Патент ссср 296263
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
МПК Н 03k 19/08
Заявлено 04.Х11.1969 (№ 1381150/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 12.11.1971. Бюллетень ¹ 8
Дата опубликования описания 14.1V.1971
Комитет по делам изобретений и открытий ври Совете Министров
СССР
УДК 681.142.078(088.8) Авторы ,изобретения
Г. И. Берлинков и В. В. Цветков
Заявитель
БИБЛИО. - iA
БУФЕРНАЯ СХЕМА
Устройство относится к области автоматики и вычислительной техники.
Буферные схемы на полевых транзисторах со структурой металл — диэлектрик — полупроводник МДП с индуцированным каналом извсстны.
Недостатком известных буферных схем является большая величина потребляемой мощности и невысокое быстродействие.
Предложенная буферная схема отличается 10 от известных, тем, что она содер>кит два дополнительных МДП транзистора и МДП конденсатор, причем затворы и стоки обоих транзисторов соединены с шиной источника питания, а между их истоками включен упомяну- 15 тый МДП конденсатор, одна из обкладок которого связана с истоком, а другая с затвором транзистора предварительного каскада.
Это отличие уменьшает потребляемую мощность и повышает быстродействие схемы. 20
Принципиальная схема буферного каскада приведена на чертеже.
Схема содержит полевые МДП транзисторы 1 — 6, с индуцированным каналом, МДП конденсатор 7, входную клемму 8 и выход- 25 ную — 9.
Элемен гы 1 — 4 образуют известную схему буферного каскада, а 5 — 7 — цепочку обратной связи.
Схема работает следующим образом.
В связи с тем, что потенциал на затворе транзистора 2 предварительного каскада меньше напряжения источника питания Е на величину порогового напряжения транзистора
5, уменьшается величина тока, протекающего
:грез предварительный каскад, и снижается уровень потребляемой мощности.
Благодаря действию обратной связи через
МДП конденсатор 7 напряжение между истоком и затвором транзистора 2 поддерживается почти постоянным в течение всего времени переключения, что позволяет увеличить быстродействие буферной схемы, Транзистор б используется для уменьшения разности статического и динамического перепада уровней выходных напряжений, позволяя тем самым увеличить верхний уровень выходного напря>кения схемы. Так как перезарядка конденсатора, нагружающего предварительный каскад, осуществляется через транзистор
2, то проводимость транзистора 6 выбирается таким образом, чтобы можно было пренебречь током в его цепи.
Вместо транзистора б можно использовать высокоомный резистор, что приводит к увеличению статического перепада уровней выходного напря>кения.
206263
Предмет изобретения
Составитель Д. А. Греиинский
Редактор Б. С. Панкина Текред Т. П. Курилко Корректор Т. А. Джаманкулова
Заказ 853/6 Издат. М 368 Тираж 473 Подписное
ПНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Буферная схема на полевых транзисторах со структурой металл — диэлектрик — полупроводник МДП с индуцированным каналом, отличаюи аяся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и увеличения быстродействия, схема содержит два дополнительных
МДП транзистора и МДП конденсатор, причем затворы и стоки обоих транзисторов соединены с шиной источника питания, а между их истоками включен упомянутый МДП кон5 денсатор, одна из обкладок которого связана с истоком, а другая с затвором транзистора предварительного каскада.