Всесоюзная iшштш-]:х:;г:гилй1
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ПАТЕНТУ
3 ОООЗ6
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимый от патента ¹
Заявлено 23.Ч.1969 (№ 1335901/28-12) МПК б 03g 5/08
Приоритет 24Х.1968, № 731743, США
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете влииистров
СССР
Опубликовано 26.111.1971. Бюллетень № 12
УДК 621.319(088.8) Дата опубликования описания 4.VI.1971
Автор изобретения
Иностранец
Энтони Фрэнк Липани (Соединенные Штаты Америки) Иностранная фирма
«РЭНК Ксерокс Лимитед.> (Великобритания) всгс";:.-БИБ13 7 „","д
Заявитель
ЭЛ ЕКТРОФОТО ГРАФИ Ч ЕСКАЯ ПЛАСТИ НА
Подложка должна иметь удельное электрическое сопротивление не более 10 ом . см.
На тщательно очищенную поверхность подложки наносится тонкий (от 0,1 до 5,0 мк)
5 слой адгезионного материала. В качестве последнего используются замещенные силилизобутилэтилендиамины, например н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамин, и - триметокси сил илизобутилэтиленди амин, и-диэтокси10 этилсилилизобутилэтилендиамин и другие соединения этого ряда.
Наилучшими адгезионными свойствами по отношению к фотополупроводниковому слою и подложке обладает клеевой состав на осно15 ве и-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамина, который входит в клеевую композицию в количестве 2 вес. ч., а 1 вес. ч. приходится на гамма-метакрилоксипропилтриметоксисилан или винилтриацетоксисилан.
20 В качестве фотополупроводникового слоя на адгезионный слой наносится селен и его сплавы, например селенид кадмия, селенид теллура и другие, и смеси мышьяка и селена.
Селен может содержать сенсибилизирующие
25 добавки. Толщина фотополупроводниковогг слоя находится в пределах от 10 до 200 мк
iI
Изобретение относится к электрофотографическим материалам, Известны электрофотографические пластины, содержащие фотополупроводниковый слой стекловидного селена, нанесенного на жесткую подложку, выполненную в виде пластины или цилиндра. Для увеличения производительности электрофотографических машин в них применяют электрофотографические слои, нанесенные на гибкую подложку в виде ленты. При изгибании такой подложки происходит отслаивание фотополупроводникового слоя.
Предлагаемая электрофотогра фическая пластина обладает улучшенной адгезией между фотополупроводниковым слоем стекловидного селена и гибкой подложкой и имеет высокие физические и механические свойства.
Электрофотографическая пластина состоит из гибкой подложки, адгезионного слоя и стекловидного селена. В качестве подложки используется металл, например алюминий, латунь, нержавеющая сталь, медь, никель, цинк; стекло, покрытое электропроводящими материалами, например окисью олова, окисью индия, металлическим алюминием, пластик с аналогичными покрытиями; бумага, пропитанная химикалиями или кондиционированная для придания ей электропроводности.
Предмет изобретения
1. Электрофотографическая пластина, со30 держащая подложку, выполненную из элект300036
Составитель Э. Почтарь
Техред Л. В. Куклина Корректор О. Б. Тюрина
Редактор Н. Старостина
Заказ 1353/16 Изд. № 604 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4!5
Типография, пр. Сапунова, 2 ропроводящего материала, и фотополупроводниковый слой селена, отличающаяся тем, что, с целью исключения отслаивания фотополупроводникового слоя и улучшения его физических и механических свойств, пластина включает промежуточный адгезионный слой, находящийся между упомянутыми слоями и содержащий замещенный силилизобутилэтилендиамин.
2. Пластина по п. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой содержит н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамин.
3, Плаотина по п. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой содержит н-триметоксисилилизобутилэтилендиамин.
4. Пластина по п. 1, отличающаяся тем, чго промежуточный адгезионный слой содержит
2 вес. ч. и-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамина и 1 вес. ч. гамма-метакрилоксипропилтриметоксисилана.
5. Пластина по п. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой содержит
2 вес. ч. н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамина и 1 вес. ч. винилтриацетоксиси1О лана. б. Пластина по,п. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой имеет толщину от 0,1 до 5,0 мк.
7. Пластина по п. 1, отличающаяся тем, что
15 фотополупроводниковый слой имеет толщину от 10 до 200 мк.