Датчик температурывсесоюзна.^ шшо^ай^чгш^&иблиотеги\

Датчик температурывсесоюзна.^ шшо^ай^чгш^&иблиотеги\

Реферат

 

397874

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ссюа Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 06.Х.1969 (№ 1,366444/18-10) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 11.1lli.1971. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 07.Х.1971

МПК С 01k 7/16

Комитет пс делам иавбретеиий и открытий при Совете Мииистрсв

СССР

УДК 536.531:621.315. .592:541.64 (088.8 ) Авторы изобретения

А. И. Кривоносов, Н. А. Маркова, И. И. Кривоносов, Г. Е. Зайков и А. А, Берлин

Институт химической физики АН СССР

Заявитель

ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники.

Известны датчики температуры, выполненные на основе органических полупроводниковых матери алов, содержащие термочувствительный элемент и электрические выводы.

Недостатками этих датчиков являются низкая термочувствительность, трудность получения ряда образцов датчиков температуры с одинаковыми заданными значениями сопротивлений и коэффициентов температурной чувствительности.

Цель изобретения — увеличение термочувствительности и .обеспечение возможности получения серии термодатчиков с задан ными, и строго фиксированными значениями начального сопротивления и температурного коэффициента сопротивления.

Для этого в предлагаемом датчике термочувствительный элемент .выполнен на основе низкомолекулярных органических полупроводников, а именно: ион-радикальных солей тетрацианхинондиметана, в молекулу которого введен либо катион бисчетвертичного основанная, например дихинолиния и фенантролиния, либо катион щелочного металла, а также до 25 вес. % галогена, например йода, или до 25 вес. % нейтрального тетрацианхинонд,иметана.

Образцы температурных датчиков могут быть получены путем прессования указанного органического полупроводникового материала. Электрические контакты могут быть

5 впрессованы в термочувствительный элемент.

Проведенные эксперименты показали, наличие значительной температурной зависимости образцов термодатчиков, выполненных на основе вышеуказанных ион-радикальных солей.

10 На фиг. 1 изображен график температурных характеристик ряда исследованных образцов, имеющих повышенную температурную чувствительность; на фиг. 2 — график температурных характеристик, простых и

15 комплексных ион-радикальных солей тетрацианхинондиметана с 1,1-диметил-б,б-дихинолинием при разном стехиометрическом составе.

На графиках обозначены: 1 — простая ион20 радикальная соль тетрацианхинондиметана с

1,1-диметил-б,б-дихинолинием; 2 — комплексная ион-радикальная соль на основе 1,10-диэтил-о-фенантролиния; 3 — 1,10-диметил-офенантролиния; 4 — 1,1-дибутил-б,б-дихиноли25 ния; 5 — 1,10-дипропил-о-фенантролиния; б— простая ион-радикальная соль; 7 — комплексная соль, где в качестве нейтральной молекулы использована молекула йода; 8— комплексная соль с нейтральной молекулой

ЗС тетрацианхинондиметана.

297874

R (ом

5 104

2.10

10з

70D

Одним из основных преимуществ датчиков температуры на предложенной основе является простота получения серии датчиков температуры с заранее заданными значениями начальных сопротивлений и температурных коэффициентов сопротивлений путем регулирования стехиометр ического состава ионного комплекса в одном ряду ион-радикальных солей

Преимуществами предложенных датчиков температуры является также возможность получения больших выходных сигналов, исключающих использование дорогостоящей усилительной аппаратуры, а также изготовления образцов датчиков заданных форм и размеров.

Предмет изобретения

1. Датчик температуры, содержащий термочувствительный элемент, выполненный из органического полупроводникового материала, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в нем термочувствительный элемент выполнен на основе низкомолекулярных ион-радикальных солей тетрацианхинондиметана, 2, Датчик по п. 1, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых температур, в нем в молекулу ион-радикальной соли введен катион бисчетвертичного основания, например дихинолиния и фенантролиния, 3. Датчик по п. 1, отличающийся тем, что, с целью повышения термической устойчивости, в нем в молекулу ион-радикальной соли введен катион щелочного металла.

4. Датчик по пп. 1, 2, отличающийся тем, что, с целью расширения электрических и температурных свойств применяемых материалов, в нем в молекулу ион-радикальной соли введено до 25 вес. % галогена, например

Йода.

5. Датчик по пп. 1, 2, отличающийся тем, что, с цель ю расширения электрических и температурных свойств применяемых мате- риалов, в нем в молекулу ион-радикальной соли введено до 25 вес. О/p нейтрального тетрацианхинондиметана.

297874

A (ои)

3.1Р

150 ТоС

Фиг. 3

Составитель И. Дубсон

Редактор А. А. Корнеев Техред Л. Л. Евдонов Корректор E. В. Исакова

Заказ 2635/11 Изд. № 1134 Тираж 473 Подписное

UHHHHH Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2