Способ получения рутениевых покрытий
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е 298703
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советокиз
Сопиелиотичеокив
Реопублик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 16.Ч1,1969 (№ 1338845/22-1) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 16.lll.1971. Бюллетень № 11
Дата опубликования описания 12Л .1971.
МПК С 23с 11/02
Комитет по деле!в изобретениЯ и открытиЯ при Совете Миииотров
СССР
УДК 621.793.16:669.236 (088.8) Авторы изобретения
Г, Г, Петухов, С. M. Сысоев, В. И. Ермолаев, Н, А. Стрижова и Г. Е. Цыганаш!!
Заявитель
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РУТЕНИЕВЫХ ПОКГЬ1ТИЙ
Предмет изобретения
Изобретение относится к области получения металлических покрытий термическим разло>кением соединений металлов в вакууме, в частности к области получения рутениевых покрытий.
Известен способ получения рутениевых покрытий термическим разложением карбонилгалоидных соединений рутения.
Предложенный способ отличается от известного тем, что в качестве карбонилгалоидного соединения используют циклопентадиенилдикарбонилйодид рутения. Это позволяет повысить скорость осаждения покрытий.
По предложенному способу процесс осуществляют в вакуме 0,5 10 т — 10 — мм рт. ст. в парах циклопентадиенилдикарбонилйодида рутения при температуре покрываемой детали
450 †5 С.
После нанесения покрытия деталь выводят из зоны паров и выдерживают при температуре 500 С в течение 10 — 15 мин для улучшения сцепления покрытия с основой.
Скорость осаждения покрытия составляет
0,6 — 0,8 мк/мин, что в 3 — 4 раза превышает скорость осаждения рутениевых покрытий по известному способу. При этом продукты рас5 пада не реагируют с подложкой, чем обеспечивается постоянство формы и веса подложки.
Описываемым способом можно наносить высококачественные рутениевые покрытия толщиной 0,2 — 0,5 мк на различные металлы, стекло
10 и керамику.
Способ получения рутениевых покрытий тер15 мическим разложением карбонилгалоидного соединения рутения, отличаюьцийся тем, что, с целью повышения скорости осаждения, в качестве карбонилгалоидного соединения используют циклопентадиенилдикарбонилйодид руте20 ния и процесс осуществляют при температуре подложки 450 — 500 С и вакууме 0,5 10-т—
10 — 1мм рт. ст.