для объемно-пористых анодов электролитических конденсаторов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
О П Й С А."R. И! Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
296ISS
Союз Саввтскнз
Соцналнстнчвскиз
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства;¹
МПК Н 01g 9/05
Заявлено 2Ь.III.1968 (№ 1228646/26-9) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 12.ll.1971. Бюллетень ¹ 8
Дата опубликования описания 12.11 .1971
Комитет ло делам изобретений н открытий. лри Совете Министров
СССР
УДК 621.319.45
661.883,3 (088.8) Авторы изобретения В. М. Амосов, Б. А. Карелин, Н. И. Кисиленко и В. К. Луцкий
Заявитель
TAHTAJIOBbIA ПОРОШОК ДЛЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТЫХ
АНОДОВ ЭЛЕКТРОЛИТИЧ ЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ
Предмет изобретения
Изобретение относится к технологии производства радиоаппаратуры и может быть применено при изготовлении объемно-пористых анодов электролитических конденсаторов.
Известен танталовый порошок для объемно-пористых анодов электролитических конденсаторов, легированный галогенидами щелочных и щелочноземельных металлов, например фторидами.
Действие фторидов галогенидов ограничивается лишь улучшением емкостных характеристик анода и тангенса угла потерь и не обеспечивает низких и стабильных значений токов утечки анодов электролитических конденсаторов.
Цель изобретения — получение танталового порошка для анодов электролитических конденсаторов, обладающих улучшенными электрическими характеристиками. Это достигается введением в состав танталового порошка хлоридов щелочных и щелочноземельных металлов в количестве 0,5 — 15% по весу.
Введение хлоридов в исходный порошок тантала осуществляется обычными способамп: в виде растворов солей с последующим выпариванием и одновременным перемешиванисм суспензин до загустевшего состояния
5 или известными методами смешения.
Дальнейший технологический процесс изготовления анодов из танталового порошка, легироваггного хлоридами щелочных и щелочноземельных металлов, аналогичен извест10 ноя .
Танталовый порошок для объемно-пористых
15 анодов электролитических конденсаторов, легированный галогенидами щелочных и щелочноземельных металлов, от.гичаюигийся тем, что, с целью повышения удельной электрической емкости и снижения токов утечки ано20 дов, в качсстве упомянутых галогенидов использованы Xëîðèäû щелочных и щелочноземельных металлов в количестве 0,5 — 15 процентов по весу.