Танталовый порошок для объемно-пористых анодов электролитических конденсаторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П Й С А."R. И! Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

296ISS

Союз Саввтскнз

Соцналнстнчвскиз

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства;¹

МПК Н 01g 9/05

Заявлено 2Ь.III.1968 (№ 1228646/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 12.ll.1971. Бюллетень ¹ 8

Дата опубликования описания 12.11 .1971

Комитет ло делам изобретений н открытий. лри Совете Министров

СССР

УДК 621.319.45

661.883,3 (088.8) Авторы изобретения В. М. Амосов, Б. А. Карелин, Н. И. Кисиленко и В. К. Луцкий

Заявитель

TAHTAJIOBbIA ПОРОШОК ДЛЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТЫХ

АНОДОВ ЭЛЕКТРОЛИТИЧ ЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ

Предмет изобретения

Изобретение относится к технологии производства радиоаппаратуры и может быть применено при изготовлении объемно-пористых анодов электролитических конденсаторов.

Известен танталовый порошок для объемно-пористых анодов электролитических конденсаторов, легированный галогенидами щелочных и щелочноземельных металлов, например фторидами.

Действие фторидов галогенидов ограничивается лишь улучшением емкостных характеристик анода и тангенса угла потерь и не обеспечивает низких и стабильных значений токов утечки анодов электролитических конденсаторов.

Цель изобретения — получение танталового порошка для анодов электролитических конденсаторов, обладающих улучшенными электрическими характеристиками. Это достигается введением в состав танталового порошка хлоридов щелочных и щелочноземельных металлов в количестве 0,5 — 15% по весу.

Введение хлоридов в исходный порошок тантала осуществляется обычными способамп: в виде растворов солей с последующим выпариванием и одновременным перемешиванисм суспензин до загустевшего состояния

5 или известными методами смешения.

Дальнейший технологический процесс изготовления анодов из танталового порошка, легироваггного хлоридами щелочных и щелочноземельных металлов, аналогичен извест10 ноя .

Танталовый порошок для объемно-пористых

15 анодов электролитических конденсаторов, легированный галогенидами щелочных и щелочноземельных металлов, от.гичаюигийся тем, что, с целью повышения удельной электрической емкости и снижения токов утечки ано20 дов, в качсстве упомянутых галогенидов использованы Xëîðèäû щелочных и щелочноземельных металлов в количестве 0,5 — 15 процентов по весу.